Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > Поверхностный держатель Si-эпитаксиальное PlanarTransistors BCP53

Поверхностный держатель Si-эпитаксиальное PlanarTransistors BCP53

производитель:
Производитель
Описание:
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80 В 1,2 А 1,5 Вт для поверхностного монтажа SOT-223-4
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
negotiation
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
Течение сборника – Kollektorstrom (DC):
1 a
Пиковое течение сборника – Koll. - Spitzenstrom:
1,5 a
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
Температура соединения – Sperrschichttemperatur:
150? ℃
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
Самое интересное:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Введение

Диссипация силы – Verlustleistung 1,3 w

Пластиковый случай SOT-223

Kunststoffgehäuse

Веса CA. Gewicht приблизительно – 0,04 g

Пластиковый материал имеет классификацию 94V-0 UL

Klassifiziert Gehäusematerial UL94V-0

Стандартная намотанная упаковка связанная тесьмой и

Стандартный auf Rolle gegurtet Lieferform

Максимальные оценки (ЖИВОТИКИ = 25? ℃) Grenzwerte (ЖИВОТИКИ = 25? ℃)

BCP 51 BCP 52 BCP 53
Сборник-Излучател-напряжение тока B открытый - VCE0 45 v 60 v 80 v
Сборник-Основани-напряжение тока E открытый - VCB0 45 v 60 v 100 v
Излучател-Основани-напряжение тока C открытый - VEB0 5 v
Диссипация силы – Verlustleistung Ptot 1,3 w 1)
Течение сборника – Kollektorstrom (DC) - IC 1 a
Пиковое течение сборника – Koll. - Spitzenstrom - ICM 1,5 a
Пиковый ток базы – основа-Spitzenstrom - IBM 200 мам
Температура соединения – Sperrschichttemperatur Tj 150? ℃
Температура хранения – Lagerungstemperatur TS - 65… + 150? ℃

1) установленный на доске P.C. с 3 пусковой площадкой mm2 медной на каждом терминале

Mit 3 mm2 Kupferbelag auf Leiterplatte монтажа (Lötpad) jedem Anschluß

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs