Транзисторы кремния транзистора NPN Mosfet силы MMBTA42LT1G высоковольтные
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MMBTA42LT1G, MMBTA43LT1G
Высоковольтные транзисторы
Кремний NPN
Особенности
• Эти приборы Pb−Free, галоид Free/BFR свободный и RoHS уступчивое
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
| Характеристика | Символ | Значение | Блок |
|
Напряжение тока MMBTA42 Collector−Emitter MMBTA43 |
VCEO |
300 200 |
Vdc |
|
Напряжение тока MMBTA42 Collector−Base MMBTA43 |
VCBO |
300 200 |
Vdc |
|
Напряжение тока MMBTA42 Emitter−Base MMBTA43 |
VEBO |
6,0 6,0 |
Vdc |
| − течения сборника непрерывное | IC | 500 | mAdc |
ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
| Характеристика | Символ | Значение | Блок |
|
Полная доска диссипации FR−5 прибора (Заметьте 1) ЖИВОТИКИ = 25°C Derate над 25°C |
PD |
225 1,8 |
mW mW/°C |
|
Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient |
RθJA |
556 |
°C/W |
|
Полный субстрат глинозема диссипации прибора (Заметьте 2) ЖИВОТИКИ = 25°C Derate над 25°C |
PD |
300 2,4 |
mW mW/°C |
| Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient | RθJA | 417 | °C/W |
| Температура соединения и хранения | TJ, Tstg | −55 до +150 | °C |
Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Расширенное подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора.
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 внутри.
2. Глинозем = 0,4 x 0,3 x 0,024 внутри. глинозем 99,5%.
РАЗМЕРЫ ПАКЕТА
SOT−23 (TO−236)
СЛУЧАЙ 318−08
ВОПРОС AP
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
| LPC4078FBD208 | 2821 | 16+ | QFP208 | |
| LPS331APTR | 6770 | ST | 16+ | LGA16 |
| LPS4012-152MLC | 4955 | COILCRAFT | 08+ | SMD |
| LPS6225-103MLC | 9148 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
| LQG18HNR10J00D | 24000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LQH32CNR47M33L | 113000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQH43MN1R0M03L | 13000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LQW15AN13NG00D | 3000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQW18AN3N9C10D | 16000 | MURATA | 13+ | SMD |
| LQW18ANR22G00D | 12000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQW2BASR15J00L | 61000 | MURATA | 15+ | SMD |
| LQW2BHNR47K03L | 55000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LS4448-GS08 | 20000 | VISHAY | 16+ | LL34 |
| LSM303DLHTR | 10067 | ST | 16+ | LGA |
| LT1004CDR-2-5 | 3519 | TI | 12+ | SOP-8 |
| LT1009IS8#PBF | 7519 | ЛИНЕЙНЫЙ | 14+ | SOP-8 |
| LT1013DIDR | 7843 | TI | 16+ | SOP-8 |
| LT1072CN8 | 8677 | LT | 13+ | DIP-8 |
| LT1085CT-12 | 4387 | LT | 16+ | TO-220 |
| LT1117CST | 1387 | ЛИНЕЙНЫЙ | 15+ | SOT223 |
| LT1373CS8 | 4358 | LT | 13+ | SOP-8 |
| LT1460GIZ-5 | 3179 | LT | 16+ | TO-92 |
| LT1611CS5 | 15029 | LT | 15+ | SOT23-5 |
| LT1764AEQ-1.5#PBF | 4513 | ЛИНЕЙНЫЙ | 14+ | TO-263 |
| LT1764AEQ-1.8#TRPBF | 2400 | LT | 09+ | TO263-5 |
| LT1764AEQ-3.3 | 3962 | LT | 15+ | TO-263 |
| LT1783CS5 | 3598 | LT | 14+ | SOT-153 |
| LT1806CS8 | 3157 | LT | 14+ | SOP |
| LT1931AES5#TRPBF | 4880 | ЛИНЕЙНЫЙ | 06+ | SOT23-5 |
| LT1931ES5#TRPBF | 4368 | ЛИНЕЙНЫЙ | 16+ | SOT23-5 |
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC