Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.

МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.

производитель:
Микрон
Описание:
SDRAM - память IC 128Mbit ГДР проходит 167 MHz прошед параллельно параллельно 700 ps 66-TSOP
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
VDD:
+2.5V ±0.2V
VDDQ:
+2.5V ±0.2V
I/O:
2.5V
Пакет:
Пакет FBGA доступный
Часы:
167 MHz
Тариф данных:
333 Mb/s/p
Самое интересное:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Введение

 

ДВОЙНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ (DDR) SDRAM

 

ФУНКЦИИ

• Тактовая частота 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мбит/с/п

• VDD = +2,5 В ± 0,2 В, VDDQ = +2,5 В ± 0,2 В

• Двунаправленный строб данных (DQS), передаваемый/получаемый вместе с данными, т. е. синхронный с источником захват данных (x16 имеет два — по одному на байт)

• Внутренняя конвейерная архитектура с удвоенной скоростью передачи данных (DDR);два доступа к данным за такт

• Дифференциальные тактовые входы (CK и CK#)

• Команды, вводимые по каждому положительному фронту CK

• DQS с выравниванием по краям с данными для READ;выровнен по центру с данными для WRITE

• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK

• Четыре внутренних банка для параллельной работы

• Маска данных (DM) для маскирования записываемых данных (у x16 их две — по одной на байт)

• Программируемая длина пакета: 2, 4 или 8

• Поддерживается параллельная автоматическая предварительная зарядка

• Режимы автоматического обновления и самообновления

• Доступен пакет FBGA

• 2,5 В/В (совместимость с SSTL_2)

• t Блокировка RAS (t RAP = t RCD)

• Обратная совместимость с DDR200 и DDR266.

 

ОПЦИИ НОМЕР ДЕТАЛИ

• Конфигурация

32 МБ x 4 (8 МБ x 4 x 4 банка) 32M4

16 МБ x 8 (4 МБ x 8 x 4 банка) 16M8

8 МБ x 16 (2 МБ x 16 x 4 банка) 8M16

• Пластиковая упаковка

66-контактный TSOP (OCPL) TG

60-шариковый FBGA (16x9 мм) FJ

• Время — время цикла

6 нс при CL = 2,5 (DDR333B–FBGA)1-6

6 нс при CL = 2,5 (DDR333B–TSOP)1-6T

7,5 нс при CL = 2 (DDR266A)2-75Z

• Самообновление

Стандартный нет

 

ПРИМЕЧАНИЕ. 1. Поддерживает модули PC2700 с синхронизацией 2,5-3-3.

2. Поддерживает модули PC2100 с синхронизацией 2-3-3.

 

СОВМЕСТИМОСТЬ DDR333

DDR333 соответствует или превосходит все требования синхронизации DDR266, обеспечивая тем самым полную обратную совместимость с текущими конструкциями DDR.Кроме того, эти устройства поддерживают одновременную автоматическую предварительную зарядку и блокировку t RAS для улучшения временных характеристик.Устройство DDR333 емкостью 128 МБ будет поддерживать средний интервал периодического обновления (t REFI) 15,6 мкс.

Стандартный 66-контактный пакет TSOP предлагается для двухточечных приложений, в то время как пакет FBGA предназначен для многоабонентских систем.

Техническое описание Micron 128Mb содержит полные технические характеристики и функциональные возможности, если иное не указано здесь.

 

РАЗМЕРЫ УПАКОВКИ FBGA 60 ШАРОВ

 

 

МАРКИРОВКА УПАКОВКИ FBGA

Из-за физических размеров упаковки FBGA полный номер детали для заказа не указан на упаковке.Вместо этого используется следующий код пакета.

 

Верхняя метка содержит пять полей 12345

• Поле 1 (Семейство продуктов)

ДРАМ Д

ДРАМ - ES Z

• Поле 2 (Тип продукта)

2,5 В, DDR SDRAM, 60 шариков L

• Поле 3 (Ширина)

x4 устройства Б

x8 устройств С

x16 устройств D

• Поле 4 (плотность/размер)

128Мб Ф

• Подано 5 (класс скорости)

-6 Дж

-75З П

-75 Ф

-8 С

 

  РАЗМЕРЫ КОРПУСА 66-PIN TSOP РАЗМЕРЫ КОРПУСА 66-PIN TSOP

 

 

 

 

 

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
MT48LC4M16A2TG-75 ИТ: МИКРОН TSOP4 Meg банки x 4 x 4 IC драхмы g TR одновременный

MT48LC4M16A2TG-75 ИТ: МИКРОН TSOP4 Meg банки x 4 x 4 IC драхмы g TR одновременный

SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
M45PE10-VMN6P Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ

M45PE10-VMN6P Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ

FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК

MT25QL512ABB1EW9-0SIT Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК

FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
N25Q128A13EF740F Новый и оригинальный запас

N25Q128A13EF740F Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
PF48F3000P0ZTQEA Новый и оригинальный запас

PF48F3000P0ZTQEA Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
N25Q128A13ESF40F TR Новый и оригинальный запас

N25Q128A13ESF40F TR Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
N25Q064A13ESE40F TR Новый и оригинальный запас

N25Q064A13ESE40F TR Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
N25Q128A11EF840F TR Новый и оригинальный запас

N25Q128A11EF840F TR Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
N25Q128A13BSF40F TR Новый и оригинальный запас

N25Q128A13BSF40F TR Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
MX30LF2G18AC-TI Новый и оригинальный запас

MX30LF2G18AC-TI Новый и оригинальный запас

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs