транзистор переключения транзистора PNP Mosfet силы усилителя 2N3906 PNP общецелевой
производитель:
Производитель
Описание:
Биполярный (BJT) транзистор PNP 40 В 200 мА 250 МГц 625 мВт Сквозное отверстие TO-92
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Напряжение тока коллектора- база:
−40 v
Напряжение тока коллектор- эмиттера:
−40 v
напряжение тока Излучател-основания:
−6 v
Диссипация полной силы:
500 mW
Температура хранения:
−65 к °C +150
Работая температура окружающей среды:
−65 к °C +150
Самое интересное:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Введение
Транзистор переключения 2N3906 PNP
ОСОБЕННОСТИ
• Низкоточный (максимальные 200 мам)
• Низшее напряжение (максимальное 40 v).
ПРИМЕНЕНИЯ
• Высокоскоростное переключение в промышленных применениях.
ОПИСАНИЕ
Транзистор переключения PNP в TO-92; Пластиковый пакет SOT54. Комплект NPN: 2N3904.
ПРИКАЛЫВАНИЕ
| PIN | ОПИСАНИЕ |
| 1 | сборник |
| 2 | основание |
| 3 | излучатель |
ОГРАНИЧИВАЮЩИЕ ВЕЛИЧИНЫ
В соответствии с абсолютным максимумом системы рейтинга (IEC 134).
| СИМВОЛ | ПАРАМЕТР | УСЛОВИЯ | MIN. | МАКСИМАЛЬНЫЙ. | БЛОК |
| VCBO | напряжение тока коллектора- база | открытый излучатель | − | −40 | V |
| VCEO | напряжение тока коллектор- эмиттера | открытое основание | − | −40 | V |
| VEBO | напряжение тока излучател-основания | открытый сборник | − | −6 | V |
| IC | течение сборника (DC) | − | −200 | мамы | |
| ICM | пиковое течение сборника | − | −300 | мамы | |
| IBM | пиковый ток базы | − | −100 | мамы | |
| Ptot | диссипация полной силы | °C ≤ 25 Tamb | − | 500 | mW |
| Tstg | температура хранения | −65 | +150 | °C | |
| Tj | температура соединения | − | 150 | °C | |
| Tamb | работая температура окружающей среды | −65 | +150 | °C |
Увеличение DC Fig.2 настоящее; типичные значения.
Цепь теста Fig.3 на переключая времена
ПЛАН ПАКЕТА
Пластмасса одно-закончила освинцованный (через отверстие) пакет; 3 руководства SOT54
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
| IS62C1024-45T | 580 | ISSI | 10+ | TSSOP |
| HM9110 | 1429 | HMC | 10+ | DIP18 |
| TG43-1406NTR | 5000 | ВЕНЧИК | 10+ | SSOP48 |
| MC74HC30N | 549 | NS | 10+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
| AM29F010-120JC | 711 | AMD | 10+ | PLCC32 |
| TMPZ84C30AP-6 | 2420 | ТОШИБА | 10+ | DIP-28 |
| TDA1675A | 810 | ST | 10+ | ЗАСТЕЖКА-МОЛНИЯ |
| STK7360 | 1008 | TDK | 10+ | SIP-14 |
| 24LC512-I/P | 3750 | МИКРОСХЕМА | 16+ | DIP8 |
| BFR91A | 5000 | VISHAY | 14+ | TO-50 |
| LE88266DLC | 5800 | LEGERITY | 14+ | QFP80 |
| NJU7391AV-TE1-#ZZZB | 7000 | JRC | 14+ | SSOP32 |
| BTA06-800BW | 7660 | ST | 16+ | TO-220 |
| 25LC256-I/SN | 9600 | MICROCHI | 16+ | SOP-8 |
| MT8816AE | 5000 | ZARLINK | 13+ | DIP-40 |
| ULN2003APWR | 5000 | TI | 15+ | TSSOP16 |
| XC5VSX95T-2FFG1136I | 100 | XILINX | 16+ | BGA |
| LRPS-2-1 | 2000 | МИНИ | 16+ | SMD |
| BC847C | 4000 | НА | 14+ | SOT-23 |
| MUR120RLG | 2000 | НА | 14+ | DO-41 |
| BC548B | 5000 | ПЭ-АШ | 14+ | TO-92 |
| LTC2440CGN | 5000 | LT | 16+ | SSOP16 |
| MB4S | 5000 | СЕНТЯБРЬ | 16+ | SMD4 |
| MUR160RLG | 5000 | НА | 13+ | DO-41 |
| BC817-25 | 6000 | 15+ | SO23 | |
| ES2J | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| ATMEGA1281-16AU | 3500 | ATMEL | 16+ | QFP |
| LTC1263CS8#PBF | 2500 | ЛИНЕЙНЫЙ | 14+ | SOIC-8 |
| MB6S | 7000 | VISHAY | 14+ | SMD-4 |
| BZX84C3V0LT1G | 8000 | НА | 14+ | SOT-23 |
Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs