Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
1N4728A ~ 1N4764A
Стеклянный пассивированный соединение КИЛИЦОНОВЫЙ ДИОД ЗЕНЕР
СТРАНИЦЫ
• Пакет с низким профилем
• Встроенное облегчение напряжения
• Низкая индуктивность
• Высокотемпературное пайкание: 260°C / 10 секунд на терминалах
• Пластиковая упаковка имеет лабораторную классификацию воспламеняемости 94V-O
• Доступны как обычные, так и свободные от Pb продукты:
Нормально: 80~95% Sn, 5~20% Pb
Без Pb: 98,5% Sn и выше
Механические данные
• Чехлы: Стекло DO-41G / Пластик DO-41
• Эпоксид: 94V-O скоростной огнестойкий
• Терминалы: осевые провода, сварные согласно MIL-STD-202,
• Способ 208 гарантирован • Полярность: цветовая полоса обозначает положительный конец
• Положение установки: Любое
• Вес: 0,012 унции, 0,3 грамма
• Информация о заказах: Суффикс: ?? -G ?? на заказ Сплавленная стеклянная упаковка Суффикс: ?? -P ?? на заказ Сплавленная пластиковая упаковка
• Информация о упаковке B - 1K за коробку Bulk T/R - 5K за 13" бумагу Reel T/B - 2.5K за горизонтальную ленту & коробку боеприпасов
Максимальные номиналы и электрические характеристики
При температуре окружающей среды 25°C, если не указано иное.
| Параметр | символ | Стоимость | единица |
| Мощность D иссипации при TAM b = 25О C | ПТО Т | 1 | 1 Вт * |
| Температура соединения | TJ | 150 | О C |
| Диапазон температуры хранения | TSTG | -55 до + 150 | О C |
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора
TIP127 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
|
|
|
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
|
|
|
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
TIP127 Новый и оригинальный запас |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|