HIP6501ACBZ-T электронный IC откалывает тройной линейный регулятор силы

Предложение запаса (горячее надувательство)

HIP6501A

Тройной линейный регулятор силы с интерфейсом управлением ACPI

HIP6501A, спаренное с или HIP6020 или HIP6021, упрощает вставку ACPI-уступчивых дизайнов в прикладных программах для компьютера микропроцессора и. IC интегрирует 2 линейных регулятора и низкоточного транзистор пропуска, так же, как контроль и функции управления в 16 пакет штыря SOIC.

Один линейный регулятор производит самолет напряжения тока 3.3VDUAL от выхода 5VSB электропитания ATX во время государств сна (S3, S4/S5), приводя слоты в действие PCI через внешний транзистор пропуска, как проинструктировано состоянием 3.3VDUAL включите штырь. Дополнительный транзистор пропуска использован для того чтобы переключить в выходе ATX 3.3V для деятельности PCI во время (активных) operatingstates S0 и S1.

Второй линейный регулятор поставляет силу памяти 2.5V/3.3V компьютерной системы через внешний транзистор пропуска в активизированных состояниях. Во время государства S3, интегрированный транзистор пропуска поставляет силу сн-государства 2.5V/3.3V. Силы третьи регулятора вверх самолет 5VDUAL путем переключать в выходе ATX 5V в активизированных состояниях, или ATX 5VSB в государствах сна.

Работающий режим HIP6501A (выходы активизированного состояния или выходы сн-государства) дискретный через 2 штыря контроля: S3 и S5. Более дальнеиший контроль активации логики управляя различных режимов силы предложен через 2 позволяя штыря: EN3VDL и EN5VDL. В активизированных состояниях, линейный регулятор 3.3VDUAL использует внешний MOSFET пропуска N-канала для того чтобы соединить выход (VOUT₁)сразусвходным сигналом3.3VпоставленнымэлектропитаниемATX(илиэквивалента), покапроизводящминимальныепотери.

В государстве сна, выход 3.3VDUAL поставлен от ATX 5VSB через транзистор NPN, также внешний к регулятору. Подача энергии активизированного состояния для выхода 2.5/3.3VMEM сделана через внешний транзистор NPN, или переключатель NMOS для установки 3.3V. В государствах сна, кондукция на этом выходе возвращена к внутреннему транзистору пропуска. Выход 5VDUAL приведен в действие через 2 внешних транзистора MOS.

В государствах сна, транзистор PMOS (или PNP) проводит течение от выхода ATX 5VSB, пока в активизированных состояниях, настоящая подача перенесен к транзистору NMOS соединенному с выходом ATX 5V. Подобный выходу 3.3VDUAL, деятельность выхода 5VDUAL продиктована не только состоянием штырей S3 и S5, но этим из штыря EN5VDL также.

Особенности

• Обеспечивает 3 контролируемых ACPI напряжения тока

- 5V активное/сон (5VDUAL)

- 3.3V активное/сон (3.3VDUAL)

- 2.5V/3.3V активное/сон (2.5VMEM)

• Простой дизайн контроля

- Никакая компенсация не требовала

• Превосходная стабилизация напряжения выхода

- 3.3VDUAL вывело наружу: ±2.0% над температурой; Государства сна только

- 2.5V/3.3V вывело наружу: ±2.0% над температурой; Оба рабочих государства (установка 3.3V во сне единственном)

• Фиксированные напряжения тока выхода не требовать никаких резисторов точности внешних

• Небольшой размер

- Небольшой внешний компонентный отсчет

• Дискретное напряжение тока выхода 2.5VMEM через Pin FAULT/MSEL

- 2.5V для памяти RDRAM

- 3.3V для памяти SDRAM

• Контроль недонапряжения всех выходов с централизованный ОШИБАЕТСЯ отчетность

• Регулируемая функция Мягк-начала исключает возмущения 5VSB

• Pb свободное от доступное (RoHS уступчивое)

Абсолютный максимум оценок

Подача напряжения, v_5VSB………………………… +7.0V

12V. …………………………. GND - 0.3V к +14.5V

DLA, DRV2…………………. .GND - 0.3V к V12V +0.3V

Все другие штыри. ………………. .GND - 0.3V к 5VSB + 0.3V

Классификация ESD………………………. Класс 3 [5kV]

Порекомендованные эксплуатационные режимы

Подача напряжения, v_5VSB……………………… +5V ±5%

Вторичное напряжение смещения, v_12V. ………………. +12V ±10%

Цифровые входные сигналы, ПРОТИВ₃, ПРОТИВ₅, VEN_3VDL, VEN_5VDL……… .0 к +5.5V

Температурная амплитуда температуры окружающей среды. ………………. 0°C к 70°C

Диапазон температур соединения. ………………. 0°C к 125°C

Термальная информация

Термальное сопротивление (типичное, примечание 1) θJA (°C/W)

Пакет SOIC………………………. 100

Максимальная температура соединения…………………. 150°C

Максимальный диапазон температур хранения. ………. - 65°C к 150°C

Максимальная температура руководства (паяя 10s)…………. 300°C

(SOIC - подсказки руководства единственные)

ПРЕДОСТОРЕЖЕНИЕ: Стрессы над теми перечисленными в «абсолютном максимуме оценок» могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса единственная и не подразумевается деятельность прибора на этих или всех других условий над теми показанными в рабочих разделах этой спецификации.

ПРИМЕЧАНИЕ: 1. θJA измерено с компонентом установило на доске ПК оценки в свободном воздухе.

Блок-схема