Оригинальная микросхема интегральной схемы в электронике 93LC66A-I/SN 1K-16K Microwire
electronics ic chip
,integrated circuit components
Оригинальная микросхема интегральной схемы в электронике 93LC66A-I/SN 1K-16K Microwire
93LC66A-И/СН
1K-16K Microwire совместимые последовательные EEPROM
Особенность
• Плотность от 1 кбит до 16 кбит
• КМОП-технология с низким энергопотреблением
• Доступны с функцией ORG или без нее: С функцией ORG: - Контакт ORG на логическом уровне Low: 8-битное слово - Контакт ORG на Logic High: 16-битное слово Без функции ORG: - Версия «A»: 8-битное слово - ' B' версия: 16-битное слово
• Контакт включения программы: - Защита от записи для всего массива (только 93XX76C и 93XX86C)
• Самосинхронные циклы стирания/записи (включая автоматическое стирание)
• Автоматический ERAL перед WRAL
• Схема защиты данных включения/выключения
• Стандартный 3-проводной последовательный ввод/вывод
• Сигнал состояния устройства (готов/занят)
• Функция последовательного чтения
• 1 000 000 циклов E/W
• Хранение данных > 200 лет
• Не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS.
• Поддерживаемые диапазоны температур
- Промышленный (I) от -40°C до +85°C
- Автомобильная промышленность (E) от -40°C до +125°C
Описание:
Microchip Technology Inc. поддерживает 3-проводную шину Microwire с низковольтными последовательными электрически стираемыми ППЗУ (EEPROM) с плотностью от 1 до 16 Кбит.Каждая плотность доступна с функцией ORG и без нее и выбирается по номеру заказанной детали.Усовершенствованная технология CMOS делает эти устройства идеальными для приложений с энергонезависимой памятью с низким энергопотреблением.Вся серия устройств Microwire доступна в стандартных корпусах PDIP и SOIC с 8 выводами, а также в более продвинутых корпусах, таких как 8 выводов MSOP, 8 выводов TSSOP, 6 выводов SOT-23 и 8 выводов. ДФН (2х3).Все упаковки не содержат свинца.Схемы выводов (не в масштабе)
Таблица функций контактов
| ИМЯ | ФУНКЦИЯ |
| КС | Выбор чипа |
| КЛК | Часы последовательных данных |
| DL | Последовательный ввод данных |
| ДЕЛАТЬ | Последовательный вывод данных |
| ВСС | Земля |
| ЧП | Включить программу |
| ОРГ | Конфигурация памяти |
| ВКК | Источник питания |
Примечание. Функции ORG и PE доступны не во всех продуктах.
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
| Все параметры применяются в указанных диапазонах, если не указано иное. | VCC = от 1,8 В до 5,5 В Промышленный | |||||
| Парам. Нет. | Символ | Параметр | Мин. | Макс. | Единицы | Условия |
| А1 | ФКЛК | Тактовая частота | —— | 3 2 1 | МГц МГц МГц | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А2 | ТСКХ | Часы самое время | 200 250 450 | —— | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А3 | TCKL | Низкое время часов | 100 200 450 | —— | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А4 | ТКСС | Чип Выберите время установки | 50 100 250 | —— | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А5 | ТСШ | Чип Выберите время удержания | 0 | —— | нс | 1,8 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А6 | TCSL | Чип Выберите низкое время | 250 | —— | нс | 1,8 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А7 | ТДИС | Время настройки ввода данных | 50 100 250 | —— | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А8 | TDIH | Время удержания ввода данных | 50 100 250 | —— | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В |
| А9 | ТПД | Время задержки вывода данных | —— | 100 | нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В, |
| А10 | ТЦЗ | Время отключения вывода данных | —— | 200 250 400 | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В 2,5 В ≤ VCC < 4,5 В 1,8 В ≤ VCC < 2,5 В |
| А11 | ТСВ | Время действия статуса | —— | 200 300 500 | нс нс нс | 4,5 В ≤ VCC < 5,5 В 2,5 В ≤ VCC < 4,5 В 1,8 В ≤ VCC < 2,5 В |
| А12 | Два туалета | Время цикла программы | —— —— —— | 5 6 2 | РС РС РС | Режим стирания/записи 93XX76X/86X (версии AA и LC) 93XX46X/56X/66X (версии AA и LC) 93C46X/56X/66X/76X/86X |
| А13 | Два туалета | |||||
| А14 | ТИК | Время цикла программы | —— | 6 | РС | Режим ERAL, 4,5 В ≤ VCC ≤ 5,5 В |
| А15 | Твл | —— | 15 | РС | Режим WRAL, 4,5 В ≤ VCC ≤ 5,5 В | |
| А16 | —— | Выносливость | 1М | —— | циклы | 25°C, VCC = 5,0 В, (Примечание 2) |
Примечание
1: Этот параметр периодически замеряется и не проверяется на 100 %.
2: Контакты ORG и PE недоступны в версиях «A» и «B».
3: Состояние готовности/занятости должно быть очищено от DO, см. раздел 4.4 «Вывод данных (DO)».
AT25128AN-10SI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
AT25160A-10TI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
AT24C64BN-10SU-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
AT25020AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
AT25040AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
AT25010AN-10SU-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
AT25020AY1-10YI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Память IC 64Kb ТВ 24LC64-I/P (8K x 8) я флэш-память c 400kHz 900ns 8 PDIP Eeprom ²
Флэш-память ЗАПАС IC AT24C512C-SSHD-T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ