Общецелевой усилитель транзистора KSP2907ATA соответствующий PNP Mosfet силы
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Общецелевой усилитель транзистора KSP2907A соответствующий PNP Mosfet силы
Особенности
• Напряжение тока коллектор- эмиттера: VCEO= 60V
• Диссипация силы сборника: ПК (максимальное) =625mW
• Суффикс «- c» значит разбивочный сборник (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
• Не суффикс «- c» значит бортовой сборник (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
• Доступный как PN2907A
Абсолютный максимум оценок * животиков = 25°C если не указано иное
| Символ | Параметр | Значение | Блоки |
| VCBO | Напряжение тока коллектора- база | -60 | V |
| VCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | -60 | V |
| VEBO | Напряжение тока Излучател-основания | -5 | V |
| IC | Течение сборника | -600 | мамы |
| TJ | Температура соединения | +150 | °C |

