диод SMBJ36CA-E3/52 усмирителя напряжения тока 600W SMB переходный
600W Transient Voltage Suppressor Diode
,SMB Transient Voltage Suppressor Diode
,SMBJ36CA-E3/52
SMBJ36CA-E3/52# Поверхностно-находящиеся подавляющие давление 600 ВтSMB с двумя щиткамиДиодные ТВС
Особенности:
| Максимальное напряжение: | 44.2В |
| Напряжение отключения - Min: | 40 В |
| Максимальное напряжение зажима: | 58.1В |
| Направление: | Двусторонний |
| Рассеивание энергии: | 600 Вт |
| Тип упаковки: | SMB (DO-214AA) |
| Способ установки: | Поверхностный монтаж |
Описание:
SMBJ36CA-E3/52 является частью поверхностного монтажа преходящего подавляющего напряжения
диод с рабочей температурой от -55 °C до +150 °C, с упаковкой DO-214AA.
Эти диоды серии используются в защите чувствительной электроники от переходов напряжения, вызванных индуктивным переключением нагрузки
и освещение на IC.
• Пакет с низким профилем
• Идеально подходит для автоматического размещения
• Стеклянный пассивированный чип-соединение
• Доступно в однонаправленном и двунаправленном режимах
• 600 Вт пиковая мощность импульса с волновой формой 10/1000 мкм, частота повторения (рабочий цикл): 0,01 %
• Отличная способность к зажиманию
• Очень быстрое время отклика
• Низкое сопротивление нагнетания
• Соответствует уровню MSL 1, по J-STD-020, LF максимальный пик 260 °C
• Квалифицированный AEC-Q101 доступен - Автомобильный код заказа: база P/NHE3 или P/NHM3
Механические данные:
Случай:SMB (DO-214AA) Сплавляющее соединение соответствует стандарту воспламеняемости UL 94 V-0 Base P/N-E3 - RoHS-compliant,
База коммерческого класса P/N-M3 - без галогенов, соответствующая требованиям RoHS,
База P/NHE3_X коммерческого класса - соответствует требованиям RoHS и имеет квалификацию AEC-Q101 База P/NHM3_X - без галогена,
Соответствует требованиям RoHS и имеет квалификацию AEC-Q101 (код пересмотра обозначает ′′_X′′, например, A, B, ...)
Терминалы:матобетонные провода, поддающиеся сварке в соответствии с J-STD-002 и JESD 22-B102 E3, M3, HE3,
и суффикс HM3 отвечает требованиям JESD 201 класса 2 для испытания на усы
Полярность:для однонаправленных типов полоса обозначает конец катода, без маркировки для двухнаправленных типов
Устройства для двухнаправленных приложений
Для двунаправленных устройств используется суффикс CA (например, SMBJ10CA).
Типичные применения
Использование в защите чувствительной электроники от переходов напряжения, вызванных индуктивным переключением нагрузки
и освещение на IC, MOSFET, сигнальных линий датчиков для потребительских, компьютерных, промышленных и телекоммуникационных устройств.
Диод переключения SOT23 случая RoHS SOD123 быстрый 1N4148W-E3-08
ДЕРН LL42-GS08 30V 200mA - 80 диодов Schottky сигнала
Напряжение тока VISHAY стойки- пиковой силы ИМПа ульс SMBJ170A-E3/52 600W 17V
Канал IRFP9240PBF Mosfet 12A 200V p силы TO-247 VISHAY
VO0630T Транзистор с эффектом поля
резисторы MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 анти- резистор обломока серы SMD для состояния части тонкого фильма радиосвязи активного
Резистор KOhms ±1% MELF 0207 резистора тонкого фильма MMB02070C1503FB200 150 металлопленочный
Резистор ома 390k SMM02040C3903FB300 MELF 0204, резистор балласта анти- серы автомобильный
Сера 2/5W 0204 анти- 2,2 KOhms резистора 0.4W обломока MMA02040C2201FB300 SMD
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Диод переключения SOT23 случая RoHS SOD123 быстрый 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
|
|
|
|
ДЕРН LL42-GS08 30V 200mA - 80 диодов Schottky сигнала |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
Напряжение тока VISHAY стойки- пиковой силы ИМПа ульс SMBJ170A-E3/52 600W 17V |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
|
|
|
Канал IRFP9240PBF Mosfet 12A 200V p силы TO-247 VISHAY |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO0630T Транзистор с эффектом поля |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
резисторы MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1004FB200 анти- резистор обломока серы SMD для состояния части тонкого фильма радиосвязи активного |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Резистор KOhms ±1% MELF 0207 резистора тонкого фильма MMB02070C1503FB200 150 металлопленочный |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Резистор ома 390k SMM02040C3903FB300 MELF 0204, резистор балласта анти- серы автомобильный |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
|
|
|
|
Сера 2/5W 0204 анти- 2,2 KOhms резистора 0.4W обломока MMA02040C2201FB300 SMD |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|