Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера
Особенность
Конструкция низкого покрытия
Низкое падение напряжения вперед
Низкая обратная утечкаВысокая способность к потоку перенапряжения.
Гарантированная высокотемпературная сварка:
260°C/10 секунд/.375° ((9.5 мм) свинцовая лесная группа при 5 фунтах ((2.3 кг) напряжение
Механические данные
Случай: пластик с формованной пересадкой
poxy: Устойчивый к воздействию пламени UL94V-O
Полярность: цветовая полоса обозначает конец катода
Свинцовое: свинцовое аксиальное покрытие, сжимаемое по методу MIL-STD-202E 208C
Место установки: любое
Вес: 0,012 унции, 0,33 грамма
Максимальные номиналы и электрические характеристики
· При температуре окружающей среды 25оС, если не указано иное · Однофазный, полуволновой, 60 Гц, сопротивляющий или индуктивный заряд · Для емкостного заряда с скоростью тока 20%
| Максимальное напряжение RMS | СИМБОЛЫ | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | ЕДИНСТВО |
| Максимальное блокировочное напряжение постоянного тока |
Вррм |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V |
| Максимальный средний направляемый вперед направленный ток 0,375 ′′ (9,5 мм) свинцовая леCM ГРУФ при TA= 25°C | ВРМ | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Пиковый перегонный ток 8,3 мС с одной половинкой синусовой волны, наложенной на номинальную нагрузку (метод JEDEC) | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V |
| Максимальное мгновенное напряжение вперед @ 1,0A | (Av) | 1.0 | А. | ||||||
|
Максимальное обратное движение постоянного токаTA = 25°C Наблюдение за текущим Блокировка постоянного токаTA=100ВНапряжение на элемент |
Ifsm | 5.0 | μA | ||||||
| Vf | 50 | μA | |||||||
| Максимальный обратный ток при полной нагрузке, средний за весь цикл 0,375 ′′ (9,5 мм) при TL=75°C | Я | 30 | μA | ||||||
| Типичная пропускная способность перехода (примечание 1) | Вj | 13 | μA | ||||||
| Типичное тепловое сопротивление (примечание 2) | RθJA | 50 | °C /w | ||||||
| Диапазон температуры на рабочем стыке | Tj | -55 до +150 | °C | ||||||
| Диапазон температуры хранения | TСТГ | -55 до +150 | °C | ||||||
Примечания:
1Измеряется на частоте 1,0 МГц и применяется обратное напряжение 4,0 В постоянного тока.
2Тепловое сопротивление от соединения к терминалу 6.0 мм2 медные подкладки к каждому терминалу.
3Размер чипа - 40ммх40мм
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора
TIP127 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
|
|
|
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
|
|
|
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
TIP127 Новый и оригинальный запас |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|