Транзистор Pin IRF2807 3, переключая интегральные схемаы электроники mosfet IC силы
npn smd transistor
,multi emitter transistor
MOSFET силы электроники IC обломока интегральной схемаы Ic транзистора IRF2807 внезапный
Особенности выхода:
l выдвинул технологический прочесс
l ультра низкое На-сопротивление
l динамическая оценка dv/dt
l рабочая температура 175°C
l быстрое переключение
l полно расклассифицированная лавина
Ключевые спецификации:
Предварительные MOSFETs силы HEXFET® от международного выпрямителя тока используют предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.
Абсолютный максимум оценок
ID @ непрерывное течение стока TC = 25°C, VGS @ 10V
ID 82 @ непрерывное течение стока TC = 100°C, VGS @ 10V 58 a
Пульсированные IDM стекают настоящий PD 280 @TC = 25°C
Коэффициент снижения номинальной мощности 1,5 W/°C w диссипации силы 230 линейный
± 20 v напряжения тока Ворот-к-источника VGS
43 a лавины IAR настоящее
23 mJ dv/dt энергии лавины УХА повторяющийся
Пиковое 5,9 V/ns TJ спасения dv/dt диода
Работая соединение и -55 до + 175
Температура диапазона температур хранения TSTG паяя, для 10 °C секунд 300 (1.6mm от случая) устанавливая вращающий момент, 6-32 или srew M3 10 lbf•в (1.1N•m)
Часть списка запаса
| КРЫШКА 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | НА | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | ДИОДЫ | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANS MMBTA42LT1G | НА | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANS NDD04N60ZT4G | НА | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| КРЫШКА 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| КРЫШКА 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| КРЫШКА 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| КРЫШКА ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| КРЫШКА 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| OPTO 4N25M | FSC | 637Q | DIP-6 |
| ТРИАК BT151-500R | 603 | TO-220 |
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC