Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
power mosfet ic
,silicon power transistors
Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
DPAK для поверхностных применений держателя
ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ
2 АМПЕРА
100 ВОЛЬТ
20 ВАТТ
Конструированный для общецелевой силы и переключать как выход или задающие каскады в применениях как регуляторы переключения, конвертеры, и усилители силы.
Особенности
• Пакеты Pb−Free доступны
• Руководство сформированное для поверхностных применений держателя в пластиковых рукавах (никакой суффикс)
• Прямая версия руководства в суффикс пластиковых рукавов ("−1»)
• Версия сформированная руководством в ленте 16 mm и вьюрке («T4» и суффикс «RL»)
• Электрически подобный популярной серии TIP31 и TIP32
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Оценка | Символ | Макс | Блок |
Напряжение тока Collector−Emitter | VCEO | 100 | Vdc |
Напряжение тока Collector−Base | VCB | 100 | Vdc |
Напряжение тока Emitter−Base | VEB | 5 | Vdc |
− течения сборника непрерывное Пик |
IC |
2 4 |
Adc |
Ток базы | IB | 50 | mAdc |
Диссипация полной силы @ TC = 25°C Derate над 25°C |
PD |
20 0,16 |
W W/°C |
Полные ЖИВОТИКИ Dissipation* силы @ = 25°C Derate над 25°C |
PD |
1,75 0,014 |
W W/°C |
Диапазон температур соединения работать и хранения | TJ, Tstg | −65 до +150 | °C |
Максимальные оценки те значения за которое повреждение прибора может произойти. Максимальные оценки приложили к прибору индивидуальные предельные значения стресса (нормальные эксплуатационные режимы) и инвалидны одновременно. Если эти пределы превышены, то деятельность прибора функциональная не подразумевается, повреждение может произойти и надежность может быть затронута.
ОТМЕЧАТЬ ДИАГРАММЫ
РАЗМЕРЫ ПАКЕТА
DPAK
СЛУЧАЙ 369C
ВОПРОС O
DPAK−3
СЛУЧАЙ 369D−01
ВОПРОС B