Фильтры
Фильтры
Электронные обломоки IC
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
16CTQ100 Новый и оригинальный запас |
Катод 100 v 8A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLU024NPBF Новый и оригинальный запас |
N-канал 55 v 17A (Tc) 45W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SIRA04DP-T1-GE3 Новый и оригинальный запас |
N-канал 30 v 40A (Tc) 5W (животики), (Tc) держатель PowerPAK® SO-8 поверхности 62.5W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
APT15DQ100KG Новый и оригинальный запас |
Диод 1000 v 15A до отверстие TO-220 [k]
|
Микросхема
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 Новый и оригинальный запас |
N-канал 500 v 20A (Tc) 250W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR220NTRPBF Новый и оригинальный запас |
Держатель D-Пак поверхности v 5A N-канала 200 (Tc) 43W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTRPBF Новый и оригинальный запас |
Держатель D-Пак поверхности v 11A P-канала 55 (Tc) 38W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFB4137PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 300 v 38A (Tc) 341W (Tc) до отверстие TO-220
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR120NTRPBF Новый и оригинальный запас |
Держатель D-Пак поверхности v 9.4A N-канала 100 (Tc) 48W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR3910TRPBF Новый и оригинальный запас |
Держатель D-Пак поверхности v 16A N-канала 100 (Tc) 79W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFU024NPBF Новый и оригинальный запас |
N-канал 55 v 17A (Tc) 45W (Tc) до отверстие IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
FOD2712AR2 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 2500Vrms 1 канал 8-SOIC
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
FOD2712 Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 2500Vrms 1 канал 8-SOIC
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
FOD2742B Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 2500Vrms 1 канал 8-SOIC
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
8ETH06 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 В 8А сквозное отверстие TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IRF7807ZTRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 11A N-канала 30 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IRF7473PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 6.9A N-канала 100 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IRFZ44NPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канальный 55 В 49A (Tc) 94W (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC IRF7853TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 8.3A N-канала 100 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7233 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 9.5A P-канала 12 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
2SC2712-Y, флэш-память ЗАПАС IC LXHF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 50 v 150 мам 80MHz держатель 200 mW поверхностный S-мини
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
3296W-1-500 триммер 3/8" потенциометр утески Trimpot квадрата резистора обломока SMD |
50 омов 0.5W, штырей ПК 1/2W через регулировку поворота минералометаллокерамики 25,0 потенциометра т
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Резистор обломока MOV-14D471KTR ZOV высоковольтный, варистор напряжения тока зависимый повсеместно в отверстие |
470 цепь варистора 1 kA v 4,5 до диск 14mm отверстия
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Состояние кремния SANKEN транзистора 2SA1295 PNP эпитаксиальное плоскостное совершенно новое первоначальное |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 230 v 17 35MHz 200 w до отверстие MT-200
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Сила кремния NPN транзистора C5200 A1943 аудио усилителя 2SC5200 2SA1943 |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 230 v 15 30MHz 150 w до отверстие TO-264
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
Система RF полупроводника электронных блоков NRF52840 QIAA r IC нордическая |
IC RF TxRx + MCU 802.15.4, строки Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 73-VFQFN двойные, который подвергл
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Нордическая система RF полупроводника NRF52832-QFAA-R7 на модуляции обломока GFSK |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN подверг пусковая площадка действию
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Полупроводник ASA ICs приемопередатчика NRF52832-QFAA-R GFSK RF нордический |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth, общий ИЗМ > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN подверг пусковая площадк
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Система RF электронных блоков NRF52832-CIAA-R IC на обломоке |
IC RF TxRx + ИЗМ MCU общий > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 50-XFBGA, WLCSP
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Система RF полупроводника электронных блоков NRF51822-QFAA-R7 IC нордическая |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth, общий ИЗМ > 1GHz Bluetooth v4.0 2.4GHz 48-VFQFN подверг пусковая площадк
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Датчик MPX5010DP давления |
Мужчина датчика 1.45PSI давления (10kPa) дифференциальный - 0,19" трубка (4.93mm), удваивает 0,2 v |
|
NXP
|
|
|
|
|
|
Датчик температуры MLX90614ESFBAA первоначального электропитания запаса MLX90614ESF-BAA-000-TU 3V удаленный внеконтактный ультракрасный |
Датчик температуры цифров, ультракрасное (инфракрасн) -40°C | 85°C 16 b TO-39
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Самое лучшее продавая (новый оригинал) электронные блоки IC MCR100-6G |
SCR 400 В 800 мА Чувствительный затвор через отверстие TO-92 (TO-226)
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
электронные блоки интегральной схемаы новые и первоначальные самые лучшие цены транзистора BZT52C4V7-E3-08 |
Стабилитрон 4,7 v 410 держатель SOD-123 mW ±5% поверхностный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Части электронного блока DFLS1100-7 |
Держатель v 1A поверхностный PowerDI™ 123 диода 100
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
M5Stack ESP32-CAM WiFi BT BLE с доской развития доски ядра ESP32 модуля WIFI камеры OV2640 |
ESP32, OV2640 - доска оценки датчика датчика изображения
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Новый Photocoupler f IC высокоскоростной или привод MOS-FET/IGBT (8-pin SMD) PC923L0YSZ0F |
канал 8-DIP соединения 5000Vrms 1 водителя ворот 600mA оптически
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Интегральная схемаа CC1000PW электронная откалывает приемопередатчик RF низкой мощности одиночного обломока очень |
ИЗМ IC RF TxRx только общий < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP (0,173", ширина 4.40mm)
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
Точности интегральной схемаы LM35DM датчики температуры электронной стоградусные |
Датчик температуры Аналоговый, местный 0°C ~ 100°C 10 мВ/°C 8-SOIC
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
Крышка обломока тантала ic конденсатора C2012X7S2A224K085AE SMD0805 разнослоистая керамическая |
Керамический конденсатор 0,22 мкФ ±10 %, 100 В, X7S 0805 (метрическая система 2012 г.)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
SRN4018-150M SMD Ферритовый шарик НИЗКОПРОФИЛЬНЫЕ СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ |
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока SPW47N60C3FKSA1 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока 1SV305, L3F НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока 1SV323 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока 1SV325, H3F НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока CL10C391JB8NNNC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока CL10C680JB8NNNC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока CL21A106KOQNNNE НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока CL21A226KQQNNNE НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС электронного IC обломока CL21C151JBANNNC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
|
SAMSUNG
|
|
|