Фильтры
Фильтры
Обломок IC флэш-памяти
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TC58NVG1S3ETA00 Новый и оригинальный запас |
ВСПЫШКА - память IC 2Gbit параллельные 25 ns 48-TSOP i NAND (SLC)
|
Kioxia Америка
|
|
|
|
|
|
TE28F320C3TD70A Новый и оригинальный запас |
FLASH - ИС загрузочного блока памяти 32 Мбит Параллельный 70 нс 48-TSOP I
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
TE28F640J3D75A Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Память IC 64 Мбит Параллельный 75 нс 56-TSOP
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
TEF6903AH/V2,557 Новый и оригинальный запас |
- Приемник до полудня RF, FM, PCB WB, поверхностный держатель 80-QFP (14x14)
|
Нордический полупроводник
|
|
|
|
|
|
TE28F160C3BD70A Новый и оригинальный запас |
ВСПЫШКА - Память IC 16Mbit параллельные 70 ns 48-TSOP i блока ботинка
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
ИС памяти SDRAM, 64 Мбит, параллельная, 133 МГц, 5,4 нс, 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2B4-6A :G Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Память IC 256Mbit SDRAM проходит 167 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 IT:G Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFB4-8:G Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
SDRAM — Mobile LPSDR Memory IC 128 Мбит Параллельный 125 МГц 7 нс 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT45W1MW16PDGA-70 IT Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
PSRAM (Pseudo SRAM) Память IC 16Mbit Параллельная 70 нс 48-VFBGA (6x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT45W2MW16BGB-701 ИТ Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
PSRAM (псевдоSRAM) ИС памяти, 32 Мбит, параллельный, 70 нс, 54-VFBGA (6x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
ИС памяти SDRAM 128 Мбит Параллельный 133 МГц 5,4 нс 60-FBGA (8x16)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36BM-33 IT:B Флэш-память IC НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 300 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H64M9BM-25 B D9MXZ Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ СТОК |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36FM-25:B D9NCW Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельный 400 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-18 IT:B D9PJN Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
Микросхема памяти DRAM 576 Мбит, параллельная, 533 МГц, 15 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18BM-25 IT:B D9NCG Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ СТОК |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 400 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18CFM-25:B D9NCM Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 400 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25:B D9MXP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 20 ns 144-ΜBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18FM-25 IT:B D9NCX Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 400 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H32M9FM-25 TR Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
ИС памяти DRAM 288 Мбит, параллельная, 400 МГц, 20 нс, 144 µBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H32M18SJ-25E:B D9MWZ Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ СТОК |
Память IC 576Mbit ДРАХМЫ проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 15 ns 144-FBGA (18.5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36FM-33 TR Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельная 300 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75:G Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 133 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-VFBGA (8x8)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36SJ-25:B D9NCR Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ СТОК |
ИС памяти DRAM 288 Мбит Параллельный 400 МГц 20 нс 144-FBGA (18,5x11)
|
Микрон
|
|
|
|
|
|
AT25320A-10TI-2.7 Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
EEPROM Память IC 32Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT28BV64B-20TU Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ |
ИС памяти EEPROM 64 Кбит Параллельный 200 нс 28-TSOP
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT49BV160DT-70TU Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
ИС флэш-памяти 16 Мбит Параллельный 70 нс 48-TSOP
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT49BV322D-70TU Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ |
ИС флэш-памяти 32 Мбит Параллельный 70 нс 48-TSOP
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT93C66A-10SU-2.7 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Сериал 2 MHz 8-SOIC 3-провода IC 4Kbit памяти EEPROM
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
AT93C86A-10SU-2.7 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
ИС памяти EEPROM 16Kbit 3-Wire Serial 2 MHz 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
BC57E687C-GITB-E4 Флэш-память IC Новый и оригинальный запас |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v2.1 +EDR, 2.4GHz 169-TFBGA класса 2 и 3
|
Qualcomm
|
|
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
² c 400 КГц 900 ns 8-SOIC IC 8Kbit i памяти EEPROM
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
CAT25040P Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
EEPROM память IC 4Kbit SPI 8-PDIP
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
CAT25040S-TE13 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Память IC 4Kbit SPI 10 MHz 40 ns 8-SOIC EEPROM
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
CAT25C08VI IC для флэш-памяти Новый и оригинальный запас |
Память IC 8Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC EEPROM
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
EPCS4SI8N Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ |
|
Intel
|
|
|
|
|
|
CAT25010YI-GT3 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРГИНАЛЬНАЯ |
Память IC 1Kbit SPI 8-TSSOP EEPROM
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
GRM033R71E271KA01D Новый и оригинальный запас |
270 керамический конденсатор pF ±10% 25V X7R 0201 (0603 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
TAJC477M002RNJ Новый и оригинальный запас |
Литые танталовые конденсаторы 470 мкФ 2,5 В 2312 (метрическая система 6032) 200 мОм
|
KYOCERA AVX
|
|
|
|
|
|
VS-80CPQ150PBF Транзистор с эффектом поля |
Катод 150 v 40A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/SN флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
ИС памяти EEPROM 4Kbit Microwire 2 MHz 8-SOIC
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16800F-6TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 128Mbit SDRAM проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S32200C1-6TL НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 166 MHz прошед параллельно параллельно 5,5 ns 86-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS42S16400J-7TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Память IC 64Mbit SDRAM проходит 143 MHz прошед параллельно параллельно 5,4 ns 54-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS61WV51216BLL-10TLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 8Mbit параллельные 10 ns 44-TSOP II
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS62C256AL-45ULI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 45 ns 28-SOP
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS43DR16640B-25DBLI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SDRAM - DDR2 память IC 1Gbit проходит 400 MHz прошед параллельно параллельно 400 ps 84-TWBGA (8x12.5
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IS62LV256AL-45ULI НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 45 ns 28-SOP
|
Интегрированное кремниевое решение
|
|
|