Фильтры
Фильтры
Электронные блоки
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
VS-85CNQ015APBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D-61-8 шасси v 40A катода 15 1 пары массива диода общий
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-HFA16PA60CPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 600 v 8A 1 пары массива диода общий (DC) до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля HFA08PB60 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 8A до отверстие TO-247AC доработал
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU220NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 200 v 5A (Tc) 43W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404LPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 162A (Tc) 3.8W (животики), 200W (Tc) до отверстие TO-262
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU3910PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 16A (Tc) 79W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU9024NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 55 v 11A (Tc) 38W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-HFA08SD60STRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 8A поверхностный D-PAK диода 600 (TO-252AA)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля 80CNQ045ASM НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 45 v 40A 1 пары массива диода общий до отверстие D-61-8-SM
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1018EPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 79A (Tc) 110W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF100B201 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 192A (Tc) 441W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1405PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 169A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1407STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 75 v 100A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 200W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1312PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 80 v 95A (Tc) 3.8W (животики), 210W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404ZSTRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель PG-TO263-3 поверхности v 180A N-канала 40 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLB3034PBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 40 В 195A (Tc) 375Вт (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB3036PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 195A (Tc) 380W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB3813PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 260A (Tc) 230W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFD120PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 1.3A (животики) 1.3W (животики) до отверстие 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR3709ZTRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 86A N-канала 30 (Tc) 79W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Высокая толерантность ESD диодный синхронный выпрямитель PTZTE2518B Тип формы малой мощности |
Стабилитрон 18 v 1 держатель PMDS w ±6% поверхностный
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
2SC2712-GR,LF Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Поверхностный монтаж S-Mini
|
ТОШИБА
|
|
|
|
|
|
2SC2712-Y,LF Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Поверхностный монтаж S-Mini
|
ТОШИБА
|
|
|
|
|
|
TIP127 Новый и оригинальный запас |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP - Darlington 100 v 5 a 2 w до отверстие TO-220
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
TIP31C Новый и оригинальный запас |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 100 v 3 a 2 w до отверстие TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
8ETH06 IC для флэш-памяти Новый и оригинальный запас |
Диод 600 В 8А сквозное отверстие TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BCM846SH6327XTSA1 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 65 В 100 мА 250 МГц 250 мВт Поверхностный монт
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
GRM033R71A122KA01D Новый и оригинальный запас |
1200 керамический конденсатор pF ±10% 16V X7R 0201 (0603 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM155R61C105KA12D Высокотемпературный конденсатор Новый и оригинальный |
1 мкФ ±10%, 16 В, керамический конденсатор X5R 0402 (1005 метрических единиц)
|
Мурата
|
|
|