FM25V02-G электронный IC откалывает память 256Kb серийную 3V F-RAM
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
FM25V02
память 256Kb серийная 3V F-RAM
Особенности
RAM бита 256K Ferroelectric слаболетучий
- Организованный как 32 768 x 8 битов
- Высокая выносливость 100 триллион (1014) прочитала/пишет
- Удерживание 10 данным по года
- NoDelay™ пишет
- Процесс предварительной Высоко-надежности Ferroelectric
Очень быстрый серийный периферийный интерфейс - SPI
- До 40 MHz частоты
- Сразу замена оборудования для серийной вспышки
- Режим 0 & 3 SPI (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)
Напишите схему защиты
- Предохранение от оборудования
- Предохранение от программного обеспечения
ID и серийный номер прибора
- ID прибора читает вне ID изготовителя & ID части
- Уникальный серийный номер (FM25VN02)
Низшее напряжение, низкая мощность
- Деятельность 2.0V низшего напряжения – 3.6V
- течение положения боевой готовности 90 μA (тип.)
- течение режима сна 5 μA (тип.)
Конфигурации индустриального стандарта
- Промышленная температура -40℃ к +85℃
- пакет /RoHS SOIC «зеленого цвета 8-pin»
- пакет /RoHS TDFN «зеленого цвета 8-pin»
Описание
FM25V02 энергонезависимая память 256 килобитов используя предварительный ferroelectric процесс. Ferroelectric оперативное запоминающее устройство или F-RAM слаболетучи и выполняют читают и пишут как RAM. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 10 лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и проблемы надежности системного уровня причиненные серийными внезапными и другими энергонезависимыми памятями.
Не похож на серийную вспышку, FM25V02 выполняет для записи деятельности на скорости автобуса. Никакой напишите задержки произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после они были возвращены к прибору. Следующий цикл автобуса может начать без потребности для полинга данных. Продукт предлагает очень высоко написать выносливость, порядки величины больше выносливости чем серийная вспышка. Также, F-RAM показывает более низкий расход энергии чем серийная вспышка.
Эти возможности делают идеал FM25V02 для требования применений энергонезависимой памяти частый или быстрый пишет или деятельность низкой мощности. Примеры выстраивают в ряд от сбора данных, где номер пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным контролям где длинные пишут время серийной вспышки могут причинить потерю данных.
FM25V02 снабжает существенные преимущества потребители серийной вспышки как оборудование падени-в замене. Приборы используют высокоскоростной автобус SPI, который увеличивает высокоскоростное пишет возможность технологии F-RAM. FM25VN02 предложено с уникальным серийным номером который доступен только для чтения и может быть использован для того чтобы определить доску или систему. Оба прибора включают доступный только для чтения ID прибора который позволяет хозяину определить изготовитель, плотность продукта, и изменение продукта. Приборы гарантированы над промышленным диапазоном температур -40°C к +85°C.
Абсолютный максимум оценок
Символ | Описание | Оценки |
VDD | Напряжение тока электропитания по отношению к VSS | -1.0V к +4.5V |
VIN | Напряжение тока на любом штыре по отношению к VSS | -1.0V к +4.5V и VIN< V=""> DD+1.0V |
TSTG | Температура хранения | -55°C к + 125°C |
TLEAD | Секунд температуры руководства (паяя, 10) | 260°C |
VESD |
Электростатическое разрядное напряжение - Модель человеческого тела (AEC-Q100-002 Rev. E) - Порученная модель прибора (AEC-Q100-011 Rev. B) - Модель машины (AEC-Q100-003 Rev. E) |
1kV 1.25kV 200V |
Уровень чувствительности влаги пакета | MSL-1 |
Стрессы над теми перечисленными под абсолютным максимумом оценок могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса только, и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий над теми перечисленными в рабочем разделе этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму условий оценок на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.
Конфигурация Pin
Предложение запаса (горячее надувательство)
Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
FDN358P | 58000 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | SOT-23 |
FDN5630-NL | 83000 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | SOT-23 |
FDPF14N30 | 5507 | ФЭЙРЧАЙЛД | 09+ | TO-220F |
FDS3672 | 5282 | ФЭЙРЧАЙЛД | 14+ | SOP-8 |
FDS4435BZ | 16331 | ФЭЙРЧАЙЛД | 15+ | SOP-8 |
FDS4935BZ | 9357 | ФЭЙРЧАЙЛД | 14+ | SOP-8 |
FDS6576 | 20788 | ФЭЙРЧАЙЛД | 13+ | SOP-8 |
FDS6681Z | 6161 | ФЭЙРЧАЙЛД | 13+ | SOP-8 |
FDS6699S | 20859 | ФЭЙРЧАЙЛД | 13+ | SOP-8 |
FDS8978 | 18516 | ФЭЙРЧАЙЛД | 09+ | SOP-8 |
FDS9431A | 9728 | ФЭЙРЧАЙЛД | 13+ | SOP-8 |
FDS9945-NL | 9799 | ФЭЙРЧАЙЛД | 12+ | SOP-8 |
FDV301N | 12000 | FSC | 16+ | SOT23-5 |
FDV304P | 86000 | ФЭЙРЧАЙЛД | 15+ | SOT-23 |
FEP16DT | 8008 | VISHAY | 11+ | TO-220 |
FEP16GT | 12410 | FSC | 16+ | TO-220 |
FERD30M45CT | 6132 | ST | 15+ | TO-220AB |
FES16JT | 12481 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
FGA25N120ANTD | 5228 | FSC | 15+ | TO-3P |
FGH40N60SMDF | 5808 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | TO-247 |
FGH40N60UFD | 8213 | ФЭЙРЧАЙЛД | 15+ | TO-247 |
FGH60N60SFD | 4835 | ФЭЙРЧАЙЛД | 13+ | SOP-8 |
FGH60N60UFD | 4764 | FSC | 16+ | TO-247 |
FGL40N120AND | 7142 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | TO-264 |
FJE3303H2TU | 14485 | ФЭЙРЧАЙЛД | 07+ | TO-126 |
FLZ2V2A | 20000 | FSC | 15+ | LL34 |
FLZ3V6A | 7000 | FSC | 12+ | LL34 |
FM18W08-SGTR | 4627 | КИПАРИС | 11+ | SOP-28 |
FM24CL64B-GTR | 1578 | КИПАРИС | 16+ | SOP-8 |
FM24W256-GTR | 7533 | КИПАРИС | 14+ | SOP-8 |

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
![]() |
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
![]() |
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
![]() |
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
![]() |
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
![]() |
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
![]() |
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
![]() |
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
![]() |
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|