TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти
производитель:
На полу / на полукатализатор
Описание:
Транзистор оптоизолятора с базовым выходом 7500Впк 1 канал 6-DIP
Категория:
Электронные блоки
Цена:
Negotiation
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Температурный диапазон:
°C -40 до +150
Срок выплаты:
T/T, PayPal, западное соединение
Напряжение:
7V
Настоящий:
1.5А
Пакет:
DIP-6
Пакет фабрики:
трубка
Самое интересное:
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Введение
TIL111M, TIL117M, MOC8100M
Общие цели 6-конечные фототранзисторные оптосцепки
Особенности
■ UL признанный (Файл # E90700)
■ VDE признан (Файл No 102497 для белого пакета)
Добавить вариант V (например, TIL111VM)
Общее описание
Оптокомплекторы MOC8100M, TIL111M и TIL117M состоят из галлиевого арсенида инфракрасного излучающего диода, приводящего к кремниевому фототранзистору в 6-прицепном двойном встроенном пакете..
Заявления
■ Регуляторы питания
■ Цифровые логические входы
■ Входы микропроцессора
■ Системы датчиков приборов
■ Промышленный контроль
| Абсолютные максимальные рейтинги ((1) |
|
TSTG Температура хранения Все -40 до +150 °C
Операционная температура TOPR Все от -40 до +100 °C
Температура свинцовой сварки TSOL Все 260 в течение 10 секунд °C
PD Общее рассеивание мощности устройства @ TA = 25°C
Дерация выше 25°С Все 250 мВт 2,94 мВт/°С
Излучатель Если постоянный ток/средний входный ток Все 60 мА VR обратное входное напряжение
TIL111M 3 V MOC8100M, TIL117M 6 IF ((pk)
Прямой ток ∙ Пик (300μs, 2% рабочего цикла) Все 3 A PD
Дисгипация мощности светодиода @ TA = 25 °C
Все 120 мВт 1,41 мВт/°С
|
Часть запасов
| ERA-5SM+ | 78L08 |
| IRG4BC20UD | BUH515D |
| 24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
| AN7812 | MDM9615M |
| OP747ARUZ | 88E111-B2-NDC2I000 |
| ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ |
| TLP281-4 | ADP1741ACPZ |
| 25LC1024-I/P | WS9221B |
| STK404-130S | LMR62014XMF |
| LM431BCM3X | LM2731XMFX |
| TLV61225DCKR | LM2731XMFX |
| AM28F010A-90JC | MAX14588ETE+ |
| BTS141 | AT24C02D-SSHM-T |
| BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
| 1034SE001 | CX240DS |
| 30023* | DLW21SN900SQ2L |
| 30520* | NLV32T-100J-PF |
| 30536* | AOZ1282CI |
| 30639* | AOZ1282CI |
| NTB60N06T4G | TLE4275KVURQ1 |
| VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
| L9147P | MBRX160-TP |
| APIC-S06 | PS21765 |
| FM28V020-SGTR | KIA78R05PI-CU/P |
| M24256-BWDW6TP | £3500 |
| MCP6002T-I/MS | AD7865ASZ-1 |
| MCP6004T-I/ST | REF02AZ/883 |
| BAS40DW-04-7-F | SNJ54HCT14TK |
| LM317LIPK | REF01AZ/883 |
| HA16107P | LPC2294HBD144 |
| UPC812G | AD620SQ/883B |
| DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
| DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
| M5195BFP | AQW254 |
| Сноска. | TP4056 |
| AD8056ARZ | LNK302DG |
| SN74LV245APWR | LNK302DG |
| SN74LV244ANSR | FB423226T-Y7 |
| TC4049BF | FM24CL16-G |
| D2SB60 | NJM3404AV-TE1 |
| DS90CF363BMT | NJM2119M |
| Сноска. | TMS320VC5402PGE100 |
| SKN240/12 | MC1350DR2 |
| MPU-6050 | LIS331DLHTR |
Родственные продукты
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
TIP127 Новый и оригинальный запас
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Электронный микросхема IC Чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРГИНИАЛЬНЫЙ СТОК |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Электронный микросхема IC чип НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
Мостовой тип диод-прямитель 1N4007 от 50 до 1000 вольт 1,0 ампера |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
|
|
|
Кремниевое стекло Пассивированный 1,0 Вт Зенер диоды Стекло Пассивированное соединение Кремниевое Зенер диод 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
|
|
|
NDT456P Ректификаторный диод P-канала режима усиления поля эффекта транзистора |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
TIP127 Новый и оригинальный запас |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs