Отправить сообщение
Дом > продукты > Электронные обломоки IC > Транзистор npn транзистора Mosfet силы STP75NF75 общецелевой

Транзистор npn транзистора Mosfet силы STP75NF75 общецелевой

производитель:
Производитель
Описание:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Drain-source voltage:
75 V
Drain-gate voltage:
75 V
Gate-source voltage:
± 20 V
Peak diode recovery voltage slope:
12 V/ns
Single pulse avalanche energy:
700 mJ
Operating junction & Storage temperature:
-55 to 175 °C
Самое интересное:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Введение

STB75NF75

STP75NF75 - STP75NF75FP

N-канал 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP -

MOSFETсилы d2ПАКSTripFET™II

Общие особенности

Тип VDSS RDS (дальше) ID
STB75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75FP 75V <0>80A (1)

1. Течение ограничиваемое пакетом

Исключительная возможность dv/dt

■лавина 100% испытала

Описание

Эта серия MOSFET силы осуществила с STMicroelectronics уникальный процесс STripFET™ специфически был конструирован для того чтобы уменьшить обязанность входной емкости и ворот. Поэтому соответствующее как основной переключатель в предварительных highefficiency, высокочастотных изолированных конвертерах DC-DC для прикладных программ для компьютера телекоммуникаций и. Также запланировано для всех применений с низкими требованиями к привода ворот.

Применения

Переключая применение

Абсолютный максимум оценок

Символ Параметр Значение Блок
D2ПАК/TO-220 TO-220FP
VDS напряжение тока Сток-источника (VGS = 0) 75 V
VDGR напряжение тока Сток-ворот (RGS = 20KΩ) 75 V
VGS напряжение тока Ворот-источника ± 20 V
ID (1) Стеките настоящее (непрерывный) на TC = 25°C 80 80
ID (1) Стеките настоящее (непрерывный) на TC = 100°C 70 70
IDM (2) (Пульсированное) течение стока 320 320
PTOT Полная диссипация на TC = 25°C 300 45 W
Коэффициент снижения номинальной мощности 2,0 0,3 W/°C
dv/dt (3) Пиковый наклон напряжения тока спасения диода 12 V/ns
EAS (4) Одиночная энергия лавины ИМПа ульс 700 mJ
VISO Изоляция выдерживает напряжение тока (RMS) от все 3 водит к внешнему теплоотводу (t=1s; TC =25°C) -- 2000 V

TJ

Tstg

Работая температура соединения

Температура хранения

-55 до 175 °C

1. Течение ограничиваемое пакетом

2. Ширина ИМПа ульс ограничиваемая безопасной рабочей зоной

3. ≤ 80A ISD, di/dt ≤300A/µs, ≤ v VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX Tj

4. Начинающ TJ = 25°C, ID = 40A, VDD = 37.5V

Внутренняя схематическая диаграмма

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд D/C Пакет
STM32F102C8T6 2660 ST 13+ QFP48
STM32F102CBT6 16078 ST 11+ QFP48
STP24DP05BTR 2828 ST 16+ QFP48
TSL1018IF 4920 ST 10+ QFP48
SC56F8034V 2006 FREESCALE 16+ QFP44
SC79854-64J01 15168 MOT 16+ QFP44
UDA1355H 1895 02+ QFP44
TDA9859H/V2 3086 PHI 13+ QFP44
SAA5284GP 2759 PHILIPS 10+ QFP44
TW9900-TA1-GR 3044 INTERSIL 16+ QFP32
SY55858UHG 2294 MICREL 16+ QFP32
TDA8020HL/C2 2036 11+ QFP32
STM8AF6266TC 8784 ST 13+ QFP32
STM8AF6266TCY 5788 ST 14+ QFP32
STM8L151K4T6 29952 ST 14+ QFP32
STM8L152K6T6 2351 ST 16+ QFP32
STM8S005K6T6C 41128 ST 15+ QFP32
STM8S903K3T6CTR 21420 ST 16+ QFP32
STI5105ALC 1604 ST 16+ QFP216
SLA913FFOR 692 EPSON 10+ QFP160
STM32F405ZGT6 572 ST 16+ QFP144
S1D13506F00A200 743 EPSON 13+ QFP128
TW2866-LC1-CR 2015 INTERSIL 14+ QFP128
TW2868-LA2-CR 1586 INTERSIL 16+ QFP128
W83627HG-AW 4108 NUVOTON 13+ QFP128
RTL8110SC-GR 2972 REALTEK 16+ QFP128
RTL8204B-VC 15914 REALTEK 08+ QFP128
RTL8212-GR 1682 REALTEK 14+ QFP128
SCH5514E-NS 1829 SMSC 10+ QFP128
STV0900A 665 ST 13+ QFP128

Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Изображение часть # Описание
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
20pcs