Отправить сообщение
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Дом
продукты
производителей
О нас
ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Дом > продукты > Электронные обломоки IC > Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы привел обломоки IC телевидений

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы привел обломоки IC телевидений

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы привел обломоки IC телевидений
Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы привел обломоки IC телевидений
производитель:
Производитель
Описание:
N-канал 25 v 310 mW JFET до отверстие TO-92 (TO-226)
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiation
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Особенности:
N−Channel для более высокого увеличения
Features2:
Сток и источник заменимые
Features3:
Высокое входное комплексное сопротивление AC
Features4:
Высокое сопротивление входа DC
Features5:
Низкие передача и входная емкость
FEATURES6:
Низкое искажение Cross−Modulation и интермодуляции
Самое интересное:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Введение

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы привел обломоки IC телевидений

Расход − N−Channel − JFETs общецелевой

Транзисторы влияния поля соединения N−Channel, режим расхода (напечатайте) конструированный для аудио и переключая применений.

Особенности

• N−Channel для более высокого увеличения

• Сток и источник заменимые

• Высокое входное комплексное сопротивление AC

• Высокое сопротивление входа DC

• Низкие передача и входная емкость

• Низкое искажение Cross−Modulation и интермодуляции

• Пакет Unibloc пластиковый помещенный • Пакеты Pb−Free Available*

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Оценка Символ Значение Блок
Напряжение тока Drain−Source VDS 25 Vdc
Напряжение тока Drain−Gate VDG 25 Vdc
Обратное напряжение тока Gate−Source VGSR −25 Vdc
Течение ворот IG 10 mAdc
Полные ЖИВОТИКИ диссипации прибора @ = 25°C Derate над 25°C PD 310 2,82 mW mW/°C
Работая температура соединения TJ 135 °C
Диапазон температур хранения Tstg −65 до +150 °C

Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Расширенное подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Доставка пакета прибора

блоки 2N5457 TO−92 1000/коробка

блоки 2N5458 TO−92 1000/коробка

2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 блоков/коробка

Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Изображение часть # Описание
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
1000pcs
Связаться с нами
Адрес: Комната 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Электронная почта: sales@cmhk-ic.com
Телефон: 86-755-88367702
продукты

Обломок IC флэш-памяти

Programmable обломок IC

Компьютер IC откалывает

Водитель ICs СИД

Управление ICs силы

Интегральные микросхемы

Блок микроконтроллера MCU

Водитель ICs дисплея

Силовой модуль БТИЗ

Усилитель IC откалывает
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика уединения Центр помощи
Политика уединения | Качество Китая хорошее Обломок IC флэш-памяти Поставщик. © авторского права 2023-2024 icmemorychip.com . Все права защищены.