Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память

M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память

производитель:
Производитель
Описание:
ВСПЫШКА - НИ память IC 64Mbit параллельные 70 ns 48-TSOP
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Температура под смещением:
– °C 50 до 125
Температура хранения:
– °C 65 до 150
Напряжение тока входного сигнала или выхода:
– 0,6 до VCC +0,6 v
Подача напряжения:
– 0,6 до 4 v
Напряжение тока идентификации:
– 0,6 до 13,5 v
Напряжение тока программы:
– 0,6 до 13,5 v
Самое интересное:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Введение

 

 

M29W640FB Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок) 3 В питание флэш-памяти

 

Обзор функций

• Напряжение питания

- ВCC= от 2,7 В до 3,6 В для программ, стирания, чтения

- ВПП=12 В для быстрой программы (дополнительно)

• Асинхронное случайное чтение/чтение страницы

- Ширина страницы: 4 слова

– Доступ к странице: 25 нс

– Произвольный доступ: 60 нс, 70 нс

• Время программирования

– 10 мкс на байт/слово, тип.

– Программа 4 слова/8 байт

• 135 блоков памяти

– 1 загрузочный блок и 7 блоков параметров по 8 КБ каждый (верхнее или нижнее расположение)

– 127 основных блоков по 64 КБ каждый

• Контроллер программирования/стирания

– Встроенные алгоритмы Byte/Word Program

• Программирование/удаление приостановки и возобновления

– Чтение из любого блока во время приостановки программы

- Чтение и программирование другого блока во время приостановки стирания

• Команда разблокировки программы обхода

– Более быстрое производство/пакетное программирование

• ВППВывод /WP для быстрой программы и защиты от записи

• Режим временного снятия защиты с блокировки

• Общий интерфейс флэш-памяти

– 64-битный код безопасности

• Блок расширенной памяти

– Дополнительный блок, используемый в качестве блока безопасности или для хранения дополнительной информации

• Низкое энергопотребление

– Режим ожидания и автоматический режим ожидания

• 100 000 циклов программирования/стирания на блок

• Электронная подпись

– Код производителя: 0020h

 

Максимальный рейтинг

Нагрузка на устройство выше номинала, указанного в таблице абсолютных максимальных значений, может привести к необратимому повреждению устройства.Воздействие условий абсолютного максимального рейтинга в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.Это только номинальные нагрузки, и работа устройства в этих или любых других условиях, превышающих указанные в разделах «Эксплуатация» данной спецификации, не подразумевается.См. также программу STMicroelectronics SURE и другие соответствующие документы по качеству.

 

Абсолютные максимальные значения

Символ Параметр Мин. Макс Единица
ТПРЕДВЗЯТОСТЬ Температура при смещении –50 125 °С
ТСТГ Температура хранения -65 150 °С
ВИО Входное или выходное напряжение(1)(2) –0,6 ВCC+0,6 В
ВCC Напряжение питания –0,6 4 В
ВИДЕНТИФИКАТОР Идентификационное напряжение –0,6 13,5 В
ВПП (3) Напряжение программы –0,6 13,5 В

1. Минимальное напряжение может опускаться до –2 В во время перехода и менее 20 нс во время переходов.

2. Максимальное напряжение может превысить VCC +2 В во время перехода и менее чем за 20 нс во время перехода.

3. ВППне должен оставаться под напряжением 12 В более 80 часов.

 

Пакеты

 

 

Логическая схема

 

 

TSOP-соединения

 

 

Соединения TFBGA48(Вид сверху через упаковку)

 

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs