Транзисторы силы IRF3205PBF кремния MOSFET силы HEXFET
npn smd transistor
,silicon power transistors
?
• Предварительный процесс
• Технология? Ультра низкое На-сопротивление?
• Динамическая оценка dv/dt?
• рабочая температура 175°C?
• Быстрое переключение?
• Полно расклассифицированная лавина?
• Неэтилированный
Описание
Предварительные MOSFETs силы HEXFET® от международного
Выпрямитель тока использует предварительные методы обработки достигнуть
весьма - низкое на-сопротивление в зону кремния. Это преимущество,
совмещенный с быстрой переключая скоростью и усиливанный
дизайн прибора что MOSFETs силы HEXFET известный
для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и
надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех
коммерчески-промышленные применения на уровнях диссипации силы
до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и
низкая цена пакета TO-220 вносит вклад в свое широкое
принятие в течении индустрии.