Фильтры
Фильтры
Электронные обломоки IC
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFR7440TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель PG-TO252-3 поверхности v 90A N-канала 40 (Tc) 140W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFR210TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 200 v 2.6A (Tc) 2.5W (животики), (Tc) держатель D-Пак поверхности 25W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFR420ATRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D-Пак поверхности v 3.3A N-канала 500 (Tc) 83W (Tc)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFR320TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 400 v 3.1A (Tc) 2.5W (животики), (Tc) держатель D-Пак поверхности 42W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-80CPQ020PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 20 v 40A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-80CPQ150PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 150 v 40A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLML2502TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 4.2A N-канала 20 (животики) 1.25W (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLML0060TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 2.7A N-канала 60 (животики) 1.25W (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLML6302TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 780mA P-канала 20 (животики) 540mW (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLML0030TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 5.3A N-канала 30 (животики) 1.3W (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля V40150C-E3/4W НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 150 v 20A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля 6N137 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Канал 10kV/µs сборника 2500Vrms 1 Optoisolator 10Mbps выхода логики открытый (тип) CMTI 8-DIP
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
IRF1010EPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
N-канал 60 v 84A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1407PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 75 v 130A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF135S203 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель PG-TO263-3-2 поверхности v 129A N-канала 135 (Tc) 441W (Tc)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404ZPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 180A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1324S-7P НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 240A N-канала 24 (Tc) (7-Lead)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRLB4132PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 78A (Tc) 140W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRL8113PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 105A (Tc) 110W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля FMX-4202S НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Катод 200 v 20A 1 пары массива диода общий через пакет отверстия TO-3P-3 полный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRL3705ZPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 75A (Tc) 130W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9540NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 23A (Tc) 140W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF1404STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 162A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 200W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9530NSTRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 14A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 79W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9Z24NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 55 v 12A (Tc) 45W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9540NSTRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 23A (Tc) 3.1W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 110W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9540PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 19A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9640STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 200 v 11A (Tc) 3W (животики), (Tc) ² ПАК держателя d поверхности 125W (TO-263)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9530NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 100 v 14A (Tc) 79W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля VS-ETH1506S-M3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 15A поверхностный TO-263AB диода 600 (² ПАК d)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF9640PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
P-канал 200 v 11A (Tc) 125W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3808PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 75 v 140A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3710STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 57A N-канала 100 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3205ZPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 75A (Tc) 170W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3710PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 57A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3205PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-Channel 55 В 110A (Tc) 200Вт (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3205STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 110A N-канала 55 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3710ZPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 100 v 59A (Tc) 160W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF3808SPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 106A N-канала 75 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля SIR688DP-T1-GE3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 60 v 60A (Tc) 5.4W (животики), (Tc) держатель PowerPAK® SO-8 поверхности 83W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля 2SB1184-Q-TP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 50 v 3 держатель D-Пак 70MHz 1 w поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля BYG10M-E3/TR НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 1.5A поверхностный DO-214AC диода 1000 (SMA)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF2805PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 55 v 75A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF2804STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 75A N-канала 40 (Tc) 300W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF2807PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 75 v 82A (Tc) 230W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF2907ZPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 75 v 160A (Tc) 300W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF2805STRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель D2PAK поверхности v 135A N-канала 55 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF2804PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 40 v 75A (Tc) 300W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля CYRF69103-40LTXC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IC RF TxRx + ИЗМ MCU общий > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN подвергли пусковая площадка действию
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRFS7530TRLPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель PG-TO263-2 поверхности v 195A N-канала 60 (Tc) 375W (Tc)
|
Infineon
|
|
|