Фильтры
Фильтры
Электронные обломоки IC
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710PBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
N-канал 100 v 57A (Tc) 200W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRF3808PBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
N-канал 75 v 140A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRF3808SPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель D2PAK поверхности v 106A N-канала 75 (Tc) 200W (Tc)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
2SB1184TLP Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 50 v 3 держатель CPT3 70MHz 1 w поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRF2805PBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
N-канал 55 v 75A (Tc) 330W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRF2907ZPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
IRF2907 - ВОЕННОПЛЕННЫЙ N-КАНАЛА 12V-300V
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
CYRF69103-40LTXC Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
IC RF TxRx + ИЗМ MCU общий > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN подвергли пусковая площадка действию
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRFS4321PBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель D2PAK поверхности v 85A N-канала 150 (Tc) 350W (Tc)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRFS4610TRLPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель D2PAK поверхности v 73A N-канала 100 (Tc) 190W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4227TRLPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель D2PAK поверхности v 62A N-канала 200 (Tc) 330W (Tc)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель PG-TO263-3 поверхности v 97A N-канала 100 (Tc) 230W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4010TRLPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель D2PA поверхности v 180A N-канала 100 (Tc) 375W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4010-7PPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель D2PAK поверхности v 190A N-канала 100 (Tc) 380W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SMBJ20A-E3/52 Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
32.4V держатель DO-214AA диода ТВ струбцины 18.5A Ipp поверхностный (SMBJ)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ11CA-E3/52 Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
18.2V держатель DO-214AA диода ТВ струбцины 33A Ipp поверхностный (SMBJ)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ18CA-E3/52 Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
29.2V держатель DO-214AA диода ТВ струбцины 20.5A Ipp поверхностный (SMBJ)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-30ETH06SPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель v 30A поверхностный TO-263AB диода 600 (² ПАК d)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BC847BPN, 165 НОВЫХ И ОРИГИНАЛЬНЫХ ЗАПАСОВ |
Двухполярный транзистор (BJT) одевает NPN, держатель 6-TSSOP PNP 45V 100mA 100MHz 300mW поверхностны
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PMBS3904,215 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ ЗАПАСЫ |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 40 v 100 мам 180MHz держатель TO-236AB 250 mW поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PHKD6N02LT,518 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ НА СКЛАДЕ |
Держатель 8-SO массива 20V 10.9A 4.17W Mosfet поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BC817-40 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 800 мам 100MHz держатель SOT-23-3 310 mW поверхностный (TO-23
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BAS316 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Держатель v 250mA поверхностный SOD-323 диода 100
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BSS123 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ ЗАПАСЫ |
Держатель SOT-23-3 N-канала 100 v 200mA 350mW (животики) поверхностный
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
PMBT3906YS, 115 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) одевает 2 держатель 6-TSSOP PNP (двойного) 40V 200mA 250MHz 350mW пове
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод PBSS5350D НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 50 v 3 100MHz держатель 6-TSOP 750 mW поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод PMBT4403,235 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 40 v 600 мам 200MHz держатель TO-236AB 250 mW поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BCX56-16,135 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 80 v 1 держатель 1,25 180MHz w поверхностный SOT-89
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PESD12VS1UL, 315 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
35V держатель DFN1006-2 диода ТВ струбцины 5A (8/20µs) Ipp поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BZX79-B10,113 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Стабилитрон 10 v 400 mW ±2% до отверстие ALF2
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BCP56 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный держатель SOT-223-4 транзистора (BJT) NPN 80 v 1,2 a 1 w поверхностный
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
BT139-800G, 127 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Стандарт 800 v 16 a ТРИАКА до отверстие TO-220AB
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BSS123 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Держатель v 200mA N-канала 100 (животики) 350mW (животики) поверхностный SOT-23
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод RUSBF110-2 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Полимерный взрыватель 16V 1,1 PTC перестановный Ih через отверстие радиальное, диск
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод PESD1CAN-UX НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
50V держатель SOT-323 диода ТВ струбцины 3A (8/20µs) Ipp поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PUMD3,125 Chip Diode НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Пре-пристрастный двухполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Пре-пристрастный (двойной) держатель 6
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PSMN7R0-100PS, 127 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
N-канал 100 v 100A (Tc) 269W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BC817-40-7-F НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 500 мам 100MHz держатель SOT-23-3 310 mW поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PDTC114YE, 135 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ ЗАПАС |
Пре-пристрастный двухполярный транзистор (BJT) NPN - Пре-пристрастное 50 v 100 мам держатель SC-75 1
|
NXP
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BAV170 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Держатель TO-236-3 поверхности v 125mA катода 85 1 пары массива диода общий (DC), SC-59, SOT-23-3
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BCX51-10,115 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 45 v 1 держатель SOT-89 145MHz 1,3 w поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод PMBT2907AYSX НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) одевает 2 держатель 6-TSSOP NPN (двойного) 60V 600mA 200MHz 550mW пове
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BAV23S НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Держатель v 225mA поверхностный TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 соединения серии 250 1 пары массива диода
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PESD3V3L1BA Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
24V держатель SOD-323 диода ТВ струбцины 20A (8/20µs) Ipp поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PUMD3,135 Chip Diode НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
Пре-пристрастный двухполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Пре-пристрастный (двойной) держатель 6
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BCX55-10,115 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 60 v 1 держатель 1,25 180MHz w поверхностный SOT-89
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
PMEG4005AEA, 115 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Держатель v 500mA поверхностный SOD-323 диода 40
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BCP53-16 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 80 v 1 держатель SOT-223 50MHz 1,6 w поверхностный
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
Чип-диод PUMD9 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Пре-пристрастный двухполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Пре-пристрастный (двойной) держатель 6
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BC817-40 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 800 мам 100MHz держатель SOT-23-3 310 mW поверхностный (TO-23
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Чип-диод BAT54 НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
Держатель v 200mA поверхностный SOT-23 диода 30
|
Производитель
|
|
|