Фильтры
Фильтры
Обломок IC флэш-памяти
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ЗАПАС PC48F4400P0VB0EF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR (MLC) Память IC 512 Мбит CFI 52 МГц 110 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC48F4400P0VB0EH НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Memory IC 512 Мбит Параллельный 52 МГц 100 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F640J3F75A НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 64 Мбит Параллельный 75 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36FM-25: ЗАПАС B (D9NCW) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельный 400 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС MT49H8M36FM-33 TR (DQJNS) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельная 300 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F128J3F75A НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 128 Мбит Параллельный 75 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F064M29EWLA НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit Параллельный 60 ns 64-FBGA (11x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F00AP30TFA НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Memory IC 1 Гбит Параллельный 52 МГц 100 нс 64-EasyBGA (8x10)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F128P30BF65A НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 128 Мбит Параллельный 52 МГц 65 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
PC28F128P30TF65B ЗАПАС TR НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 128 Мбит Параллельный 52 МГц 65 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
PC28F128P33TF60E ЗАПАС TR НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 128 Мбит Параллельный 52 МГц 60 нс 64-EasyBGA (8x10)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F256J3F95A НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 256 Мбит Параллельный 95 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F256P30BFA НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 256 Мбит Параллельный 52 МГц 100 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F256P33BFE НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 256 Мбит Параллельный 52 МГц 95 нс 64-EasyBGA (8x10)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F256P33BFA НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 256 Мбит Параллельный 52 МГц 95 нс 64-EasyBGA (8x10)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС PC28F128P33BF60A НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NOR Память IC 128 Мбит Параллельный 52 МГц 60 нс 64-EasyBGA (10x13)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Флэш-память W29N02GVSIAA W29NO2GV {2g бита) NAND обеспечивает решения хранения для врезанных систем с ограниченным космосом, штырей |
Флэш-память NAND (SLC) ИС 2 Гбит Параллельный 25 нс 48-TSOP
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2FG-75 ИТ: ЗАПАС D TR (D9FCP) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти SDRAM 256 Мбит Параллельный 133 МГц 5,4 нс 54-VFBGA (8x14)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT44K16M36RB-107E: (D9PGJ) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
ИС памяти DRAM 576 Мбит Параллельная 933 МГц 8 нс 168-BGA (13,5x13,5)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT44K16M36RB-093E: (D9PFX) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
ИС памяти DRAM 576 Мбит Параллельный 1,066 ГГц 8 нс 168-BGA (13,5x13,5)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT44K16M36RB-125E: (D9PLT) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
ИС памяти DRAM 576 Мбит, параллельная, 800 МГц, 10 нс, 168-BGA (13,5x13,5)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT44K32M18RB-093E: (D9PLZ) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
ИС памяти DRAM 576 Мбит Параллельный 1,066 ГГц 8 нс 168-BGA (13,5x13,5)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2BB-6A: ЗАПАС G (D9NNN) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти SDRAM 256 Мбит Параллельный 167 МГц 5,4 нс 60-FBGA (8x16)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M8A2BB-75: ЗАПАС G (D9FCX) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти SDRAM 128 Мбит Параллельный 133 МГц 5,4 нс 60-FBGA (8x16)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M8A2BB-75 ИТ: ЗАПАС G (D9FCV) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти SDRAM 128 Мбит Параллельный 133 МГц 5,4 нс 60-FBGA (8x16)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT46V128M4BN-5B: ЗАПАС F (D9GBM) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM - ИС памяти DDR 512 Мбит Параллельный 200 МГц 700 пс 60-FBGA (10x12,5)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT46H64M32LFCM-5 ИТ: (D9LBR) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
SDRAM — ИС памяти Mobile LPDDR 2 Гбит, параллельная, 200 МГц, 5 нс, 90-VFBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT46H64M32LFCM-6 ИТ: (D9LBP) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
SDRAM — Мобильная память LPDDR IC 2 Гбит, параллельная, 166 МГц, 5 нс, 90-VFBGA (10x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT29F8G16ABBCAH4-IT: ЗАПАС C TR (NQ301) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NAND Memory IC 8Gbit Parallel 63-VFBGA (9x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС MT45W1MW16PDGA-70 ИТ TR (PW008) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
PSRAM (Pseudo SRAM) Память IC 16Mbit Параллельная 70 нс 48-VFBGA (6x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M32B2F5-7: ЗАПАС G TR (D9FFJ) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти SDRAM 128 Мбит Параллельный 143 МГц 5,5 нс 90-VFBGA (8x13)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT46H16M32LFB5-6 AIT: ЗАПАС C TR (D9QLN) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM - Мобильная память IC 512Mbit LPDDR проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5 ns 90-VF
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFB4-8: ЗАПАС G (D9FHZ) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС MT29C2G24MAAAAHAMD-5 ИТ (JW583) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Память IC 2 Гбит (NAND), 1 Гбит (LPDRAM) Параллельный 200 МГц 130-VFBGA
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC AT24C01C-SSHM-T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 1 Кбит I²C 1 МГц 550 нс 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC AT24C512C-SSHD-T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
² c 1 MHz 550 ns 8-SOIC IC 512Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT24C64BN-10SU-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIC IC 64Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25010AN-10SU-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 1 Кбит SPI 20 МГц 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC AT25010N-10SC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 1 Кбит SPI 3 МГц 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25020AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 2 Кбит SPI 20 МГц 8-MAP (3x4.9)
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25020AY1-10YI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 2 Кбит SPI 20 МГц 8-MAP (3x4.9)
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25040AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 4 Кбит SPI 20 МГц 8-MAP (3x4.9)
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25128AN-10SU-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 128 Кбит SPI 20 МГц 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25128N1-10SC-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 128 Кбит SPI 3 МГц 16-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC AT25128N1-10SI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 128 Кбит SPI 3 МГц 16-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25160A-10TI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT25160AN-10SI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 16 Кбит SPI 20 МГц 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Электронная микросхема ADC121S101CIMF/NOPB НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ НА СКЛАДЕ |
12 сдержанный аналог к входному сигналу 1 SAR SOT-23-6 цифрового преобразователя 1
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
C2012X5R1A475K125AA НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ ЗАПАСЫ |
4,7 мкФ ±10 % 10 В керамический конденсатор X5R 0805 (метрическая система 2012 г.)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
БАС16 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ АКЦИЯ |
|
|
|
|