Напряжение тока VISHAY стойки- пиковой силы ИМПа ульс SMBJ170A-E3/52 600W 17V
производитель:
VISHAY
Описание:
275V держатель DO-214AA диода ТВ струбцины 2.2A Ipp поверхностный (SMBJ)
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
To be negotiated
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
PN:
SMBJ170A-E3/52
Бренды:
VISHAY
Оригинал:
США
Пиковая сила ИМПа ульс :
600W
Напряжение тока стойки-:
17V
Пакет:
SMBJ170A-E3/52 DO-214AA/SMB
Самое интересное:
600W Peak Pulse Power Transistors
,17V Peak Pulse Power Transistors
,SMBJ170A-E3/52 NPN Transistors
Введение
SMBJ170A-E3/52 Пиковая мощность импульса 600 ВтНапряжение при остановке 17В VISHAY
Особенности
Дело: DO-214AA/SMB
Для применения на поверхности с целью оптимизации пространства панели.
Полярность: цветовая полоса обозначает положительный конец (катод), за исключением двунаправленного.
Обычный режим отказа не соответствует переустановленному напряжению или току
Высокотемпературная сварка: 260°C/10 секунд на терминалах.
Терминал: сварный, сварный по MIL-STD-750, Метод 2026.
Общая информация
Серия SMB-H предназначена для защиты чувствительных к напряжению компонентов от
Они обладают превосходной зажимательной способностью, высокой
Сверхмощность перенапряжения, низкий импеданс зенера и быстрое время отклика.
поставляется в YINT Semiconductor's эксклюзивный, экономически эффективный, очень надежный и
идеально подходит для использования в системах связи, автомобильной промышленности, цифровых устройствах управления,
Управление процессом, медицинское оборудование, бизнес-машины, источники питания и многое другое.
другие промышленные/потребительские приложения.
Заявления
Устройства TVS идеально подходят для защиты интерфейсов ввода/вывода,
Автобус VCC и другие уязвимые схемы, используемые в телекоммуникациях, компьютерах, промышленности
и потребительских электронных приложений.
Примечания:
1. Не повторяющийся импульс тока, по графику импульсной волновой формы и дерейтированный выше TA = 25 °C по кривой дерейтирования импульса.
2Соединение терморезистентности с свинцом.
3. 8,3 мс Одночасовой рабочий цикл полусинусовой волны = максимум 4 импульса в минуту (только однонаправленные единицы).
4Однофазный, полуволновой, 60 Гц, сопротивляющая или индуктивная нагрузка.
5VF < 3,5 V для VBR < 200 V и VF < 5,0 V для VBR > 201 V.
Родственные продукты
Диод переключения SOT23 случая RoHS SOD123 быстрый 1N4148W-E3-08
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
ДЕРН LL42-GS08 30V 200mA - 80 диодов Schottky сигнала
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Канал IRFP9240PBF Mosfet 12A 200V p силы TO-247 VISHAY
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO0630T Транзистор с эффектом поля
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
резисторы MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
MMB02070C1004FB200 анти- резистор обломока серы SMD для состояния части тонкого фильма радиосвязи активного
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Резистор KOhms ±1% MELF 0207 резистора тонкого фильма MMB02070C1503FB200 150 металлопленочный
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Резистор ома 390k SMM02040C3903FB300 MELF 0204, резистор балласта анти- серы автомобильный
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
Сера 2/5W 0204 анти- 2,2 KOhms резистора 0.4W обломока MMA02040C2201FB300 SMD
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Усмирители SMAJ5.0A-E3/61 напряжения тока SMA DO-214AC Transzorb переходные
9.2V Clamp 43.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AC (SMA)
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Диод переключения SOT23 случая RoHS SOD123 быстрый 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
|
|
|
|
ДЕРН LL42-GS08 30V 200mA - 80 диодов Schottky сигнала |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
Канал IRFP9240PBF Mosfet 12A 200V p силы TO-247 VISHAY |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO0630T Транзистор с эффектом поля |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
резисторы MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1004FB200 анти- резистор обломока серы SMD для состояния части тонкого фильма радиосвязи активного |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Резистор KOhms ±1% MELF 0207 резистора тонкого фильма MMB02070C1503FB200 150 металлопленочный |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Резистор ома 390k SMM02040C3903FB300 MELF 0204, резистор балласта анти- серы автомобильный |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
|
|
|
|
Сера 2/5W 0204 анти- 2,2 KOhms резистора 0.4W обломока MMA02040C2201FB300 SMD |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Усмирители SMAJ5.0A-E3/61 напряжения тока SMA DO-214AC Transzorb переходные |
9.2V Clamp 43.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AC (SMA)
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs