Транзисторы средней силы транзистора NPN Mosfet силы BCP56-16
multi emitter transistor
,silicon power transistors
BCP54; BCP55; BCP56
Транзисторы средней силы NPN
ОСОБЕННОСТИ
• Большой ток (максимальное 1 a)
• Низшее напряжение (максимальное 80 v).
ПРИМЕНЕНИЯ
• Переключение.
ОПИСАНИЕ
Транзистор средней силы NPN в пластиковом пакете SOT223.
PNP комплектует: BCP51, BCP52 и BCP53.
ПРИКАЛЫВАНИЕ
| PIN | ОПИСАНИЕ |
| 1 | основание |
| 2,4 | сборник |
| 3 | излучатель |
ОГРАНИЧИВАЮЩИЕ ВЕЛИЧИНЫ
В соответствии с абсолютным максимумом системы рейтинга (IEC 134)
| СИМВОЛ | ПАРАМЕТР | УСЛОВИЯ | MIN. | МАКСИМАЛЬНЫЙ. | БЛОК |
| VCBO |
напряжение тока коллектора- база BCP54 BCP55 BCP56 |
открытый излучатель |
− − − |
45 60 100 |
V |
| VCEO |
напряжение тока коллектор- эмиттера BCP54 BCP55 BCP56 |
открытое основание |
− − − |
45 60 80 |
V |
| VEBO | напряжение тока излучател-основания | открытый сборник | - | 5 | V |
| IC | течение сборника (DC) | - | 1 | ||
| ICM | пиковое течение сборника | - | 1,5 | ||
| IBM | пиковый ток базы | - | 0,2 | ||
| Ptot | диссипация полной силы | °C ≤ 25 Tamb; примечание 1 | - | 1,33 | W |
| Tstg | температура хранения | -65 | +150 | °C | |
| Tj | температура соединения | - | 150 | °C | |
| Tamb | работая температура окружающей среды | -65 | +150 | °C |
Заметьте 1. прибора установленного на полуженной плате с печатным монтажом, одиночное, который встали на сторону медное, пусковой площадке установки на сборник 1 cm2. Для других устанавливая условий, см. «термальное рассмотрение для SOT223 в общей части связанного руководства».
ПЛАН ПАКЕТА
Пластиковый поверхностный установленный пакет; пусковая площадка сборника для хорошей передачи тепла; 4 руководства SOT223
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
| PIC24FJ64GA004-I/PT | 4138 | МИКРОСХЕМА | 15+ | TQFP |
| PCF8591T | 13260 | PHILIPS | 16+ | SOP |
| MD1211LG-G | 5830 | SUPERTEX | 16+ | QFN |
| NDS332P | 40000 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | SOT-23 |
| NCP1117STAT3G | 10000 | НА | 16+ | SOT-223 |
| SAK-XC164CM-16F40FBA | 500 | 13+ | LQFP-64 | |
| ZTX1053A | 3980 | ZETEX | 13+ | TO-92S |
| M29F200BB-70N6 | 3841 | ST | 16+ | TSSOP |
| OPA347NA | 7440 | TI | 14+ | SOT23-5 |
| LM4652TF | 1435 | NSC | 13+ | ZIP-15 |
| PIC24FJ64GB106-I/PT | 4118 | МИКРОСХЕМА | 16+ | TQFP |
| LM4651N | 1543 | NSC | 14+ | DIP-28 |
| PC3H711NIP | 30000 | ДИЕЗ | 16+ | SOP |
| PC3Q67QJ000F | 11500 | ДИЕЗ | 16+ | SOP |
| MC68302PV16C | 3628 | MOT | 10+ | QFP |
| LMH0356SQE | 437 | TI | 15+ | WQFN-48 |
| LMH0036SQE | 1226 | NSC | 12+ | LLP |
| CY7B1399B-15VC | 500 | КИПАРИС | 01+ | SOJ |
| MAX3232EEUE+T | 11450 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | TSSOP |
| PIC18F66K22-I/PT | 4308 | МИКРОСХЕМА | 14+ | QFP |
| PESD5V0S1BA | 25000 | 16+ | ДЕРН | |
| NUP5150MUTBG | 5340 | НА | 16+ | QFN |
| CS4954-CQZR | 2476 | ЦИРРУС | 10+ | TQFP-48 |
| MIC2951-02YM | 6460 | MICREL | 11+ | SOP |
| MUR1620CTG | 10000 | НА | 16+ | TO-220 |
| MKL25Z128VLK4 | 1070 | FREESCALE | 14+ | LQFP |
| BD82H61 SLJ4B | 340 | INTEL | 13+ | BGA |
| MBR0540T1G | 20000 | НА | 15+ | SOD-123 |
| SAP16PO | 300 | SANKEN | 06+ | TO-3P |
| M48T02-120PC1 | 3607 | ST | 15+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC