| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ |
|---|
|
|
TIP3055 транзисторы mosfet наивысшей мощности транзисторов силы кремния NPN
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
|
|
Мосфет силы силовых транзисторов кремния НПН БД135 высоковольтный силовой мосфет двойной силы
|
TRANS NPN 45V 1.5A SOT32-3
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы кремния NPN mosfet силы mosfet высоковольтной силы TIP31C двойные
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 100 v 3 3MHz 40 w до отверстие TO-220
|
|
|
|
|
|
Ток базы 5 транзисторы силы кремния NPN транзистора Pin BD911 3
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
|
|
2SD1047 электронные блоки поставщика Китая транзисторов силы кремния NPN новые & первоначальные
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 12 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P
|
|
|
|
|
|
Транзистор силы кремния NPN isc транзистора Pin 2SC4546 3
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 7 A 10MHz 30 W Through Hole TO-220F
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы кремния NPN транзистора Mosfet силы 2SC2073 с пакетом TO-220
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 1.5 W Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
Собирать силы 65W HFE транзисторов 100V 6A TIP42C двухполярный NPN PNP настоящий
|
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 100 v 6 a 65 w до отверстие TO-220
|
|
|
|
|
|
Напряжение тока сатурации сборника кремния транзисторов 2SD1899 NPN PNP материальное низкое
|
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 60 v 10 a 50 w до отверстие TO-220
|
|
|
|
|
|
Транзистор силы BFS505,115 15V RF, транзистор держателя 18mA 9GHz 150mW поверхностный
|
Держатель SC-70 транзистора NPN 15V 18mA 9GHz 150mW RF поверхностный
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы кремния NPN TIP35C переключая mosfet низкой мощности mosfet силы
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы пластмассы кремния электроники IC обломока интегральной схемаы транзистора BD243C TO-220 комплементарные
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы кремния PNP (применения) усилителя силы 2SA1943
|
Биполярный (BJT) Транзистор PNP 230 В 15 А 30 МГц 150 Вт Сквозное отверстие TO-3P(L)
|
|
|
|
|
|
Новые & первоначальные транзисторы силы кремния PNP, пакет 2SB861 TO-220C
|
Bipolar (BJT) Transistor
|
|
|
|
|
|
Состояние кремния SANKEN транзистора 2SA1295 PNP эпитаксиальное плоскостное совершенно новое первоначальное
|
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 230 v 17 35MHz 200 w до отверстие MT-200
|
|
|
|
|
|
Транзистор кремния NPN транзистора Pin 2SC4883A 3 эпитаксиальный плоскостный, транзистор smd npn
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 120MHz 20 W Through Hole TO-220F
|
|
|
|
|
|
Кремний пластиковое 1.5A SOT-23 NPN MMSS8050-H-TP помещает транзистор
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 25 v 1,5 100MHz держатель SOT-23 625 mW поверхностный
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы кремния транзистора модуля Mosfet силы TIP41C комплементарные
|
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 6 A 65 Вт Сквозное отверстие TO-220
|
|
|
|
|
|
Транзистор MMBT5551 общецелевого усилителя кремния NPN высоковольтный
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 160 v 600 мам 100MHz держатель SOT-23-3 350 mW поверхностный
|
|
|
|
|
|
Новые & первоначальные транзисторы силы 2SD2390 кремния NPN DarliCM GROUPon
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
|
|
|
|
|
|
BCX56-16,147 Power Mosfet IC Транзистор NPN КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 180MHz 1.25 W Surface Mount SOT-89
|
|
|
|
|
|
Транзистор наивысшей мощности 25A транзистора BD249C-S NPN Pin оригинала 3 125W
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3 W Through Hole SOT-93
|
|
|
|
|
|
Транзистор кремния NPN плоскостный RF интегральных схема электроники BFQ67W SOT-23 комплементарный
|
Держатель SC-70 транзистора NPN 10V 50mA 8GHz 300mW RF поверхностный
|
|
|
|
|
|
2N2222A Power Mosfet Transistor NPN переключающие транзисторы ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-18
|
|
|
|
|
|
Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
|
|
|
|
|
|
Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 v 2 держатель DPAK 25MHz 20 w поверхностный
|
|
|
|
|
|
НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ ПЛАСТИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN/PNP BDX34C
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 10 A 70 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
|
|
MJL21193 MJL21194 силовой MOSFET модуль Силовые кремниевые транзисторы
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
|
|
|
|
|
|
Штырь гнезда 3 транзистора TIP105, транзисторы силы кремния PNP DarliCM GROUPon
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 60 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
|
|
Комплементарные транзисторы силы TIP2955 переключая mosfet низкой мощности mosfet силы
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
|
|
Mosfet низкой мощности mosfet силы транзистора силы MJD122G комплементарный DarliCM GROUPon переключая
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
|
|
|
|
|
|
Транзисторы кремния транзистора NPN Mosfet силы MMBTA42LT1G высоковольтные
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
|
|
|
|
|
|
Транзистор транзистора NPN Mosfet силы транзистора силы darliCM GROUPon npn BC548B общецелевой
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 30 v 100 мам 500 mW до отверстие TO-92
|
|
|
|
|
|
Транзистор силы транзистора крутой MOS™ Mosfet силы транзистора силы darliCM GROUPon npn SPA04N60C3XKSA1
|
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
|
|
|
|
|
|
Транзистор Pin кремния 3 триаков, двухнаправленный тиристор BTA16-800BW3G триода
|
TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
N-КАНАЛ MDmesh транзистора Mosfet силы транзистора силы darliCM GROUPon npn STP20NM50FP? MOSFET силы
|
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы IRF3205PBF кремния MOSFET силы HEXFET
|
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
Конфигурация транзисторов силы кремния MOSFET IRF740PBF силы одиночная
|
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
|
|
Модуль BD439 Power Mosfet Пластиковый кремниевый транзистор средней мощности NPN
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
|
|
|
|
|
|
Транзистор TIP102 Mosfet ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLICM GROUPON SILICON POWER
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
|
|
Транзисторы DarliCM GROUPon силы кремния транзистора Mosfet силы TIP122 комплементарные
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
|
|
Переключение средней силы транзисторов силы BD681 NPN DarliCM GROUPon
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 v 4 a 40 w до отверстие SOT-32-3
|
|
|
|
|
|
Mosfet силы транзистора Mosfet силы MJE15032G MJE15033G комплементарный
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 250 v 8 30MHz 50 w до отверстие TO-220
|
|
|
|
|
|
Транзисторы NPN электрический IC кремния BC846B общецелевые
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 65 v 100 мам 300MHz держатель SOT-23-3 350 mW поверхностный
|
|
|
|
|
|
Транзисторы пакета 2SC2482 TO-92 пластиковые (NPN), общецелевой транзистор Npn
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
|
|
|
|
|
|
Транзистор Mosfet силы BCV49, течение сборника транзисторов DarliCM GROUPon кремния NPN высокое
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
|
|
|
|
|
|
Mosfet силы КРЕМНИЯ ZTX653 NPN ПЛОСКОСТНЫЙ (ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ СИЛЫ) переключая
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
|
|
|
|
|
|
2SC4793 (f, m) электроника ICs обломока транзистора 3 Pin откалывают Integarted Circuts
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы 2SC5707 кремния PNP/NPN эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 50 v 8 держатель TP-FA 330MHz 1 w поверхностный
|
|
|
|
|
|
Тип кремния NPN транзистора Mosfet силы mosfet ic силы 2SC2229-Y отраженный тройкой (процесс PCT)
|
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 150 v 50 мам 120MHz 800 mW до отверстие TO-92MOD
|
|
|
|
