IRF640NSTRLPBF выдвинуло технологический прочесс общий ic откалывает цифровые цепи ic
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Список ЗАПАСА
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | НА | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | SOT | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | МОДУЛЬ |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | МОДУЛЬ |
| 7MBR50SB120 | 230 | ФУДЗИ | 12+ | МОДУЛЬ |
| MAX209EWG | 7850 | СЕНТЕНЦИЯ | 14+ | SOP |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | НА | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | НА | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | ЦИРРУС | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | РЕШЕТКА | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | НА | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | МОДУЛЬ |
| 6RI100E-080 | 958 | ФУДЗИ | 15+ | МОДУЛЬ |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | МОДУЛЬ |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ОБЪЯВЛЕНИЕ | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | МОДУЛЬ |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | МОДУЛЬ |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
MOSFET силы HEXFET®
? ►Предварительный процесс
►Технология? Динамическая оценка dv/dt?
►рабочая температура 175°C?
►Быстрое переключение?
►Полно расклассифицированная лавина?
►Легкость проходить параллельно?
►Простые требования к привода
►? Неэтилированный
Описание
MOSFETs силы пятого поколения HEXFET® от международного выпрямителя тока используют предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.
D2Pak поверхностный пакет силы держателя способный на приспосабливать, который нужно умереть размеры до HEX-4. Оно обеспечивает возможность самой высокой силы и предельно низкое onresistance в любом существующем поверхностном пакете держателя. D2Pak соответствующее для сильнотоковых применений из-за своего низкого внутреннего сопротивления соединения и может рассеять до 2.0W в типичном поверхностном применении держателя.
Версия через-отверстия (IRF640NL) доступна для lowprofile применения
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC