Фильтры
Фильтры
Обломок IC флэш-памяти
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CAT25040P Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
EEPROM память IC 4Kbit SPI 8-PDIP
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
CAT25040S-TE13 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Память IC 4Kbit SPI 10 MHz 40 ns 8-SOIC EEPROM
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
CAT25C08VI IC для флэш-памяти Новый и оригинальный запас |
Память IC 8Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC EEPROM
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
EPCS4SI8N Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ |
|
Intel
|
|
|
|
|
|
CAT25010YI-GT3 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ |
Память IC 1Kbit SPI 8-TSSOP EEPROM
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
GRM033R71E271KA01D Новый и оригинальный запас |
270 керамический конденсатор pF ±10% 25V X7R 0201 (0603 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
TAJC477M002RNJ Новый и оригинальный запас |
Литые танталовые конденсаторы 470 мкФ 2,5 В 2312 (метрическая система 6032) 200 мОм
|
KYOCERA AVX
|
|
|
|
|
|
VS-80CPQ150PBF Транзистор с эффектом поля |
Катод 150 v 40A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/SN флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 4Kbit Microwire 2 MHz 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16800F-6TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S32200C1-6TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5,5 ns 86-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16400J-7TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 143 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS61WV51216BLL-10TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 8Mbit параллельные 10 ns 44-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS62C256AL-45ULI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 45 ns 28-SOP
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS43DR16640B-25DBLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM - DDR2 память IC 1Gbit проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 400 ps 84-TWBGA (8x12.5
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS62LV256AL-45ULI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 45 ns 28-SOP
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16400F-7TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 143 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16400F-6TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16160D-6TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 256Mbit SDRAM проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16400F-7TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 143 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16100C1-7TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 16Mbit SDRAM проходит 143 MHz прошед параллельно параллельно 5,5 ns 50-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16100C1-7TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 16Mbit SDRAM проходит 143 MHz прошед параллельно параллельно 5,5 ns 50-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS41LV16100B-50TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ДРАХМА - память IC 16Mbit параллельные 25 ns 44-TSOP II ЭДО
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS62WV12816BLL-55TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 2Mbit параллельные 55 ns 44-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC b D9PLG НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25: Флэш-память ЗАПАС IC b D9MXP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48H32M16LFB4-75 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC c НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM - Мобильная память IC 512Mbit LPSDR проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC MT49H8M36FM-33 TR НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельная 300 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18CBM-25 ИТ: Запас микросхемы памяти b D9NCK Ic новый и первоначальный |
Память IC 288Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFF4-8: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC MT49H8M36BM-33 TR НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 288Mbit ДРАХМЫ проходит 300 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
Запас обломока флэш-памяти MT49H16M36BM-25IT b новый и первоначальный |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
24LC16BT-I/SN флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIC IC 16Kbit i памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
25LC1024-I/SM флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 1 Мбит SPI 20 МГц 8-SOIJ
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC MT49H8M36BM-18 b D9NCT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM, 288 Мбит, параллельная, 533 МГц, 15 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25: Флэш-память ЗАПАС IC b D9MXP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H32M18CBM-18: ЗАПАС B (D9PPD) НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Микросхема памяти DRAM 576 Мбит, параллельная, 533 МГц, 15 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18BM-25 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC b D9NCG НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 400 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-18 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC b D9PJN НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Микросхема памяти DRAM 576 Мбит, параллельная, 533 МГц, 15 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36FM-25: Флэш-память ЗАПАС IC b D9NCW НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельный 400 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36BM-33 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC b НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 300 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC MT45W2MW16BGB-701 ИТ НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
PSRAM (псевдоSRAM) ИС памяти, 32 Мбит, параллельный, 70 нс, 54-VFBGA (6x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC MT45W1MW16PDGA-70 ИТ TR НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
PSRAM (Pseudo SRAM) Память IC 16Mbit Параллельная 70 нс 48-VFBGA (6x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M8A2BB-75 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти SDRAM 128 Мбит Параллельный 133 МГц 5,4 нс 60-FBGA (8x16)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFB4-8: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75 ИТ: Флэш-память ЗАПАС IC g НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|