Отправить сообщение
Дом > продукты > Электронные обломоки IC > Mosfet IC IRF1404PBF силы канавы выдвинул ультра низкое На-сопротивление

Mosfet IC IRF1404PBF силы канавы выдвинул ультра низкое На-сопротивление

производитель:
Производитель
Описание:
N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Features:
Advanced Process Technology
Features2:
Ultra Low On-Resistance
Features3:
Dynamic dv/dt Rating
Features4:
175°C Operating Temperature
Features5:
Fast Switching
Самое интересное:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Введение

Mosfet IC IRF1404PBF силы канавы выдвинул ультра низкое На-сопротивление

Описание

Седьмые MOSFETs силы поколения HEXFETÆ от международного выпрямителя тока используют предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений включая автомобильное.

Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех автомобильн-коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.

? Предварительный технологический прочесс?

Ультра низкое На-сопротивление?

Динамическая оценка dv/dt? 175°C

Рабочая температура?

Быстрое переключение?

Полно расклассифицированная лавина?

Квалифицированное автомобильное (Q101)?

Неэтилированный

Примечания на повторяющийся кривых лавины, диаграммах 15, 16: (Для получения дополнительной информации, см. AN-1005 на www.irf.com)

1. Предположение отказов лавины: Чисто термальные явление и отказ происходят на температуре далеко свыше Tjmax. Это утвержено для каждого типа части.

2. Безопасная работа в лавине позволена по мере того как длинное asTjmax не превышено.

3. Уравнение ниже основанное на цепи и формах волны показанных в диаграммах 12a, 12b.

4. PD (ave) = диссипация средней мощности в одиночный ИМП ульс лавины.

5. BV = расклассифицированное пробивное напряжение (фактор 1,3 определяет рост напряжения тока во время лавины).

6. Iav = позволяемое течение лавины.

7. ∆T = позволяемый подъем в температуру соединения, не превысить Tjmax (принял как 25°C в диаграмме 15, 16). tav = среднее время в лавине. D = круг обязаностей в лавине = tav ·f ZthJC (d, tav) = переходное термальное сопротивление, видит диаграмму 11)

Параметр Тип Максимальный. Блоки
RθJC Соединени-к-случай -- 0,45 °C/W
RθCS Случа-к-раковина, плоская, смазанная поверхность 0,50 ---
RθJA Соединени-к-окружающий -- 62

Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Изображение часть # Описание
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
20