Транзистор наивысшей мощности 25A транзистора BD249C-S NPN Pin оригинала 3 125W
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Транзистор наивысшей мощности 25A транзистора BD249C NPN Pin оригинала 3 125W
Транзистор NPN BD249C NPN High−Power
транзисторы high−power для усилителя силы general−purpose и переключая применений.
Особенности
• Оценки ESD: Модель машины, c; > модель человеческого тела 400 v, 3B; > 8000 v
• Эпоксидная смола встречает UL 94 V−0 @ 0,125
• Пакет Pb−Free Available*
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Оценка | Символ | Значение | Блок |
Напряжение тока излучателя − сборника | Vceo | 100 | Vdc |
Напряжение тока − сборника низкопробное | Vcbo | 100 | Vdc |
Напряжение тока − излучателя низкопробное | Vebo | 5,0 | Vdc |
Пик − течения сборника непрерывный (примечание 1) | Ic |
25 40 |
Adc Apk |
− тока базы непрерывное | Ib | 5,0 | Adc |
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C | Pd |
125 1,0 |
W W/°C |
Диапазон температур соединения работать и хранения |
TJ, Tstg |
– 65 до +150 | °C |
Unclamped индуктивная нагрузка | Esb | 90 | mJ |
ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Характеристика | Символ | Макс | Блок |
Термальное сопротивление, Junction−to−Case |
RøJC | 1,0 | °C/W |
Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient |
RøJA | 35,7 | °C/W |
Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор.
Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность
над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевает.
Выдвинутое подвержение к стрессам над порекомендованное
Эксплуатационные режимы могут повлиять на надежность прибора. 1. ИМП ульс
Тест: Ширина ИМПа ульс 300 s, круг обязаностей 2,0%. *