Транзисторы силы IRF3205PBF кремния MOSFET силы HEXFET
npn smd transistor
,silicon power transistors
?
• Предварительный процесс
• Технология? Ультра низкое На-сопротивление?
• Динамическая оценка dv/dt?
• рабочая температура 175°C?
• Быстрое переключение?
• Полно расклассифицированная лавина?
• Неэтилированный
Описание
Предварительные MOSFETs силы HEXFET® от международного
Выпрямитель тока использует предварительные методы обработки достигнуть
весьма - низкое на-сопротивление в зону кремния. Это преимущество,
совмещенный с быстрой переключая скоростью и усиливанный
дизайн прибора что MOSFETs силы HEXFET известный
для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и
надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех
коммерчески-промышленные применения на уровнях диссипации силы
до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и
низкая цена пакета TO-220 вносит вклад в свое широкое
принятие в течении индустрии.
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC