Отправить сообщение
Дом > продукты > Электронные обломоки IC > Двойной MOSFET II ома TO-220 PowerMESH N-КАНАЛА 600V 1,8 транзистора Mosfet силы mosfet силы IRFBC30]

Двойной MOSFET II ома TO-220 PowerMESH N-КАНАЛА 600V 1,8 транзистора Mosfet силы mosfet силы IRFBC30]

производитель:
Производитель
Описание:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (pulsed):
14 A
Peak Diode Recovery voltage slope:
3 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
Самое интересное:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Введение

IRFBC30

N - КАНАЛ 600V - Ω 1,8 - 3.6A - MOSFET TO-220 PowerMESHTM ΙΙ

ТИП VDSS RDS (дальше) ID
IRFBC30 600 v < 2=""> 3,6 a

TO-220

■ТИПИЧНОЕ Ω 1,8 RDS (дальше) =

■ВЕСЬМА ВЫСОКАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv/dt

■ЛАВИНА 100% ИСПЫТАЛА

■ОЧЕНЬ НИЗКИЕ ВНУТРЕННЕПРИСУЩИЕ ЕМКОСТИ

■ОБЯЗАННОСТЬ ВОРОТ УМЕНЬШИЛА

ОПИСАНИЕ

PowerMESHTM ΙΙ развитие первого поколения СЕТКИ OVERLAYTM. Уточнения плана введенные значительно для того чтобы улучшить сравнительный показатель качества Ron*area пока держащ прибор на ведущей кромке для каких забот переключая скорости, обязанности ворот и пересеченности.

ПРИМЕНЕНИЯ

СИЛЬНОТОКОВОЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ

■ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ РЕЖИМА SWITH (SMPS)

■КОНВЕРТЕРЫ DC-AC ДЛЯ СВАРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ И БЕСПЕРЕБОЙНЫХ ЭЛЕКТРОПИТАНИЙ И ВОДИТЕЛЯ МОТОРА

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК

Символ Параметр Значение Блок
VDS напряжение тока Сток-источника (VGS = 0) 600 V
VDGR Напряжение тока ворот стока (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS напряжение тока Ворот-источника ± 20 V
ID Стеките настоящее (непрерывный) на Tc = ℃ 25 3,6
ID Стеките настоящее (непрерывный) на Tc = ℃ 100 2,3
IDM (•) (Пульсированное) течение стока 14
Ptot Полная диссипация на Tc = ℃ 25 75 W
Коэффициент снижения номинальной мощности 0,6 W/℃
dv/dt (1) Пиковый наклон напряжения тока спасения диода 3 V/ns
Tstg Температура хранения -65 до 150
Tj Температура соединения Максимальн Operating 150

(•) Ширина ИМПа ульс ограничиваемая безопасной рабочей зоной

(1) ISD ≤3.6 a, ≤ 60 A/µs di/dt, ≤ v VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX Tj

ВНУТРЕННЯЯ СХЕМАТИЧЕСКАЯ ДИАГРАММА

МЕХАНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ TO-220

Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Изображение часть # Описание
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs