Компоненты, электронные устройства и интегральные схемаы транзистора IRFP9140N
npn smd transistor
,silicon power transistors
Компоненты, электронные устройства и интегральные схемаы транзистора IRFP9140N
Описание
Пятое поколение HEXFETs от международного выпрямителя тока использует предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-247 предпочтен для commercialindustrial уровней более высокой силы применений где исключить пользе приборов TO-220. TO-247 подобно но главно к более предыдущему пакету TO-218 из-за своего изолированного устанавливая отверстия.
Особенности
l выдвинул технологический прочесс
l динамическая оценка dv/dt
l рабочая температура 175°C
l P-канал l быстрое переключение
l полно расклассифицированная лавина
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | МИКРОСХЕМА | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | ДИЕЗ | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANS 2SS52M | Хониуэлл | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | МИКРОСХЕМА | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| КРЫШКА 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| КРЫШКА ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | ЛОТОК | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | МИКРОСХЕМА | 1636M6G | SOP-8 |
| КРЫШКА ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| КРЫШКА CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| КРЫШКА CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| СЛУЧАЙ 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| ТРИАК BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| КРЫШКА 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Непрерывное течение стока, ID VGS @ -10V -23 @ TC = 100°C
Непрерывное течение стока, VGS @ -10V -16 a
Пульсированные IDM стекают настоящий PD -76 @TC = 25°C
Коэффициент снижения номинальной мощности 0,91 W/°C w диссипации силы 140 линейный
± 20 v напряжения тока Ворот-к-источника VGS
430 mJ энергии лавины ИМПа ульс EAS одиночное
-11 a лавины IAR настоящее
14 mJ dv/dt энергии лавины УХА повторяющийся
Пиковое -5,0 V/ns спасения dv/dt диода
Соединение и -55 TJ работая до + 175 TSTG
Температура диапазона температур хранения паяя, для 10 °C секунд 300 (1.6mm от случая)
AOZ1021AI электронный IC чип Новый и оригинальный запас
AOZ1210AI электронный IC чип новый и оригинальный
TNY274GN Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
AOZ1021AI электронный IC чип Новый и оригинальный запас |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
|
|
|
|
AOZ1210AI электронный IC чип новый и оригинальный |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
|
|
|
|
TNY274GN Новый и оригинальный запас |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
|