Новый/первоначальный транзистор Mosfet силы NPN ДВУХПОЛЯРНЫЙ 120 вольт 0,5 Amps 2N1893
производитель:
Производитель
Описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Самое интересное:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Введение
| ОЦЕНКА | СИМВОЛ | МАКСИМАЛЬНЫЙ. | БЛОК |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | VCEO | 80 | Vdc |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | VCER | 100 | Vdc |
| Напряжение тока коллектора- база | VCBO | 120 | Vdc |
| Напряжение тока Излучател-основания | VEBO | 7,0 | Vdc |
| Течение сборника - непрерывное | IC | 0,5 | Adc |
| Полная диссипация @ T прибора a = 25oC Derate над 25oC | PD | 0,8 | Ватт mW/oC |
| Полная диссипация @ t прибора c = 25oC Derate над 25oC | PD | 3,0 | Ватт mW/oC |
| Температурная амплитуда рабочей температуры | TJ | -55 до +200 | oC |
| Диапазон температур хранения | TS | -55 до +200 | oC |
| Термальное сопротивление, соединение к окружающему | RqJA | 219 | oC/W |
| Термальное сопротивление, соединение, который нужно покрывать | RqJA | 58 | oC/W |
Механический план
| ХАРАКТЕРИСТИКИ | СИМВОЛ | MIN. | ТИП. | МАКСИМАЛЬНЫЙ. | БЛОК |
| С характеристик | |||||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера (i c = 100 mAdc, RBE = 10 омов) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя (1) (i c = 30 mAdc, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Пробивное напряжение коллектора- база (i c = 100 mAdc, IE = 0) | BV (BR) CBO | 120 | -- | Vdc | |
| Пробивное напряжение Излучател-основания (IE = 100 mAdc, IC = 0) | BV (BR) CBO | 7,0 | -- | ||
| Начальный ток коллектора (V CB = 90 Vdc, IE = 0) (V CB = 90 Vdc, IE = 0, ЖИВОТИКИ = 150o c) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Течение выключения излучателя (VEB = 5,0 Vdc, IC = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| На характеристиках | |||||
| D.C. Настоящее увеличение (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 Vdc) (I c = 10mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) (I c = 10mAdc, VCE = 10 Vdc, ЖИВОТИКИ = -55o c) (1) (I c = 150mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (Sat) | -- | 0,5 | Vdc | |
| Напряжение тока сатурации Основани-излучателя (1) (Ic = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (Sat) | -- | 1,3 | Vdc | |
| Величина небольшого коэффициента пропускного тока короткого замыкания сигнала (I c = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Емкость выхода (V CB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1,0 MHz) | COBO | 5 | 15 | pF | |
| Входное комплексное сопротивление = (i c = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 1.0kHz) | hib | 4,0 | 8,0 | Омы | |
| Коэффициент обратной связи напряжения тока (I c = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 1,0 КГц) | hrb | -- | 1,5 | X 10до4 | |
| Увеличение Небольш-сигнала настоящее (i c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 КГц) (i c = mAdc 5,0, VCB = 10 Vdc, f = 1,0 КГц) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Вход выхода (i c = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 1,0 КГц) | hob | -- | 0,5 | mmho | |
| Ответ ИМПа ульс (Vcc = 20Vdc, Ic = 500mAdc) | тонна + tof | -- | 30 | ns |
(1) тест ИМПа ульс: Госпожа £ 300 ширины ИМПа ульс, £ 2,0% круга обязаностей.
Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
100pcs