Фильтры
Фильтры
Электронные обломоки IC
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IXTQ130N10T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 130A (Tc) 360W (Tc) до отверстие TO-3P
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля 6N137 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Канал 1kV/µs CMTI 8-DIP стока 5300Vrms 1 Optoisolator 10MBd выхода логики открытый
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-85CNQ015APBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-61-8 шасси v 40A катода 15 1 пары массива диода общий
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-HFA16PA60CPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 600 v 8A 1 пары массива диода общий (DC) до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля HFA08TB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 В 8А сквозное отверстие TO-220AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1405PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 169A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля HFA08PB60 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 8A до отверстие TO-247AC доработал
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-HFA08SD60STRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 8A поверхностный D-PAK диода 600 (TO-252AA)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля 80CNQ045ASM НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 45 v 40A 1 пары массива диода общий до отверстие D-61-8-SM
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1010EPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 84A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1018EPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 79A (Tc) 110W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF100B201 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 192A (Tc) 441W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1407STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 75 v 100A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 200W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF135S203 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель PG-TO263-3-2 поверхности v 129A N-канала 135 (Tc) 441W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404ZPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 180A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1324S-7PPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 240A N-канала 24 (Tc) 300W (Tc) (7-Lead)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1312PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 80 v 95A (Tc) 3.8W (животики), 210W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404ZSTRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель PG-TO263-3 поверхности v 180A N-канала 40 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404LPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 162A (Tc) 3.8W (животики), 200W (Tc) до отверстие TO-262
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 162A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 200W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB3034PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-Channel 40 В 195A (Tc) 375Вт (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB3036PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 195A (Tc) 380W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB4132PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 78A (Tc) 140W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB3813PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 260A (Tc) 230W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFD120PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 1.3A (животики) 1.3W (животики) до отверстие 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFD110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 1A (животики) 1.3W (животики) до отверстие 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRL8113PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 105A (Tc) 110W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля V30100C-E3/4W НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 100 v 15A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR7540TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-PAK поверхности v 90A N-канала 60 (Tc) 140W (Tc) (TO-252AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR3806TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 43A N-канала 60 (Tc) 71W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR5305TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 31A P-канала 55 (Tc) 110W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU220NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 200 v 5A (Tc) 43W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR3709ZTRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 86A N-канала 30 (Tc) 79W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFR1018ETRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 56A N-канала 60 (Tc) 110W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU5410PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 13A (Tc) 66W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU9120NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 6.6A (Tc) 40W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU9024NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 55 v 11A (Tc) 38W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFU3910PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 16A (Tc) 79W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 2W10G-E4/51 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Стандарт одиночной фазы выпрямителя по мостиковой схеме 1 kV через WOG отверстия
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFZ34NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 29A (Tc) 68W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFZ44VPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 55A (Tc) 115W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFZ24NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 17A (Tc) 45W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFZ44NSTRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 49A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 94W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFZ48NSTRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 64A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 130W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFZ44E НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 48A (Tc) 110W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС APC-817C1-SL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 5000Vrms 1 канал 4-SMD
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 1N4148WS-E3-08 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 150mA поверхностный SOD-323 диода 75
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-12CWQ10FNTRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диодная матрица 1 пара с общим катодом 100 В 6A для поверхностного монтажа TO-252-3, DPak (2 провода
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 25CTQ045 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод одевает катод 45 v 1 пары общий до отверстие TO-220-3
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС LVR055S НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Полимерный взрыватель 240V PTC перестановный (265V Int) 550 мам Ih через отверстие радиальное, диск
|
Производитель
|
|
|