PBSS4112PANP, 115 транзистор транзистора NPN/NPN низкий VCEsat Mosfet силы (BISS)
multi emitter transistor
,silicon power transistors
PBSS4112PAN
120 v, 1 транзистор NPN/NPN низкий VCEsat (BISS)
Общее описание
Прорыв NPN/NPN низкий VCEsat в небольшом транзисторе сигнала (BISS) в leadless среднем пакете прибора силы DFN2020-6 (SOT1118) Поверхност-установленном (SMD) пластиковом. Комплект NPN/PNP: PBSS4112PANP. Комплект PNP/PNP: PBSS5112PAP.
Особенности и преимущества
• Очень низкое напряжение тока сатурации VCEsat коллектор- эмиттера
• Высокая возможность IC и ICM течения сборника
• Высокое hFE настоящего увеличения сборника на высоком IC
• Уменьшенные требования к платы с печатным монтажом (PCB)
• Эффективность высокой энергии должная к меньше тепловыделения
• AEC-Q101 квалифицировало
Применения
• Переключатель нагрузки
• управляемые Батаре приборы
• Управление силы
• Зарядные схемы
• Переключатели мощности (например моторы, вентиляторы)
Ограничивающие величины
В соответствии с абсолютным максимумом системы рейтинга (IEC 60134).
| Символ | Параметр | Условия | Минута | Макс | Блок | |
| В транзистор | ||||||
| VCBO | напряжение тока коллектора- база | открытый излучатель | - | 120 | V | |
| VCEO | напряжение тока коллектор- эмиттера | открытое основание | - | 120 | V | |
| VEBO | напряжение тока излучател-основания | открытый сборник | - | 7 | V | |
| IC | течение сборника | - | 1 | |||
| ICM | пиковое течение сборника | одиночный ИМП ульс; госпожа ≤ 1 tp | - | 1,5 | ||
| IB | ток базы | - | 0,3 | |||
| IBM | пиковый ток базы | одиночный ИМП ульс; госпожа ≤ 1 tp | - | 1 | ||
| Ptot | диссипация полной силы | °C ≤ 25 Tamb |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
370 570 530 700 450 760 700 1450 |
mW mW mW mW mW mW mW mW |
| В прибор | ||||||
| Ptot | диссипация полной силы | °C ≤ 25 Tamb |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
510 780 730 960 620 1040 960 2000 |
mW mW mW mW mW mW mW mW |
| Tj | температура соединения | - | 150 | °C | ||
| Tamb | температура окружающей среды | -55 | 150 | °C | ||
| Tstg | температура хранения | -65 | 150 | °C | ||
[1] прибор установленный на PCB FR4, одно-встал на сторону след ноги линии прокладки 35 µm медный, полуженного и стандартного.
прибор [2] установленный на PCB FR4, одно-встал на сторону полуженная линия прокладки 35 µm медная, пусковая площадка установки на сборник 1 cm2.
прибор [3] установленный на 4 следе ноги линии прокладки µm PCB 35 слоя медном, полуженного и стандартного.
прибор [4] установленный на 4 полуженной линии прокладки µm PCB 35 слоя медной, пусковой площадке установки на сборник 1 cm2.
прибор [5] установленный на PCB FR4, одно-встал на сторону след ноги линии прокладки 70 µm медный, полуженного и стандартного.
прибор [6] установленный на PCB FR4, одно-встал на сторону полуженная линия прокладки 70 µm медная, пусковая площадка установки на сборник 1 cm2.
прибор [7] установленный на 4 следе ноги линии прокладки µm PCB 70 слоя медном, полуженного и стандартного.
прибор [8] установленный на 4 полуженной линии прокладки µm PCB 70 слоя медной, пусковой площадке установки на сборник 1 cm2.
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
| SGM8922AYS8 | 5140 | SGM | 10+ | SOP-8 |
| SGM9119YS8 | 17690 | SGMICRO | 16+ | SOP-8 |
| SLG505YC256CT | 2330 | SILEGO | 14+ | SOP-8 |
| SI4416DY-T1-E3 | 17708 | SILICONIX | 05+ | SOP-8 |
| SP3072EEN-L/TR | 38004 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP485RCN-L | 14724 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP485REN-L | 46500 | SIPEX | 16+ | SOP-8 |
| SP708SEN | 8240 | SIPEX | 16+ | SOP-8 |
| SM7523B | 47500 | SM | 16+ | SOP-8 |
| S25FL040A0LVFI003R | 38856 | SPANSION | 16+ | SOP-8 |
| S25FL164K0XMFI011 | 29532 | SPANSION | 15+ | SOP-8 |
| SST25LF020A-33-4C-SAE | 39140 | SST | 12+ | SOP-8 |
| SST25VF016B-50-4C-S2AF | 7084 | SST | 14+ | SOP-8 |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 12564 | SST | 14+ | SOP-8 |
| SST25VF020-20-4I-SAE | 8532 | SST | 11+ | SOP-8 |
| SST25VF032B-80-4I-S2AF | 10142 | SST | 16+ | SOP-8 |
| SST25VF080B-50-4C-S2AF | 19348 | SST | 10+ | SOP-8 |
| SST25VF080B-80-4I-S2AF | 12578 | SST | 16+ | SOP-8 |
| SSRP130B1 | 39992 | ST | 13+ | SOP-8 |
| ST1S10PHR | 5256 | ST | 16+ | SOP-8 |
| ST3485EBDR | 14900 | ST | 10+ | SOP-8 |
| ST485EBDR | 31000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| ST922I | 40276 | ST | 16+ | SOP-8 |
| STM704SM6F | 6004 | ST | 16+ | SOP-8 |
| STS8DNF3LL | 14592 | ST | 04+ | SOP-8 |
| STS8DNH3LL | 17320 | ST | 10+ | SOP-8 |
| TDA2822D013TR | 17298 | ST | 09+ | SOP-8 |
| TJM4558CDT | 111000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| TL061CDR | 15170 | ST | 16+ | SOP-8 |
| TL072CDR | 17186 | ST | 16+ | SOP-8 |
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC