MT29F4G08ABADAWP:D TR Program Ic Chip Color TV Ic Memory Flash Chip Выпрямительный диод
ic programmer circuit
,programmable audio chip
4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory
MT29F4G08ABADAH4, MT29F4G08ABADAWP, MT29F4G08ABBDAH4, MT29F4G08ABBDAHC, MT29F4G16ABADAH4, MT29F4G16ABADAWP, MT29F4G16ABBDAH4, MT29F4G16ABBDAHC, MT29F8G08AD ADAH4, MT29F8G08ADBDAH4, MT29F8G16ADADAH4, MT29F8G16ADBDAH4, MT29F16G08AJADAWP
ФУНКЦИИ:
• Открытый интерфейс флэш-памяти NAND (ONFI), совместимый с версией 1.01
• Технология одноуровневых ячеек (SLC)
• Организация
– Размер страницы x8: 2112 байт (2048 + 64 байта)
- Размер страницы x16: 1056 слов (1024 + 32 слова)
– Размер блока: 64 страницы (128К + 4К байт)
- Размер плоскости: 2 плоскости x 2048 блоков на плоскость
– Размер устройства: 4Gb: 4096 блоков;8Gb: 8192 блока 16Gb: 16384 блока
• Производительность асинхронного ввода/вывода
– tRC/tWC: 20 нс (3,3 В), 25 нс (1,8 В)
• Производительность массива
– Чтение страницы: 25 мкс 3
– Страница программы: 200 мкс (ТИП: 1,8 В, 3,3 В)3
– Блок стирания: 700 мкс (TYP)
• Набор команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Расширенный набор команд
– Режим кэширования страницы программы4
– Чтение кэша страниц в режиме 4
– Одноразовый программируемый (OTP) режим
– Двухплоскостные команды 4
– Операции с чередованием кристаллов (LUN)
– Чтение уникального идентификатора – Блокировка блокировки (только 1,8 В)
- Внутреннее перемещение данных
• Байт рабочего состояния обеспечивает программный метод обнаружения
– Завершение операции – Условие прохождения/непрохождения
– Статус защиты от записи
• Сигнал Ready/Busy# (R/B#) обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения операции.
• Сигнал WP#: защита от записи всего устройства
• Первый блок (адрес блока 00h) действителен при поставке с завода с ECC.
Минимальный требуемый код ECC см. в разделе Управление ошибками.
• Блок 0 требует 1-битного ECC, если количество циклов PROGRAM/ERASE меньше 1000.
• СБРОС (FFh) требуется в качестве первой команды после включения питания.
• Альтернативный метод инициализации устройства (Nand_Init) после включения питания (обратитесь к производителю).
• Внутренние операции перемещения данных поддерживаются в пределах плоскости, из которой считываются данные.
• Качество и надежность – Срок хранения данных: 10 лет – Срок службы: 100 000 циклов ПРОГРАММИРОВАНИЕ/УДАЛЕНИЕ
• Диапазон рабочего напряжения – VCC: 2,7–3,6 В – VCC: 1,7–1,95 В
• Рабочая Температура:
– Коммерческий: от 0°C до +70°C
– Промышленный (IT): от –40ºC до +85ºC
• Корпус – 48-контактный TSOP тип 1, CPL2
– 63-шариковая ВФБГА
| АБСОЛЮТНО МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ(1) |
|
Напряжение питания (VIN).................................................–0,3 В до 6В |
| ТРАНС BC847BLT1 | 18000 | НА | КИТАЙ |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | ЯГЕО | КИТАЙ |
| RC0805JR-071KL | 20000 | ЯГЕО | КИТАЙ |
| ДИОД DF06S | 3000 | Сентябрь | КИТАЙ |
| КРЫШКА 0805 330NF 100В C2012X7S2A334K125AB | 20000 | ТДК | ЯПОНИЯ |
| ДИОД УС1А-13-Ф | 50000 | ДИОДЫ | МАЛАЙЗИЯ |
| ИНДУТОР.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | ТДК | ЯПОНИЯ |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | ЯГЕО | КИТАЙ |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | ЯГЕО | КИТАЙ |
| ДИОД P6KE180A | 10000 | ВИШАЙ | МАЛАЙЗИЯ |
| РЕС 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | ЯГЕО | КИТАЙ |
| ДИОДО UF4007 БОЕПРИПАСЫ | 500000 | микрофон | КИТАЙ |
| ПЕР.ZXMN10A09KTC | 20000 | ЗЕТЭКС | ТАЙВАНЬ |
| РЭС 0805 4К7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | ЯГЕО | КИТАЙ |
| АКОПЛАДОР ОТИКО.МОК3021С-ТА1 | 10000 | ЛАЙТ-ВКЛ. | ТАЙВАНЬ |
| ТРАНС MMBT2907A-7-F | 30000 | ДИОДЫ | МАЛАЙЗИЯ |
| ТРАНС STGW20NC60VD | 1000 | СТ | МАЛАЙЗИЯ |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | ТИ | ТАИЛАНД |
| КИ MC33298DW | 1000 | ТО | МАЛАЙЗИЯ |
| КИ MC908MR16CFUE | 840 | ФРЕСКАЛЬ | МАЛАЙЗИЯ |
| КИ P8255A5 | 4500 | ИНТЕЛ | ЯПОНИЯ |
| КИ HM6116P-2 | 5000 | ХИТАЧИ | ЯПОНИЯ |
| КИ DS1230Y- 150 | 2400 | ДАЛЛАС | ФИЛИППИНЫ |
| ПЕР.ZXMN10A09KTC | 18000 | ЗЕТЭКС | ТАЙВАНЬ |
| Симистор BT151-500R | 500000 | МАРОККО | |
| КИ ХНР200-000Э | 1000 | АВАГО | ТАЙВАНЬ |
| СИМИСТОР TIC116M | 10000 | ТИ | ТАИЛАНД |
| ДИОД УС1М-Э3/61Т | 18000 | ВИШАЙ | МАЛАЙЗИЯ |
| ДИОД ES1D-E3-61T | 18000 | ВИШАЙ | МАЛАЙЗИЯ |
| КИ MC908MR16CFUE | 840 | ФРЕСКАЛЬ | ТАЙВАНЬ |
| КИ CD40106BE | 250 | ТИ | ТАИЛАНД |
| АКОПЛАДОР PC733H | 1000 | ОСТРЫЙ | ЯПОНИЯ |
| ТРАНС НДТ452АП | 5200 | ЛПС | МАЛАЙЗИЯ |
| КИ LP2951-50DR | 1200 | ТИ | ТАИЛАНД |
| КИ MC7809CD2TR4G | 1200 | НА | МАЛАЙЗИЯ |
| ДИОД MBR20200CTG | 22000 | НА | МАЛАЙЗИЯ |
| ФУЗИВЕЛ 30Р300УУ | 10000 | ЛИТТЕЛЬФУСЕЙ | ТАЙВАНЬ |
| КИ TPIC6595N | 10000 | ТИ | ТАИЛАНД |
| ЭПМ7064СТК44-10Н | 100 | АЛЬТЕРА | МАЛАЙЗИЯ |
| ДИОД 1N4004-T | 5000000 | микрофон | КИТАЙ |
| КИ CD4060BM | 500 | ТИ | ТАИЛАНД |
| АКОПЛАДОР MOC3020M | 500 | ЛПС | МАЛАЙЗИЯ |
| ДИОД W08 | 500 | Сентябрь | КИТАЙ |
| КИ SN74HC373N | 1000 | ТИ | ФИЛИППИНЫ |
| ФОТОДАТЧИК 2СС52М | 500 | медуэлл | ЯПОНИЯ |
| КИ SN74HC02N | 1000 | ТИ | ТАИЛАНД |
| КИ CD4585BE | 250 | ТИ | ТАИЛАНД |
| КИ MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | МИКРОН | МАЛАЙЗИЯ |
| ДИОД MMSZ5242BT1G | 30000 | НА | МАЛАЙЗИЯ |
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|