Новый & первоначальный обломок 256K интегральной схемаы (RAM CY62256LL-70PXC 32K x 8) статический
chip in electronics
,small scale integrated circuits
CY62256
256K (RAM 32K x 8) статический
Особенности
• Быстрый ход
— 55 ns
• Диапазоны температур
— Реклама: 0°C к 70°C
— Промышленный: – 40°C к 85°C
— Автомобильный: – 40°C к 125°C
• Ряд напряжения тока
— 4.5V – 5.5V
• Низкая активная сила и резервная сила
• Легкое расширение памяти с особенностями CE и OE
• TTL-совместимые входы и выходы
• Автоматическая сила-вниз отсеиванный
• CMOS для наивыгоднейшей скорости/силы
• Доступный в Pb свободном от и не Pb свободном от стандартном 28 штыре узкое SOIC, 28 штырь TSOP-1,
28-pin обратный TSOP-1 и 28 пакетов ПОГРУЖЕНИЯ штыря
Функциональное описание
CY62256 высокопроизводительный RAM CMOS статический организованный как слова 32K 8 битами. Легкое расширение памяти обеспечено активным НИЗКИМ обломоком включает (CE) и активный НИЗКИЙ выход позволяет (OE) и водители Три-государства. Этот прибор имеет автоматическую особенность силы-вниз, уменьшая расход энергии 99,9% отсеиванный.
Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ написать разрешающий сигнал (МЫ) контролирует сочинительство/деятельность чтения памяти. Когда CE и МЫ входные сигналы обе НИЗКОЙ, данные на 8 штырях вход-выхода данных (I/O0 через I/O7) написаны в участок памяти обращаться к настоящим моментом адреса на штырях адреса (A0 через A14). Чтение прибора выполнено путем выбирать прибор и включать выходы, CE и НИЗКИЙ УРОВЕНЬ OE активный, пока МЫ остаемся неактивными или ВЫСОКИМИ. В этих условиях, содержание положения обращаться к информацией на штырях адреса присутствует на 8 штырях вход-выхода данных. Позволены, и пишут штыри вход-выхода остаются в высокоимпедансном государстве если обломок не выбран, выходы позволяют (МЫ) ВЫСОКИ.
Блок-схема логики
Конфигурации Pin
Максимальные оценки
(Выше которое полезная жизнь может быть повреждена. Для директив потребителя, не испытанный.)
Температура хранения ................................. – 65°C к +150°C
Температура окружающей среды с
Сила прикладное ............................................. – 55°C к +125°C
Подача напряжения для того чтобы смолоть потенциал
(Pin 28 к Pin 14) .............................................. – 0.5V к +7V
Напряжение тока DC приложенное к выходам
в высоко--Z государстве .................................... – 0.5V до VCC + 0.5V
Ввод напряжения DC ................................ – 0.5V до VCC + 0.5V
Течение выхода в выходы (НИЗКО) ............................. 20 мам
Статическое разрядное напряжение .......................................... > 2001V
(согласно с MIL-STD-883, метод 3015)
Захват настоящий .................................................... > 200 мам
Рабочий диапазон
| Ряд | Температура окружающей среды (ЖИВОТИКИ) | VCC |
| Реклама | 0°C к +70°C | 5V ± 10% |
| Промышленный | – 40°C к +85°C | 5V ± 10% |
| Автомобильный | – 40°C к +125°C | 5V ± 10% |
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|