Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > FM25V02-G электронный IC откалывает память 256Kb серийную 3V F-RAM

FM25V02-G электронный IC откалывает память 256Kb серийную 3V F-RAM

производитель:
Производитель
Описание:
Память IC 256Kbit SPI 40 MHz 8-SOIC FRAM (Ferroelectric RAM)
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Напряжение тока электропитания:
2,0 до 3,6 v
Резервное течение:
μA 90
Течение режима сна:
μA 5
Входная утечка настоящая:
μA ±1
Течение утечки выхода:
μA ±1
Температура хранения:
-55°C к + 125°C
Самое интересное:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Введение

FM25V02

память 256Kb серийная 3V F-RAM

Особенности

RAM бита 256K Ferroelectric слаболетучий

  • Организованный как 32 768 x 8 битов
  • Высокая выносливость 100 триллион (1014) прочитала/пишет
  • Удерживание 10 данным по года
  • NoDelay™ пишет
  • Процесс предварительной Высоко-надежности Ferroelectric

Очень быстрый серийный периферийный интерфейс - SPI

  • До 40 MHz частоты
  • Сразу замена оборудования для серийной вспышки
  • Режим 0 & 3 SPI (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

Напишите схему защиты

  • Предохранение от оборудования
  • Предохранение от программного обеспечения

ID и серийный номер прибора

  • ID прибора читает вне ID изготовителя & ID части
  • Уникальный серийный номер (FM25VN02)

Низшее напряжение, низкая мощность

  • Деятельность 2.0V низшего напряжения – 3.6V
  • течение положения боевой готовности 90 μA (тип.)
  • течение режима сна 5 μA (тип.)

Конфигурации индустриального стандарта

  • Промышленная температура -40℃ к +85℃
  • пакет /RoHS SOIC «зеленого цвета 8-pin»
  • пакет /RoHS TDFN «зеленого цвета 8-pin»

Описание

FM25V02 энергонезависимая память 256 килобитов используя предварительный ferroelectric процесс. Ferroelectric оперативное запоминающее устройство или F-RAM слаболетучи и выполняют читают и пишут как RAM. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 10 лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и проблемы надежности системного уровня причиненные серийными внезапными и другими энергонезависимыми памятями.

Не похож на серийную вспышку, FM25V02 выполняет для записи деятельности на скорости автобуса. Никакой напишите задержки произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после они были возвращены к прибору. Следующий цикл автобуса может начать без потребности для полинга данных. Продукт предлагает очень высоко написать выносливость, порядки величины больше выносливости чем серийная вспышка. Также, F-RAM показывает более низкий расход энергии чем серийная вспышка.

Эти возможности делают идеал FM25V02 для требования применений энергонезависимой памяти частый или быстрый пишет или деятельность низкой мощности. Примеры выстраивают в ряд от сбора данных, где номер пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным контролям где длинные пишут время серийной вспышки могут причинить потерю данных.

FM25V02 снабжает существенные преимущества потребители серийной вспышки как оборудование падени-в замене. Приборы используют высокоскоростной автобус SPI, который увеличивает высокоскоростное пишет возможность технологии F-RAM. FM25VN02 предложено с уникальным серийным номером который доступен только для чтения и может быть использован для того чтобы определить доску или систему. Оба прибора включают доступный только для чтения ID прибора который позволяет хозяину определить изготовитель, плотность продукта, и изменение продукта. Приборы гарантированы над промышленным диапазоном температур -40°C к +85°C.

Абсолютный максимум оценок

Символ Описание Оценки
VDD Напряжение тока электропитания по отношению к VSS -1.0V к +4.5V
VIN Напряжение тока на любом штыре по отношению к VSS -1.0V к +4.5V и VIN< V=""> DD+1.0V
TSTG Температура хранения -55°C к + 125°C
TLEAD Секунд температуры руководства (паяя, 10) 260°C
VESD

Электростатическое разрядное напряжение

- Модель человеческого тела (AEC-Q100-002 Rev. E)

- Порученная модель прибора (AEC-Q100-011 Rev. B)

- Модель машины (AEC-Q100-003 Rev. E)

1kV

1.25kV

200V

Уровень чувствительности влаги пакета MSL-1

Стрессы над теми перечисленными под абсолютным максимумом оценок могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса только, и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий над теми перечисленными в рабочем разделе этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму условий оценок на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.

Конфигурация Pin

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд D/C Пакет
FDN358P 58000 ФЭЙРЧАЙЛД 16+ SOT-23
FDN5630-NL 83000 ФЭЙРЧАЙЛД 16+ SOT-23
FDPF14N30 5507 ФЭЙРЧАЙЛД 09+ TO-220F
FDS3672 5282 ФЭЙРЧАЙЛД 14+ SOP-8
FDS4435BZ 16331 ФЭЙРЧАЙЛД 15+ SOP-8
FDS4935BZ 9357 ФЭЙРЧАЙЛД 14+ SOP-8
FDS6576 20788 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ SOP-8
FDS6681Z 6161 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ SOP-8
FDS6699S 20859 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ SOP-8
FDS8978 18516 ФЭЙРЧАЙЛД 09+ SOP-8
FDS9431A 9728 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ SOP-8
FDS9945-NL 9799 ФЭЙРЧАЙЛД 12+ SOP-8
FDV301N 12000 FSC 16+ SOT23-5
FDV304P 86000 ФЭЙРЧАЙЛД 15+ SOT-23
FEP16DT 8008 VISHAY 11+ TO-220
FEP16GT 12410 FSC 16+ TO-220
FERD30M45CT 6132 ST 15+ TO-220AB
FES16JT 12481 VISHAY 13+ TO-220
FGA25N120ANTD 5228 FSC 15+ TO-3P
FGH40N60SMDF 5808 ФЭЙРЧАЙЛД 16+ TO-247
FGH40N60UFD 8213 ФЭЙРЧАЙЛД 15+ TO-247
FGH60N60SFD 4835 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ SOP-8
FGH60N60UFD 4764 FSC 16+ TO-247
FGL40N120AND 7142 ФЭЙРЧАЙЛД 16+ TO-264
FJE3303H2TU 14485 ФЭЙРЧАЙЛД 07+ TO-126
FLZ2V2A 20000 FSC 15+ LL34
FLZ3V6A 7000 FSC 12+ LL34
FM18W08-SGTR 4627 КИПАРИС 11+ SOP-28
FM24CL64B-GTR 1578 КИПАРИС 16+ SOP-8
FM24W256-GTR 7533 КИПАРИС 14+ SOP-8

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
20pcs