Транзистор влияния поля режима повышения N-канала транзистора Mosfet силы AO3400A
power mosfet ic
,silicon power transistors
AO3400A
Транзистор влияния поля режима повышения N-канала
Общее описание
AO3400A использует предварительную технологию канавы для того чтобы обеспечить превосходный RDS (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот. Этот прибор соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или в применениях PWM. Стандартный продукт AO3400A Pb свободен от (встречи ROHS & Sony 259 спецификаций).
Особенности
VDS (v) = 30V
ID = 5.7A (VGS = 10V)
RDS (ДАЛЬШЕ) < 26="">
RDS (ДАЛЬШЕ) < 32m="">
RDS (ДАЛЬШЕ) < 48m="">
| Термальные характеристики | |||||
| Параметр | Символ | Тип | Макс | Блоки | |
| Максимальное Соединени-к-окружающее a | ≤ 10s t | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| Максимальное Соединени-к-окружающее a | Номинальный | 100 | 125 | °C/W | |
| Максимальное Соединени-к-руководство c | Номинальный | RθJL | 63 | 80 | °C/W |

