Обломок интегральной схемаы интегральных схема AT45DB011D-SH-B цифровой вольт минимальное DataFlash 1 мегабита 2,7

1-megabit 2,7 вольт минимальное DataFlash AT45DB011D

Особенности

• Одиночное 2.7V к поставке 3.6V

• Последовательный интерфейс RapidS®: 66 MHz максимальной тактовой частоты

– Режимы 0 и 3 SPI совместимые

• Размер страницы потребителя конфигурируемый

– 256 байт в страницу

– 264 байта в страницу

– Размер страницы может быть фабрикой предварительно настроенной для 256 байт

• Деятельность программы страницы

– Умная программируя деятельность

– 256/264 байт/страницы) главная память 512 страниц (

• Гибкие варианты стирания

– Стирание страницы (256 байт)

– Стирание блока (2 кбайта)

– Стирание участка (32 кбайта)

– Стирание обломока (1 Mbits)

• Один буфер данным по SRAM (256/264 байты)

• Непрерывная прочитанная возможность через весь массив

– Идеал для кода затеняя применения

• Маломощная диссипация

– течение 7 мам активное прочитанное типичное

– 25 типичных µA резервных настоящих

– сила-вниз 5 µA глубокая типичная

• Особенности защиты данных оборудования и программного обеспечения

– Индивидуальный участок

• Lockdown участка для безопасного кода и хранения данных

– Индивидуальный участок

• Безопасность: регистр безопасностью 128 байт

– космос потребителя 64 байт Programmable

– Уникальный идентификатор прибора 64 байт

• ID изготовителя и прибора JEDEC стандартный прочитал

• 100 000 циклов программы/стирания в минимум страницы

• Удерживание данных – 20 лет

• Промышленный диапазон температур

• Варианты зеленого цвета (Pb/Halide-free/RoHS уступчивого) упаковывая

Описание

AT45DB011D 2.7V, флэш-память сериал-интерфейса идеально одетая для большого разнообразия цифрового голоса, изображение, код программы и применения хранения данных. AT45DB011D поддерживает последовательный интерфейс речных порогов для применений требуя очень высокоскоростной деятельности. Последовательный интерфейс речных порогов SPI совместимое для частот до 66 MHz. Свои 1 081 344 бита памяти организованы как 512 страницы 256 байт или 264 байт каждого. В дополнение к главной памяти, AT45DB011D также содержит один буфер SRAM 256/264 байт. Эмулирование EEPROM (alterability бита или байта) легко отрегулировано со сдержанные 3 шаг чтени-дорабатывать-пишет деятельность. Не похож на обычные флэш-памяти которые получать доступ к случайно со множественными линиями адреса и параллельным интерфейсом, DataFlash® использует последовательный интерфейс речных порогов последовательного для получения доступа к своих данных. Простой последовательный доступ драматически уменьшает активный отсчет штыря, облегчает план оборудования, увеличивает надежность системы, уменьшает переключая шум, и уменьшает размер пакета.

Прибор оптимизирован для пользы в много коммерчески и промышленных применений где высокая плотность, отсчет низко-штыря, низшее напряжение и маломощное необходимы.

Для того чтобы учитывать простое reprogrammability в-системы, AT45DB011D не требует высоких вводов напряжения для программирования. Прибор работает от одиночного электропитания, 2.7V к 3.6V, и для программы и прочитал деятельность. AT45DB011D позволено через штырь обломока отборный (CS) и получать доступ к через интерфейс 3-провода состоя из серийного входного сигнала (SI), серийного выхода (ТАК), и серийных часов (SCK).

Все циклы программирования и стирания само-синхронизированы.

Абсолютный максимум Ratings*

Температура под косым ............................... -55° c к +125° c

Температура хранения .................................... -65° c к +150° c

Все вводы напряжения (включая штыри NC)

по отношению к земле ................................... - 0.6V к +6.25V

Все напряжения тока выхода

по отношению к земле ............................. - 0.6V до VCC + 0.6V

*NOTICE: Стрессы за теми перечисленными под «абсолютным максимумом оценок» могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса только и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий за теми показанными в рабочих разделах этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму классифицируя условий на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.

Взгляд сверху SOIC Взгляд сверху UDFN ⁽¹⁾

Примечание:

1. Пусковая площадка металла на дне пакета UDFN плавает. Эта пусковая площадка может быть «никаким соединяется» или соединенный с GND.

Блок-схема

Предложение запаса (горячее надувательство)