Новые и оригинальные флэш-памяти платформы с внутрисистемной программируемой конфигурацией PROM XCF32PVOG48C
programming ic chips
,ic programmer circuit
Программируемые внутрисистемные программируемые конфигурационные флэш-память платформы
Функции
• Программируемые в системе PROM для конфигурации Xilinx® FPGA
• Процесс флэш-памяти Advanced CMOS NOR с низким энергопотреблением
• Срок службы 20 000 циклов программирования/стирания
• Работа во всем диапазоне промышленных температур (от –40°C до +85°C)
• Поддержка стандарта IEEE 1149.1/1532 Boundary-Scan (JTAG) для программирования, прототипирования и тестирования
• Команда JTAG, инициирующая стандартную конфигурацию FPGA
• Возможность каскадирования для хранения более длинных или нескольких битовых потоков
• Выделенный блок питания ввода-вывода для периферийного сканирования (JTAG) (VCCJ)
• Контакты ввода/вывода, совместимые с уровнями напряжения от 1,8 В до 3,3 В
• Поддержка проектирования с использованием программных пакетов Xilinx ISE® Alliance и Foundation™.
• XCF01S/XCF02S/XCF04S
* Напряжение питания 3,3 В
* Последовательный интерфейс конфигурации FPGA
* Доступны в компактных комплектах VO20 и VOG20.
• XCF08P/XCF16P/XCF32P
* Напряжение питания 1,8 В
* Последовательный или параллельный интерфейс конфигурации FPGA
* Доступны в компактных корпусах VO48, VOG48, FS48 и FSG48.
* Технология Design Revision позволяет хранить и получать доступ к нескольким версиям дизайна для настройки
* Встроенный декомпрессор данных, совместимый с передовой технологией сжатия Xilinx
Абсолютные максимальные значения
| Символ | Описание | XCF01S, XCF02S, | СКФ08П, СКФ16П, СКФ32П | Единицы | |
| ВCCINT | Внутреннее напряжение питания относительно GND | от –0,5 до +4,0 | от –0,5 до +2,7 | В | |
| ВССО | Напряжение питания ввода/вывода относительно GND | от –0,5 до +4,0 | от –0,5 до +4,0 | В | |
| ВCCJ | Напряжение питания ввода/вывода JTAG относительно GND | от –0,5 до +4,0 | от –0,5 до +4,0 | В | |
| ВВ | Входное напряжение относительно | ВССО< 2,5 В | от –0,5 до +3,6 | от –0,5 до +3,6 | В |
| ВССО≥ 2,5 В | от –0,5 до +5,5 | от –0,5 до +3,6 | В | ||
| ВТС | Напряжение, подаваемое на High-Z | ВССО< 2,5 В | от –0,5 до +3,6 | от –0,5 до +3,6 | В |
| ВССО≥ 2,5 В | от –0,5 до +5,5 | от –0,5 до +3,6 | В | ||
| ТСТГ | Температура хранения (окружающая) | от –65 до +150 | от –65 до +150 | °С | |
| ТДж | Температура перехода | +125 | +125 | °С | |
Примечания:
1. Максимальное отклонение постоянного тока ниже GND должно быть ограничено либо 0,5 В, либо 10 мА, в зависимости от того, что легче достичь.Во время переходов выводы устройства могут опускаться до –2,0 В или подниматься до +7,0 В при условии, что этот выброс или недоброс длится менее 10 нс и ток форсировки ограничен 200 мА.
2. Нагрузки, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства.Это только рейтинг нагрузки, и функциональная работа устройства в этих или любых других условиях, кроме тех, которые перечислены в разделе «Условия эксплуатации», не подразумевается.Воздействие условий с абсолютными максимальными значениями в течение длительного периода времени отрицательно влияет на надежность устройства.
3. Инструкции по пайке см. в разделе «Упаковка и тепловые характеристики» на сайте www.xilinx.com.
Требования к напряжению питания для сброса при включении питания и отключения питания
| Символ | Описание | XCF01S, XCF02S, | XCF08P, XCF16P, | Единицы | ||
| Мин. | Макс | Мин. | Макс | |||
| ТВКК | ВCCINTвремя нарастания от 0 В до номинального напряжения(2) | 0,2 | 50 | 0,2 | 50 | РС |
| ВССОР | Порог POR для VCCINTпоставлять | 1 | - | 0,5 | - | В |
| ТООР | Задержка сброса OE/RESET после POR(3) | 0,5 | 3 | 0,5 | 30 | РС |
| ВCCPD | Порог отключения питания для VCCINTпоставлять | - | 1 | - | 0,5 | В |
| ТRST | Время, необходимое для запуска сброса устройства, когда VCCINTпитание падает ниже максимального VCCPDпорог | 10 | - | 10 | - | РС |
Примечания:
1. ВCCINT, ВССО,и ВCCJрасходные материалы можно применять в любом порядке.
2. При включении устройству требуется VCCINTисточник питания монотонно подниматься до номинального рабочего напряжения в пределах заданного TВККвремя нарастания.Если источник питания не соответствует этому требованию, устройство может неправильно выполнять сброс при включении питания.
3. Если ВCCINTи ВССОисточники питания не достигают соответствующих рекомендуемых рабочих условий до того, как будет отпущен контакт OE/RESET, тогда данные конфигурации из PROM недоступны на рекомендуемых пороговых уровнях.Последовательность конфигурации должна быть отложена до тех пор, пока оба VCCINTи ВССОдостигли рекомендуемых рабочих условий.
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|