Транзисторы силы кремния PNP (применения) усилителя силы 2SA1943
npn smd transistor
,silicon power transistors
Транзисторы силы 2SA1943 кремния PNP
ОПИСАНИЕ
·С пакетом TO-3PL
·Комплект для того чтобы напечатать 2SC5200
ПРИМЕНЕНИЯ
·Применения усилителя силы
·Порекомендованный для высокого качества аудио 100W
этап выхода усилителя аудио частоты
ПРИКАЛЫВАНИЕ
| PIN | ОПИСАНИЕ |
| 1 | Излучатель |
| 2 |
Сборник; соединенный с устанавливать основание |
| 3 | Основание |
ХАРАКТЕРИСТИКИ Tj=25℃ если не указано иное
| СИМВОЛ | ПАРАМЕТР | УСЛОВИЯ | МИНУТА | ТИП. | МАКС | БЛОК |
| ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) | Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | IC =-50mA; IB =0 | -230 | V | ||
| VCEsat | Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
| VBE | напряжение тока Основани-излучателя | IC =-7A; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
| ICBO | Течение выключения сборника | VCB =-230V; IE =0 | -5 | μA | ||
| IEBO | Течение выключения излучателя | VEB =-5V; IC =0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | Увеличение DC настоящее | IC =-1A; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | Увеличение DC настоящее | IC =-7A; VCE =-5V | 35 | |||
| fT | Частота перехода | IC =-1A; VCE =-5V | 30 | MHz | ||
| УДАР | Емкость выхода сборника | f=1MHz; VCB =-10V | 360 | pF |
классификации hFE-1
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
ПЛАН ПАКЕТА

