Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > Монтажная плата M24512-WMN6TP Programmable, программируя микросхемы IC

Монтажная плата M24512-WMN6TP Programmable, программируя микросхемы IC

производитель:
Производитель
Описание:
² c 1 MHz 500 ns 8-SOIC IC 512Kbit i памяти EEPROM
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Окружающая рабочая температура:
– °C 40 до 130
Температура хранения:
– °C 65 до 150
Ряд входного сигнала или выхода:
– 0,50 до 6,5 v
Подача напряжения:
– 0,50 до 6,5 v
Электростатическое разрядное напряжение (модель человеческого тела):
– 4000 до 4000 v
Пакет:
SO8 (MW), SO8 (MN), TSSOP8 (DW)
Самое интересное:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Введение

 

 

M24512 - Программируемая монтажная плата WMN6TP, микросхемы программирования

 

 

Предложение акций (Горячая продажа)

Деталь № Количество Бренд ОКРУГ КОЛУМБИЯ Упаковка
NCP1117STAT3G 14414 НА 15+ СОТ-223
NCP1234AD65R2G 6625 НА 11+ СОП-7
NCP1397AG 8128 НА 16+ СОП-15
NCP1450ASN50T1G 5878 НА 16+ СОП23-5
NCP1522BSNT1G 22847 НА 15+ СОТ23-5
NCP18XM472J03RB 134000 Мурата 13+ поверхностный слой
NCP3170ADR2G 7834 Мурата 11+ СОП-8
NCP3420DR2G 7805 НА 16+ СОП-8
NCP380HSNAJAAT1G 7776 НА 14+ СОТ23-6
NCP511SN33T1G 15053 НА 16+ СОТ23-5
NCP5424DR2G 5929 НА 14+ СОП-16
NCP698SQ50T1G 5920 НА 14+ СОТ-343
NCS2200SN1T1G 5949 НА 14+ СОТ-153
NCV1124DR2G 4947 НА 11+ СОП-8
NDF06N60ZG 8221 НА 14+ ТО-220
НДП6020П 5891 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ ТО-220
NDS355AN 137000 ФЭЙРЧАЙЛД 15+ СОТ-23
НДТ014Л 96000 ФЭЙРЧАЙЛД 04+ СОТ-223
NE5550979A-T1-A 6042 РЕНЕСАС 16+ 79НА
NE555DR 40000 ТИ 16+ СОП-8
NE555PWR 78000 ТИ 14+ ЦСОП-8
NE555PWR 51000 ТИ 15+ ЦСОП-8
NE556N 8450 ТИ 15+ ДИП-14
НФА21SL506X1A48L 64000 Мурата 13+ поверхностный слой
НФЛ21SP106X1C3D 17325 Мурата 15+ поверхностный слой
NFM21CC471R1H3D 33000 Мурата 16+ поверхностный слой
НФМ3ДПК223Р1Х3Л 61000 Мурата 13+ поверхностный слой
NH82801GB-SL8FX 1822 г. ИНТЕЛ 15+ БГА
NJM064M 6020 СИЦ 16+ СОП-14
NJM1300D 6703 СИЦ 16+ ДИП-16

 

 

M24512-W M24512-R

M24256-BW M24256-BR

 

512 Кбит и 256 Кбит последовательная шина I²C EEPROM с тремя линиями Chip Enable

 

Обзор функций

 

■ Двухпроводной последовательный интерфейс I2C поддерживает протокол 400 кГц

■ Диапазоны напряжения питания:

■ от 1,8 В до 5,5 В (M24xxx-R)

■ от 2,5 В до 5,5 В (M24xxx-W)

 

■ Запись управляющего ввода

■ Запись байтов и страниц

■ Случайный и последовательный режимы чтения

■ Самосинхронный цикл программирования

 

■ Автоматическое увеличение адреса

■ Улучшенная защита от электростатического разряда/защелкивания

■ Более 1 000 000 циклов записи

■ Хранение данных более 40 лет

■ Упаковки – ECOPACK® (соответствует RoHS)

 

Краткое описание

Устройства M24512-W, M24512-R, M24256-BW и M24256-BR I2C-совместимая электрически стираемая программируемая память (EEPROM).Они организованы как 64 КБ × 8 бит и 32 КБ × 8 бит соответственно.

 

я2C использует двухпроводной последовательный интерфейс, включающий двунаправленную линию данных и линию синхронизации.Устройства имеют встроенный 4-битный код идентификатора типа устройства (1010) в соответствии с I2Определение шины С.

 

Устройство ведет себя как ведомое в I2Протокол C, при котором все операции с памятью синхронизируются последовательными часами.Операции чтения и записи инициируются условием запуска, генерируемым мастером шины.За условием запуска следует код выбора устройства и бит чтения/записи (RW) (как описано в таблице 2), заканчивающиеся битом подтверждения.

 

При записи данных в память устройство вставляет бит подтверждения в течение 9-битного времени, следующего за 8-битной передачей мастера шины.Когда данные считываются мастером шины, он таким же образом подтверждает получение байта данных.Передача данных завершается по условию Stop после подтверждения для записи и после подтверждения для чтения.

 

Чтобы соответствовать экологическим требованиям, ST предлагает эти устройства в упаковках ECOPACK®.

Упаковки ECOPACK® не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS.

 

 

 

Логическая схема

 

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs