| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ |
|---|
|
|
БКП56-16 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ АКЦИИ
|
|
|
|
|
|
|
БК817-16 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ АКЦИИ
|
|
|
|
|
|
|
БАС40-05 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ АКЦИИ
|
|
|
|
|
|
|
HFA08TB60PBF
ЗАПАС транзистора влияния поля НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF1404PBF
ЗАПАС транзистора влияния поля НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
|
|
|
|
|
|
|
Цена ic la4440 ТВ ic lg памяти шарика феррита 256Kb FM25V02-GTR SMD серийная 3V F-RAM
|
Память IC 256Kbit SPI 40 MHz 8-SOIC FRAM (Ferroelectric RAM)
|
Infineon
|
|
|
|
|
TAJA686K002RNJ
НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС
|
|
|
|
|
|
|
Конденсаторы Eleectrolytic шарика феррита SMD алюминиевые/Fk Eeefk1h151p
|
150 конденсаторов v алюминиевых электролитических радиальных, консервная банка - SMD µF 50 2000 часо
|
Производитель
|
|
|
|
|
RAM SmartWatch модуля силы модуля силы IGBT Mosfet DS1216C & ROM
|
IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP
|
АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА
|
|
|
|
|
ЗАПАС TAJA225M025RNJ НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
|
КРЫШКА TANT 2.2UF 20% 25V 1206
|
Производитель
|
|
|
|
|
ЗАПАС TAJB685M025RNJ НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
|
КРЫШКА TANT 6.8UF 10% 25V 1411
|
Производитель
|
|
|
|
|
ЗАПАС конденсатора тантала TAJB156K010RNJ НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
|
Литые танталовые конденсаторы 15 мкФ 10 В 1411 (метрическая система 3528), 1210 2,8 Ом
|
Производитель
|
|
|
|
|
ЗАПАС конденсатора тантала TAJB476M010RNJ НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
|
Литые танталовые конденсаторы 47 мкФ 10 В 1411 (метрическая система 3528), 1210 1 Ом
|
Производитель
|
|
|
|
|
Оригинальная микросхема интегральной схемы в электронике 93LC66A-I/SN 1K-16K Microwire
|
ИС памяти EEPROM 4Kbit Microwire 2 MHz 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
серийный чип ЭЭПРОМ 24ЛК512-И/СМ интегральной схемы 512К И2К™
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIJ IC 512Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
Детектор TruPwr ADL5501AKSZ-R7 на микросхеме интегральной схемы от 50 МГц до 4 ГГц
|
ИС РЧ-детектора общего назначения 50 МГц ~ 6 ГГц -18 дБм ~ 6 дБм ±1 дБ 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА
|
|
|
|
|
Обломок интегральной схемы М24М01-РМН6ТП шины ЭЭПРОМ 1 Мбит серийный ИК
|
ИС памяти EEPROM 1 Мбит I²C 1 МГц 500 нс 8-SOIC
|
Производитель
|
|
|
|
|
Первоначальное программирование IC откалывает 256K 32K x 8 5 вольт только флэш-памяти AT29C256-12JC Cmos Cmos
|
ИС флэш-памяти 256 Кбит Параллельный 120 нс 32-PLCC (13,97x11,43)
|
Микросхема
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM Интегральная микросхема I2C⑩ Технический паспорт семейства последовательных ЭСППЗУ
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIJ IC 256Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
M95160-WMN6TP Электронные компоненты 16-кбитная последовательная шина SPI EEPROM с высокоскоростным тактовым генератором
|
Память IC 16Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC EEPROM
|
Производитель
|
|
|
|
|
W27C512-45Z 64K X 8 ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ СППЗУ микросхемы и интегральные схемы линейные цифровые интегральные схемы
|
Память IC 512Kbit параллельные 45 ns 28-PDIP EEPROM
|
Производитель
|
|
|
|
|
серийный ЭЭПРОМ микросхемы 64К И2КТ интегральных схем мелкомасштабных интегральных схем 24ЛК64И/СН (406,89 к)
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIC IC 64Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.
|
SDRAM - память IC 128Mbit ГДР проходит 167 MHz прошед параллельно параллельно 700 ps 66-TSOP
|
Микрон
|
|
|
|
|
Обломок интегральной схемы ССТ25ВФ040Б-50-4К-С2АФ, 4 обломока монтажной платы ТВ Мбит СПИ серийный вспышка
|
Флэш-память IC 4Mbit SPI 50 MHz 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM линейный и цифровой чип AT27C512R-90JC интегральной схемы
|
EPROM - память IC 512Kbit параллельные 90 ns 32-PLCC OTP (13.97x11.43)
|
Микросхема
|
|
|
|
|
CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic
|
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 70 ns 28-PDIP
|
Производитель
|
|
|
|
|
Микросхема интегральной схемы AT29C040A-90PI, микросхема флэш-памяти ic
|
Флэш-память IC 4Mbit параллельные 90 ns 32-PDIP
|
Микросхема
|
|
|
|
|
24AA1025-I/SM 1024K I2C™ CMOS Serial EEPROM сложные интегральные схемы
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIJ IC 1Mbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
Микросхема интегральной схемы CY7C1372D-167AXI 18-Мбит SRAM с конвейерной передачей
|
SRAM - Одновременный, память IC 18Mbit SDR проходит 167 MHz прошед параллельно параллельно 3,4 ns 10
|
Производитель
|
|
|
|
|
IC программирования AT27C256R-15PC откалывает первоначальный обломок 256K OTP EPROM электроники ПОГРУЖЕНИЯ
|
EPROM - память IC 256Kbit параллельные 150 ns 28-PDIP OTP
|
Микросхема
|
|
|
|
|
МТ48ЛК8М16А2П-6А ЭТО: Л СИНХРОННАЯ ДРАМАТИЯ ОБЛОМА
|
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 167 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Микрон
|
|
|
|
|
Штырь СмартСокет 28-пин обломока интегральной схемы ДС1213К 256к, гнездо ПОГРУЖЕНИЯ 600 мил
|
IC SMARTSOCKET 256K 28-DIP
|
АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА
|
|
|
|
|
М25П128-ВМФ6ТП ТР 128 Мбит низковольтный чип интегральной схемы привел ноутбук монтажной платы драйвера
|
ВСПЫШКА - НИ память IC 128Mbit SPI 50 MHz 16-SOP2
|
Микрон
|
|
|
|
|
Интегральная микросхема FM24CL64B-GTR Автомобильная память Temp 64Kb Serial 3V F-RAM
|
² c 1 MHz 550 ns 8-SOIC IC 64Kbit i памяти FRAM (Ferroelectric RAM)
|
Infineon
|
|
|
|
|
M93S46-WMN6TP MICROWIRE EEPROM последовательного доступа с защитой от блокировки
|
Память IC 1Kbit SPI 2 MHz 8-SOIC EEPROM
|
Производитель
|
|
|
|
|
Микросхема интегральной схемы AT28C256-15PU 256K (32K x 8) выгружает параллельную EEPROM
|
Память IC 256Kbit параллельные 150 ns 28-PDIP EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
M24C08-WMN6TP 16 Кбит, 8 Кбит, 4 Кбит, 2 Кбит и 1 Кбит последовательная шина I²C EEPROM
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIC IC 8Kbit i памяти EEPROM
|
Производитель
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2FB-75:D TR Programmable IC Chips Synchronous DRAM 256Mb x4 x8 x16 SDRAM
|
Память IC 256Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 60-FBGA (8x16)
|
Микрон
|
|
|
|
|
MX25L12873FM2I-10G Programmable IC откалывает 128M - обломок интегральной схемы BIT внезапный Ic
|
ВСПЫШКА - НИ память IC 128Mbit SPI 104 MHz 8-SOP
|
Производитель
|
|
|
|
|
Новые и оригинальные флэш-памяти платформы с внутрисистемной программируемой конфигурацией PROM XCF32PVOG48C
|
ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР SRL/PAR 1.8V 32M 48TSOP IC
|
Производитель
|
|
|
|
|
Программатор IC Внутренняя схема SST25VF064C-80-4I-Q2AE-T 64 Mbit SPI Serial
|
ВСПЫШКА 64MBIT SPI/DUAL 8WSON IC
|
Микрон
|
|
|
|
|
НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ IC-SM-256K BIT SERIAL EEPROM 24LC256-I/SM
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIJ IC 256Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
AT28C64B-15PU Programmable IC Chips Компоненты электроники
|
Память IC 64Kbit параллельные 150 ns 28-PDIP EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
Новые и оригинальные 3-проводные последовательные EEPROM 2K (256 x 8 или 128 x 16) AT93C66A-10SQ-2.7
|
Сериал 2 MHz 8-SOIC 3-провода IC 4Kbit памяти EEPROM
|
Производитель
|
|
|
|
|
Устройства последовательной конфигурации EPCS16SI8N
|
ПРИБОР 16MBIT 8SOIC CONFIG IC
|
Intel
|
|
|
|
|
обломок ЭЭПРОМ 24ЛК515-И/СМ серийной интегральной схемы 512К И2К™ КМОС первоначальный ИК
|
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIJ IC 512Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
X24C44SI Последовательное энергонезависимое статическое ОЗУ Организация 16x16 Одиночный источник питания 5 В Минимум Интерфейс ввода/вывода
|
IC NVSRAM 256BIT SPI 1MHZ 8SOIC
|
RENESAS
|
|
|
|
|
M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память
|
ВСПЫШКА - НИ память IC 64Mbit параллельные 70 ns 48-TSOP
|
Производитель
|
|
|
|
|
Электронный чип CY7C1328G-133AXI Микросхема интегральной схемы 4 Мбит (256K x 18) Конвейерная DCD Sync SRAM
|
SRAM - Одновременный, память IC 4.5Mbit SDR проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 4 ns 100
|
Производитель
|
|
|
|
|
МТ48ЛК16М16А2П-75 ИТ: Д Программируемые интегральные схемы Икс Чип 5А Течение
|
Память IC 256Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Производитель
|
|
|
