Фильтры
Фильтры
Электронные блоки
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFP264PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 250 v 38A (Tc) 280W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFP460LCPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 20A (Tc) 280W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFPG50PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 1000 v 6.1A (Tc) 190W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFP3206PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 120A (Tc) 280W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFP4710PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 100 v 72A (Tc) 190W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFP7430PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 195A (Tc) 366W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFP22N50APBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 22A (Tc) 277W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFP064VPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 130A (Tc) 250W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BTA06-600BWRG Новый и оригинальный запас |
ТРИАК Alternistor - Snubberless 600 v 6 a до отверстие TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BTA06-600CWRG Новый и оригинальный запас |
ТРИАК Alternistor - Snubberless 600 v 6 a до отверстие TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRF840STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 8A (Tc) 3.1W (животики), (Tc) ² ПАК держателя d поверхности 125W (TO-263)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-ETX0806FP-M3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 8A через пакет отверстия TO-220-2 полный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-ETU1506FP-M3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 15A через пакет отверстия TO-220-2 полный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFH8318TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 27A (животики), 120A (Tc) 3.6W (животики), (Tc) держатель PQFN поверхности 59W (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Ультрабыстрый диод-прямильник мостового типа Avalanche SMD, BYG20J-E3/TR |
Держатель v 1.5A поверхностный DO-214AC диода 600 (SMA)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TLP621-2 IC Chip Integrated Circuit Chip Программа памяти |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 5300Vrms 2 канал 8-DIP
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера |
Диод 1000 v 1A до отверстие DO-41
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A |
Стабилитрон 5,1 v 1 w ±5% до отверстие DO-41
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Поверхностная установка SOT-223-4
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SFH628A-3X001 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 5300Vrms 1 канал 4-DIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SFH615A-2 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 5300Vrms 1 канал 4-DIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-12CWQ10FNTR-M3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диодная матрица 1 пара с общим катодом 100 В 6A для поверхностного монтажа TO-252-3, DPak (2 провода
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SIHP18N50C-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 18A (Tc) 223W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SIHP12N50C-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 12A (Tc) 208W (Tc) через отверстие
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFD110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 1A (животики) 1.3W (животики) до отверстие 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SFH615A-2 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 5300Vrms 1 канал 4-DIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС GBU608 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Стандарт 800 v одиночной фазы выпрямителя по мостиковой схеме до отверстие GBU
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-MUR3020WTPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 200 v 15A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFBG30PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 1000 v 3.1A (Tc) 125W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFBE30PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 800 v 4.1A (Tc) 125W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля V30100C-E3/4W НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 100 v 15A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGS10B60KDTRRP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 22 держатель D2PAK a 156 w поверхностный
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF1407PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 75 v 130A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF1404PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 40 v 202A (Tc) 333W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-MBR6045WTPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 45 v 30A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 2W10G-E4/51 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Стандарт одиночной фазы выпрямителя по мостиковой схеме 1 kV через WOG отверстия
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR1018ETRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 56A N-канала 60 (Tc) 110W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SIHF12N50C-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 12A (Tc) 36W (Tc) через пакет отверстия TO-220 полный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-HFA30PA60CPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 600 v 15A 1 пары массива диода общий (DC) до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR7540TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-PAK поверхности v 90A N-канала 60 (Tc) 140W (Tc) (TO-252AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR3806TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 43A N-канала 60 (Tc) 71W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR5305TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 31A P-канала 55 (Tc) 110W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU120NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 9.4A (Tc) 48W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU5410PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 13A (Tc) 66W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-85CNQ015APBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D-61-8 шасси v 40A катода 15 1 пары массива диода общий
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-HFA16PA60CPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 600 v 8A 1 пары массива диода общий (DC) до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля HFA08PB60 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 8A до отверстие TO-247AC доработал
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU220NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 200 v 5A (Tc) 43W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404LPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 162A (Tc) 3.8W (животики), 200W (Tc) до отверстие TO-262
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU3910PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 16A (Tc) 79W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|