NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора
производитель:
На полу / на полукатализатор
Описание:
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Поверхностная установка SOT-223-4
Категория:
Электронные блоки
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Напряжение тока Сток-источника:
30 v
Напряжение тока Ворот-источника:
±20 v
Стеките настоящее:
±7.5 a
Диапазон температур работать и хранения:
от -65 до 150 °С
Термальное сопротивление, Соединени-к-Ambien:
42 °C/W
Термальное сопротивление, соединени-к-случай:
12 °C/W
Самое интересное:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Введение
NDT456P Транзистор с эффектом поля в режиме увеличения P-каналов
Особенности
* -7,5 А, -30 В. RDS ((ON) = 0,030 Вт @ VGS = -10 Вт RDS ((ON) = 0,045 Вт @ VGS = -4,5 Вт
* Дизайн ячейки с высокой плотностью для чрезвычайно низкой RDS ((ON)
* Высокая мощность и способность обработки тока в широко используемом пакете поверхностной установки.
Общее описание
Транзисторы с эффектом силового поля в режиме повышения мощности SOT P-Channel изготавливаются с использованием фирменной технологии DMOS с высокой плотностью клеток Fairchild.Этот процесс очень высокой плотности специально разработан, чтобы минимизировать сопротивление в состоянии включения и обеспечить превосходную производительность переключенияЭти устройства особенно подходят для применения низкого напряжения, таких как управление питанием ноутбуков, батарейные схемы и управление двигателями постоянного тока.
| Символ | Параметр | NDT456P | Объекты |
| VDSS | Напряжение источника отвода | -30 | V |
| VГСС | Напряжение порта-источника | ± 20 | V |
| TJ, TSTG | Диапазон температур эксплуатации и хранения | от 65 до 150 | °C |
| RqJA | Термостойкость, соединение с окружающей средой (примечание 1а) | 42 | °C/W |
| RqJC | Термостойкость, соединение с корпусом (примечание 1) | 12 | °C/W |
Родственные продукты
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
TIP127 Новый и оригинальный запас
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
|
|
|
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
|
|
|
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
|
|
|
TIP127 Новый и оригинальный запас |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
20