Фильтры
Фильтры
Силовой модуль БТИЗ
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRG4PC40WPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
IGBT 600 v 40 a 160 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40UPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
IGBT 600 В 40 А 160 Вт сквозное отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PH40UDPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ В НАЛИЧИИ |
IGBT 1200 v 41 a 160 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
IGBT 1200 v 45 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
IGBT 600 v 55 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
IGBT 600 v 55 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WDPBF Полевой транзистор НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ НА СКЛАДЕ |
IGBT 900 v 51 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP35B60PDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 60 a 308 w до отверстие TO-247AC
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRG4IBC20UDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 600 v 11,4 a 34 w до отверстие TO-220AB Полно-Пак
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRG4PC50KDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 600 v 52 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRG4PC50UDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 600 v 55 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRG4PF50WPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 900 v 51 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRG4PH50UDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 1200 v 45 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRG4PC50UPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 600 v 55 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGIB10B60KD1P НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 16 a 44 w до отверстие TO-220AB Полно-Пак
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP50B60PDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 75 a 370 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP50B60PD1PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 75 a 390 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP20B60PDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 40 a 220 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGP35B60PDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 60 a 308 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGB6B60KDPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 13 a 90 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRGS10B60KDTRRP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT NPT 600 v 22 держатель D2PAK a 156 w поверхностный
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGP4660D-EPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT 600 v 100 a 330 w до отверстие TO-247AD
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGP4062DPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT вскапывают 600 v 48 a 250 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGP4068DPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT вскапывают 600 v 96 a 330 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGI4061DPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT вскапывают 600 v 20 a 43 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRAM136-1061A2 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Участок 600 v модуля IGBT 3 водителя силы 12 29-PowerSSIP модуля, 21 руководство, сформировал руково
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGB4061DPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT вскапывают 600 v 36 a 206 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRGB4062DPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
IGBT вскапывают 600 v 48 a 250 w до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
TPS51916EVM-746 полное DDR2 самец оленя GRM32ER60J107ME20L решения силы памяти DDR3L и DDR4 DDR3 одновременный |
TPS51916 D-CAP™, цель DC/DC D-CAP2™ особенная, поставка 1 памяти ГДР, Не-изолированная доска оценки
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
MPX5010DP IC интегрировало датчик давления кремния на подготовленном сигнале обломока |
Мужчина датчика 1.45PSI давления (10kPa) дифференциальный - 0,19" трубка (4.93mm), удваивает 0,2 v |
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PTH04070WAZ 3-A, макулатурный картон РЕГУЛЯТОРА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВХОДНОГО СИГНАЛА 3.3/5-V РЕГУЛИРУЕМЫЙ электронный |
Не-изолированный конвертер 1 DC DC модуля политика вывел наружу 0,9 | 3.6V 3A 3V - входной сигнал 5.
|
Техасские инструменты
|
|
|
|
|
|
Датчик IC давления MPX5100AP откалывает электронику Китай золотой поставщик IC высокоскоростной МОЖЕТ приемопередатчик |
Датчик 2.18PSI давления | 16.68PSI (| 115kPa) абсолютный мужчина 15kPa - 0,19" трубка 0,2 v (4.93mm)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
Память IC обломока ic программы диода выпрямителя тока IC датчика давления S3B-PH-SM4-TB (ЕСЛИ), то (SN) |
Держатель заголовка соединителя поверхностный, прямоугольное 3 положение 0,079" (2.00mm)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Электроника ICs модуля силы 0878321420 Mosfet откалывает Integarted Circuts |
Положение 0,079" держателя 14 заголовка соединителя поверхностное (2.00mm)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Транзисторы силы кремния модуля силы Mosfet FGL40N120ANDTU комплементарные |
IGBT
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
Модуль силы диода тиристора модуля силы Mosfet FSBB30CH60F умный |
Участок 600 v 30 модуля IGBT 3 водителя силы модуль 27-PowerDIP (1,205", 30.60mm)
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
MOSFET N-канала модуля диода тиристора модуля силы Mosfet IXFN38N100Q2 |
Держатель SOT-227B шасси v 38A N-канала 1000 (Tc) 890W (Tc)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы BSM50GP120BOSA1 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Модуль IGBT 3-фазный инвертор 1200 В 80 A Модуль для монтажа на шасси
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы VS-40HFL60S05 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 В, 40 А, шасси, шпилька DO-203AB (DO-5)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы VS-T70HFL60S05 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 В 70А Монтаж на шасси Д-55
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы FF200R17KE3HOSA1 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1700 В 310 A 1250 Вт Модуль для монтажа на шасси
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы KWD10-1212 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Закрытые преобразователи переменного тока в постоянный 2 Выход 12 В 450 мА, 450 мА Вход 85 ~ 265 В п
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы VS-160MT160KPBF IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Мостовой выпрямитель Трехфазный стандартный 1,6 кВ Монтаж на шасси MT-K
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы DDB6U144N16RBPSA1 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Мостовой выпрямитель, трехфазный, стандартный, 1,6 кВ, монтаж на шасси AG-ECONO2A
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы PS21767 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Модуль драйвера питания IGBT, 3 фазы, 600 В, 30 А, модуль 38-PowerDIP (1,413", 35,90 мм)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы PS21765 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Модуль драйвера питания IGBT, 3 фазы, 600 В, 20 А, модуль 38-PowerDIP (1,413", 35,90 мм)
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы CS241250 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 1200 В 50 А Модуль POW-R-BLOK™ для монтажа на шасси
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы PH150S280-5 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Изолированный выход 5В 30А 200В преобразователя 1 ДК модуля - входной сигнал 400В
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы PH100S280-5 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Изолированный выход 5В 20А 200В преобразователя 1 ДК модуля - входной сигнал 400В
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС модуля силы PF500A-360 IGBT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Закрытые преобразователи переменного тока в постоянный 1 выход 360 В 1,4 А 85 ~ 265 В переменного то
|
Производитель
|
|
|