Фильтры
Фильтры
Электронные блоки
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BT1 - - - - - - - - - - - - - - - - |
SCR 650 V 12 A Стандартная поверхность восстановления DPAK
|
сделанный в фарфоре
|
|
|
|
|
|
BAT54C Электронный IC-чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA катода 30 1 пары массива диода общий (DC), SC-59, SOT-23-3
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Держатель v 200mA поверхностный SOD-323 диода 30
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA соединения серии 30 1 пары массива диода (DC), SC-59, SOT-23-
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
BA595E6327 Электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
ПИН-код радиочастотного диода - один 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAS316 электронный IC чип новый и оригинальный |
Держатель v 250mA поверхностный SOD-323 диода 100
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
BAS40TW-7-F электронный IC чип новый и оригинальный |
Диодный массив 3 Независимый 40 V 200mA (DC) Поверхностная установка 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
BAT46W-7-F Электронный IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Держатель v 150mA поверхностный SOD-123 диода 100
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Держатель v 200mA поверхностный TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 анода 30 1 пары массива диода общий
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
IC для флэш-памяти EMH4T2R Новый и оригинальный запас |
Пре-пристрастный двухполярный транзистор (BJT) 2 NPN - Пре-пристрастный (двойной) держатель EMT6 50V
|
Полупроводники Rohm
|
|
|
|
|
|
2N7002W-7-F электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Поверхностная установка SOT-323
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
2SC2713-BL,LF электронный IC чип новый и оригинальный запас |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Поверхностный монтаж TO-236
|
ТОШИБА
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-HFA25PB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 25A до отверстие TO-247AC доработал
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRL1404PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 160A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGI4061DPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT вскапывают 600 v 20 a 43 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС AUIRFS4010-7TRL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 190A N-канала 100 (Tc) 380W (Tc) (7-Lead)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС TCMT1107 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 3750Vrms 1 канал 4-SOP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 1N5245B-TAP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Стабилитрон 15 v 500 mW ±5% до отверстие DO-35 (DO-204AH)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SUD17N25-165-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 250 v 17A (Tc) 3W (животики), (Tc) держатель TO-252AA поверхности 136W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BC848B переменный индуктор Новый и оригинальный запас Сертификация ROHS |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 30 v 100 мам 100MHz держатель SOT-23 200 mW поверхностный
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
UPA1793G-E1 Новый и оригинальный запас |
Массив Мосфета 20В 3А 2W На поверхности установка 8-PSOP
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
B340Q-13-F Электронный IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Диод 40 В 3A для поверхностного монтажа SMC
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
B160-13-F Электронный IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Диод 60 V 1A на поверхности SMA
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Наземная установка DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) На поверхности установка DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 v 9.3A (Tc) 82W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Поверхностная установка D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Поверхностная установка DIRECTFETTM SH
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF Транзистор с эффектом поля |
P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) На поверхности установка 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
П-канал 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) поверхностная установка D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF Транзистор с эффектом поля |
Диодный массив 1 пара общая катода 100 V 30A через отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 v 18A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 100 v 14A (Tc) 79W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 100 v 23A (Tc) 3.1W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 110W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9362TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель 8-SO массива 30V 8A 2W Mosfet поверхностный
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 100 v 19A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 200 v 11A (Tc) 3W (животики), (Tc) ² ПАК держателя d поверхности 125W (TO-263)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 200 v 11A (Tc) 125W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9358TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель 8-SO массива 30V 9.2A 2W Mosfet поверхностный
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NSTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 55 v 12A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 45W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 200 v 6.5A (Tc) 74W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34NPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 55 v 19A (Tc) 68W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NSTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 100 v 14A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 79W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 55 v 12A (Tc) 45W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9310TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 20A P-канала 30 (Tc) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF Транзистор с эффектом поля |
IGBT 600 v 28 a 100 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDSTRRP Транзистор с эффектом поля |
IGBT 600 V 28 A 100 W Наземная установка D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 100 v 23A (Tc) 140W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9321TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 15A P-канала 30 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|