Фильтры
Фильтры
Электронные блоки
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GRM1555C1H2R7CA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
2,7 керамический конденсатор C0G pF ±0.25pF 50V, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H300GA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
Керамический конденсатор 30 pF ± 2% 50V C0G, NP0 0402 (1005 М)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H301JA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
Керамический конденсатор C0G, NP0 0402 (1005 М)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H330GA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
33 pF ± 2% 50V Керамический конденсатор C0G, NP0 0402 (1005 метрический)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H330JA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
33 pF ± 5% 50V Керамический конденсатор C0G, NP0 0402 (1005 М)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H102JA01D Новый и оригинальный запас |
1000 pF ± 5% 50V Керамический конденсатор C0G, NP0 0402 (1005 М)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H390GA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
39 керамический конденсатор pF ±2% 50V C0G, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
TG-5035CJ-33N 38.4000M3 Новый и оригинальный запас |
38.4 MHz TCXO осциллятор 1.7V ~ 3.6V В режиме ожидания (отключение питания) 4-SMD, без свинца
|
ЭПСОН
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС BLM31PG121SN1L НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
120 омов @ шарик феррита 1206 (3216 метрическое) 3.5A линии электропередач 100 MHz 1 20mOhm
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Установка керамического конденсатора 50V C0G NP0 0603 MLCC GRM1885C1H222JA01D 2200pF ±5% |
2200 керамический конденсатор pF ±5% 50V C0G, NP0 0603 (1608 метрическое)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Серия 1206 конденсатора обломока 1000pF CC1206KKX7RDBB102 SMD ±10% 2000V X7R |
1000 керамический конденсатор pF ±10% 2000V (2kV) X7R 1206 (3216 метрическое)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Керамический конденсатор 0402 CL05A474KQ5NNNC 0.47µF ±10% 6.3V X5r для медицинского оборудования |
0,47 керамического конденсатора 6.3V X5R 0402 µF ±10% (1005 метрическое)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
AO4854 Электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
Массив Мосфета 30V 8A 2W Наземная установка 8-SOIC
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
AOD403 Электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
P-Channel 30 V 15A (Ta), 70A (Tc) 2,5W (Ta), 90W (Tc) Наземная установка TO-252 (DPAK)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
AON7405 Электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
P-Channel 30 V 25A (Ta), 50A (Tc) 6.25W (Ta), 83W (Tc) На поверхности установка 8-DFN-EP (3.3x3.3)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
AON7407 Электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
P-Channel 20 V 14.5A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) На поверхности установка 8-DFN-EP (3x3)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
AON7408 Электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
N-Channel 30 V 10A (Ta), 18A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) На поверхности установка 8-DFN-EP (3x3)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
AON7534 Электронный IC чип Новый и оригинальный |
N-Channel 30 V 20A (Ta), 30A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Поверхностная установка 8-DFN-EP (3x3)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
AON7410 электронный IC чип новый и оригинальный |
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 24A (Tc) 3.1W (Ta), 20W (Tc) На поверхности установка 8-DFN-EP (3x3)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGIB10B60KD1P НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 16 a 44 w до отверстие TO-220AB Полно-Пак
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF Транзистор с эффектом поля |
IGBT NPT 600 v 60 a 308 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP20B60PDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 40 a 220 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGB6B60KDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 13 a 90 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP50B60PD1PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 75 a 390 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP50B60PDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 75 a 370 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDSTRRP Транзистор с эффектом поля |
IGBT 600 V 28 A 100 W Наземная установка D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IXTQ130N10T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 130A (Tc) 360W (Tc) до отверстие TO-3P
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFH5300TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канальный 30 В 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 Вт (Ta), 250 Вт (Tc) Монтаж на поверхность 8-PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFIZ44NPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 55 v 31A (Tc) 45W (Tc) до отверстие TO-220AB Полно-Пак
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Транзистор с эффектом поля |
Катод 150 v 30A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 v 18A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-36MB160A Транзистор с эффектом поля |
Стандарт одиночной фазы выпрямителя по мостиковой схеме терминал D-34 QC 1,6 kV
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Поверхностная установка DIRECTFETTM SH
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF Транзистор с эффектом поля |
P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) На поверхности установка 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Наземная установка DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
П-канал 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) поверхностная установка D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 v 9.3A (Tc) 82W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) На поверхности установка DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Поверхностная установка D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 18A N-канала 200 (Tc) 150W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
PC817 Оригинальный микросхема PC817X3NSZ9F C Тип 817 Оптокоплер DIP SHARP |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 5000Vrms 1 канал 4-DIP
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Акселерометр x ADXL356CEZ-RL, y, акселерометры ADI датчиков движения оси z |
Акселерометр x, y, ось ±10g z, ±40g 1Hz | 1kHz 14-CLCC (6x6)
|
АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА
|
|
|
|
|
|
TCS3200D-TR Программируемая интегральная схема световой датчик частоты / напряжения IC |
Цветовой датчик автоматического отключения 8-SOIC (0,154", 3,90 мм ширины)
|
ams-OSRAM
|
|
|
|
|
|
STP110N8F6 Новый и оригинальный запас |
N-канал 80 v 110A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Новый и оригинальный запас |
Диод 100 В 10 А поверхностная установка TO-263AB (D2PAK)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
STW45NM60 Новый и оригинальный запас |
N-канал 650 v 45A (Tc) 417W (Tc) до отверстие TO-247-3
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT120C,115 Новый и оригинальный запас |
Держатель TO-261-4 поверхности v 1A катода 25 1 пары массива диода общий (DC), TO-261AA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP51-16,115 НОВЫЙ И ОРГИНИКАЛЬНЫЙ СТОК |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Поверхностный монтаж SOT-223
|
Nexperia
|
|
|