Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния
Пластиковые транзисторы силы кремния DarliCM GROUPon комплементарные конструированы для общецелевого усилителя и low−speed переключая применений.
• Высокое увеличение DC настоящее — hFE = 2000 (тип) @ IC = 2,0 Adc
• Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 Vdc (минута) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc
(Минута) — 2N6036, 2N6039
• Передняя склоненная возможность второго нервного расстройства настоящая IS/b = 1,5 Adc @ 25 Vdc
• Монолитовая конструкция с встроенными резисторами Основани-излучателя к умножению LimitELeakage
• Пакет коэффициента TO-225AA Представлени-к-цены Космос-сбережений высокий пластиковый
| Оценка | Символ | Значение | Блок |
|
Напряжение тока 2N6034 Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
Vdc |
|
Напряжение тока 2N6034 Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
Vdc |
| Напряжение тока Emitter−Base | VEBO | 5,0 | Vdc |
|
Течение сборника Непрерывный Пик |
IC |
4,0 8,0 |
Adc Apk |
| Ток базы | IB | 100 | mAdc |
|
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
|
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C |
PD |
1,5 12 |
W mW/°C |
| Диапазон температур соединения работать и хранения | TJ, Tstg | – 65 до +150 | °C |
| Характеристика | Символ | Макс | Блок |
| Термальное сопротивление, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Расширенное подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора.
| Характеристика | Символ | Минута | Макс | Блок |
| С ХАРАКТЕРИСТИК | ||||
|
Напряжение тока Collector−Emitter терпя (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
Vdc |
|
Течение Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
uA |
|
Течение Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
uA |
|
Течение Collector−Cutoff (VCB = 40 Vdc, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Течение Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 Vdc, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ | ||||
|
Увеличение DC настоящее (IC = 0,5 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 4,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15 000 -- |
-- |
|
Напряжение тока сатурации Collector−Emitter (IC = 2,0 Adc, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40) |
VCE (сидел) |
-- -- |
2,0 3,0 |
Vdc |
|
Напряжение тока сатурации Base−Emitter (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40) |
VBE (сидел) | -- | 4,0 | Vdc |
|
Base−Emitter на напряжении тока (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) |
VBE (дальше) | -- | 2,8 | Vdc |
| ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 MHz) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
Емкость выхода (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0,1 MHz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Удар |
-- -- |
200 100 |
pF |
*Indicates JEDEC зарегистрировали данные.
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC